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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明涉及铜箔铣面机技术领域,具体的公开了一种用于铜箔表面处理的可调式铜箔铣面机,包括机体,所述机体包括化学清洗池和漂洗池,化学清洗池设置在机体的内部位于铜箔进料处一侧,漂洗池设置在机体的内部位于铜箔出料处一侧,化学清洗池的内部设置有包括定...
  • 本发明公开了一种煤粉锅炉立体掺氢分级燃烧系统,属于燃煤锅炉燃烧技术领域。该系统包括布置于炉膛四角的浓淡分离型直流燃烧器、氢气助燃系统、低氮降碳氢气主燃烧器和智能燃烧控制系统。通过双层稳燃氢气喷口夹持煤粉喷口形成横向分级,通过主燃烧器与燃尽风...
  • 本发明涉及铣削设备技术领域,具体涉及一种精密螺纹铣削设备,包括:纵轴机构与横轴机构,用于驱动升降机构在XY轴坐标系内移动;升降机构,用于驱动连接台升降;铣刀,包括固定转动在连接台内的面铣刀与键槽铣刀,键槽铣刀贯穿设置在面铣刀内部;驱动电机,...
  • 本申请提供一种通孔加工的制备方法和光芯片,涉及激光精密加工技术领域,包括在基板内形成圆形压应力层;预设时间内,在所述圆形压应力层内形成改性通道;腐蚀所述改性通道,得到所需的通孔。采用长脉冲激光和飞秒脉冲激光的复合结构光场空间复用,实现通孔制...
  • 本发明涉及金属制品技术领域,提出了一种耐腐蚀镀锌钢丝及其生产工艺。一种耐腐蚀镀锌钢丝,包括钢丝和镀层,其中镀层,以质量百分比计,由以下成分组成:Fe 0.015%~0.03%、Sn 0.25%~0.35%、In 0.015%~0.035%、...
  • 本发明涉及复合材料机械加工技术领域,公开了一种高强中模碳纤维增强复合材料的铣削加工方法,包括:构建一个过程控制模型;规划刀具路径并解算生成参数序列;调用参数序列使超声振动与切削运动在各离散刀位点实现参数的协同加载;同步施加受控超声振动、低温...
  • 本公开涉及用于沉积的掩模和电子装置。所述用于沉积的掩模包括:彼此间隔开的多个单元区域和在平面图中围绕所述单元区域的外围区域;基体层,具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,所述基体层限定分别对应于所述多个单元区域的多个第一开口;图案绝缘...
  • 本申请涉及真空卷绕镀膜设备的技术领域,公开了一种称重传感器及蒸镀坩埚镀料闭环系统,一种称重传感器,包括:台座,呈块状结构,台座由上至下贯穿开设有两穿孔,两穿孔之间留有实体部,台座开由上至下开设有贯穿槽,通过贯穿槽将台座分割成固定部和形变部,...
  • 本发明公开了一种蜂蜡保护改善合金齿轮抗疲劳能力的方法,包括以下步骤:S1、涂覆蜂蜡;S2、镀铜;S3、渗氮:将所述齿部进行渗氮处理,渗氮结束后再次将齿部涂覆蜂蜡,均匀涂抹3~5层,并全覆盖整个齿部;S4、去铜:将所述齿轮本体进行去铜处理。本...
  • 本发明公开了一种透明超疏水薄膜及制备方法,包括:S1、提供透明衬底;S2、通过磁控溅射法在透明衬底沉积氧化铝层,得到薄膜;S3、将薄膜置于水中浸泡;S4、使用硅烷偶联剂的疏水改性剂制备的改性液浸泡薄膜,形成疏水防污层,得到改性薄膜;S5、将...
  • 本发明提供一种核壳结构粉末制备装置,包括反应容器和设置在反应容器顶部的送丝机构、等离子体喷射装置和前驱气体供给装置。送丝机构用于向反应容器内持续输送金属丝,等离子体喷射装置用于向反应容器内供给等离子体射流,等离子体射流的路径经过金属丝的送丝...
  • 本公开涉及一种复配表面活性剂、修复材料以及修复氯代烃污染物的方法。该复配表面活性剂组分简单、增溶效果好、绿色低毒,溶于水可有效降低水溶液的表面张力,且具有较高低温水溶性。本公开的修复材料对疏水氯代烃具有良好的增溶效果,将其用于修复氯代烃污染...
  • 本发明公开了一种金刚石系长波红外复合窗口及其制备方法,该金刚石系长波红外复合窗口的制备方法,包括:在长波红外硫化锌的双面分别镀上第一增透膜得到光学材料A;在金刚石光学材料的双面分别镀上第二增透膜得到光学材料B;将光学材料A和光学材料B面贴合...
  • 本发明公开了一种低温高抗冲聚丙烯合金空投箱外箱体的制备方法,涉及空投箱制备技术领域,步骤如下:称取聚丙烯树脂、高密度聚乙烯树脂、乙丙橡胶、聚烯烃弹性体接枝马来酸酐橡胶、成核剂、2‑羟基‑4‑正辛氧基二苯甲酮和N‑丁基‑2, 2, 6, 6‑...
  • 本发明涉及一种热丝CVD系统,包括:真空腔室;真空腔室连接有真空及压力控制系统、气体输送及分布系统;竖直设于真空腔室中央的热丝电源馈入系统;沿热丝电源馈入系统方向设置的基底台,基底台上安装有旋转调节系统;以及,对基底台加热的衬底加热系统。通...
  • 本发明属于光伏技术领域,提供一种基于PECVD管式炉的改善氧化硅膜沉积均匀性的方法及应用。该方法包括:基片放入加热的炉管中,抽真空,将炉管压力控制在80‑140Pa;再恒温处理,使炉管热场分布均匀,将炉管温度控制在500‑560℃,炉口与炉...
  • 本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备,所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、遮蔽件和承载装置,所述遮蔽件和所述承载装置可活动地设于所述腔室本体之内;在所述遮蔽件处于第一位置、且所述承载装置处于第三位置时,所述遮蔽件与所述承载装置相对,...
  • 本发明涉及一种将温度调节中空结构(22)结合到EUV投射曝光设备的反射镜(10)的基板(12)中的方法,包括以下步骤:(A)提供由基板材料12a构成的基板(12);(B)将处理光束(46)逐渐聚焦到将要产生温度调节中空结构(22)的加工位置...
  • 本发明提供了一种铜铟镓硒薄膜的制备方法,包括步骤:S10、将基底加热至第一温度,在基底上共蒸铟、镓和硒;S20、提高基底的温度至第二温度,在基底上共蒸铜和硒;S30、保持基底的温度为第二温度,在基底上共蒸铟、镓和硒,获得铜铟镓硒薄膜;其中,...
  • 本申请公开了一种阀箱加工方法,包括如下步骤:S1,压力泵阀箱锻件毛坯进行粗加工;S2,正火处理;S3,第一次回火处理;S4,碳氮共渗处理;S5,预冷淬火处理;S6,第二次回火处理;S7,包装。本申请通过碳氮共渗的方式同时向工件渗入碳与氮,形...
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