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半导体加热装置的控制方法和控制系统
本发明提供了一种半导体加热装置的控制方法和执行该控制方法的控制系统。对于第i个加热区和与其相邻的j个加热区,本发明的控制方法通过步骤Sm对各加热区以各自的最佳调温功率进行调温,并得到各加热区对应的受热区各自的预测温度相关参数,以及各加热区各...
一种柔性DLC薄膜的制备方法
本发明公开了一种柔性DLC薄膜的制备方法,包括:在基板的表面上沉积介电材料层;在所述介电材料层的表面上形成纳米孔洞结构;在所述纳米孔洞结构中沉积DLC膜,获得柔性DLC薄膜。采用本发明的技术方案能够制备柔性DLC薄膜。
用于铌酸锂晶圆的复合改性材料
本发明公开了一种用于铌酸锂晶圆的复合改性材料,本发明涉及纳米材料技术领域。该材料由抗蚀钝化基体和功能增强组分构成:抗蚀基体采用氮化硅/SiO
2
多层复合层与原子层沉积二氧化钛、磁控溅射氧化铝形成级联保护;功能层包含硫化铅...
一种长寿命、抗开裂环境障涂层粘接层的制备方法及材料
本发明公开了一种长寿命、抗开裂环境障涂层粘接层的制备方法及材料,该环境障粘结层为三相结构,即近球形的大的HfO
2
颗粒和近球形的小的Al
2
O
3
颗粒离散分布在Si基相内。第一分散...
一种具有高红外反射功能的多层热障涂层及其制备方法
本发明公开了一种具有高红外反射功能的多层热障涂层及其制备方法,属于高温热防护技术领域;该热障涂层由四层组成,采用大气等离子喷涂技术制备,自内向外依次为粘结层、陶瓷隔热层、陶瓷过渡层、陶瓷反射层;其中陶瓷反射层为BaZrO
3
一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统
本发明属于磁控溅射镀膜相关技术领域,其公开了一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统,方法包括:对磁控溅射单元的多个靶台电源分别进行调制,根据溅射量需求将靶台电源的直流电或脉冲交流电调制为不同频率、幅值或占空比的方波交流电,所述方波...
薄膜沉积装置及薄膜沉积方法
本申请提出的薄膜沉积装置,包括加热机构、导向环、绝缘环、升降机构、旋转机构和控制器,加热机构包括加热托盘,用于承载和加热基板,升降机构用于驱动加热托盘和导向环上升以进行第一次薄膜沉积,旋转机构用于驱动加热托盘带动导向环旋转,使得导向环放置在...
保护膜的形成方法
本发明的保护膜的形成方法包括:提供玻璃基体并进行超声波清洗;在所述玻璃基体的表面上沉积形成第一金属层;以及在所述第一金属层上沉积形成第二金属层。该方法提供的保护膜具有抗菌抗污染的作用,从而可保护内容物免受污染,保证其稳定化学性能,而且该方法...
一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法
一种直流复合双极性脉冲进行细长管筒内磁控溅射的方法,它属于磁控溅射镀膜领域。它解决了现有管筒件内放电难,稳定性差,膜层质量差的问题。本发明中待镀管和柱状靶分别接电源正极和负极,在二者之间进行二极放电。放电电源采用直流复合双极性脉冲电源,放电...
一种具有多带隙组合的Zr/NbMoTaWO多层膜及其制备方法
一种具有多带隙组合的Zr/NbMoTaWO多层膜及其制备方法,属半导体材料技术领域。该多层膜采用磁控溅射法,(Zr/Ar气)和(NbMoTaW/氧氩混合气)双靶、双气氛交替溅射制备。多层膜为Zr氧化物和NbMoTaW氧化物交替结构,Zr氧化...
一种链式局域镀膜设备
本实用新型公开了一种链式局域镀膜设备,包括反应仓与传输组件,所述反应仓内设置有进料腔、缓冲腔、工艺腔与出料腔,还包括:供气管路,其包括两个排气端,分别连通缓冲腔与工艺腔设置;所述缓冲腔与工艺腔内部压强保持一致设置;激发单元,其设置在工艺腔内...
用于防止振动的蒸镀装置
根据本发明的一个方面的蒸镀装置包括:蒸镀腔室,提供蒸镀空间;第一板,能够从所述蒸镀腔室的上侧分离;第二板,布置于所述第一板的上侧;六自由度平台,连接于所述第二板,且通过所述第一板并延伸至所述蒸镀空间;静电吸盘,布置于所述六自由度平台的下侧,...
一种致密氧化物涂层及其物理气相沉积方法和应用
本申请公开了一种致密氧化物涂层及其物理气相沉积方法和应用,致密氧化物涂层包括金属层和氧化物层,氧化物层沉积于金属层的表面。物理气相方法包括如下工艺流程:装载基体;对基体进行离子清洗;通入惰性气体,开启Cr靶,在基体表面沉积金属层;通入氧气和...
一种控制上锌量的镀锌钢管生产设备及其使用方法
本发明涉及镀锌钢管生产设备领域,特别是一种控制上锌量的镀锌钢管生产设备及其使用方法,包括镀锌部件,包括热镀锌池,所述热镀锌池侧壁设有无线传输器,所述热镀锌池底部和侧壁设有加热盘,所述热镀锌池上设有送料铁链;清理部件,包括设置于所述热镀锌池侧...
大面积二硒化钼薄膜的制备方法
本发明提出一种大面积二硒化钼薄膜的制备方法,该方法包括:先将衬底进行超声清洗,而后将衬底表面吹干;在称量纸上分别称取一定量相对应的(NH
4
)
2
MoO
4
、硒粉与KCl,并将称取...
批量化基板原子层沉积装置
本发明涉及一种批量化基板原子层沉积装置,包括有真空腔体、轴封装置以及旋转驱动总成。真空腔体包括有前侧壁、后侧壁以及周面;前侧壁与后侧壁互相平行设置,周面连接前侧壁与后侧壁的边缘,以形成反应空间。周面的内侧设置有交错配置的多个凹部与多个凸部,...
C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及制备方法
一种C/SiC复合材料基底薄膜传感器用绝缘层及制备方法,属于薄膜传感器设计与生产技术领域。绝缘层包括自下而上依次设置的Si
3
N
4
缓冲层、AlN过渡层、Al
2
O
3
利用抑制的特征填充
本文提供了用金属填充特征的方法,包括金属成核的抑制。
用于前体再循环的方法和系统
本公开涉及用于前体再循环的方法和系统。具体地,本技术的各种实施例可以提供反应器、具有联接到反应器的入口的入口的第一容器、具有联接到反应器的入口的入口的第二容器以及联接到反应器的出口、第一容器的入口和第二容器的入口的排气管线。第一和第二容器可...
一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法
本发明公开了一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法,涉及二维氮化硼薄膜强化加工技术领域,包括原子层沉积镀膜仓、传动机构和注气机构,所述原子层沉积镀膜仓的内部对称固定安装有分隔板,且分隔板的上段开设有通孔,并且原子层沉积镀膜仓的前后两侧对称...
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