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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本发明涉及一种基于边缘结构调控的石墨烯气体传感器及其制备方法。该石墨烯气体传感器包括气敏材料和设置于气敏材料两端的电极,气敏材料为具有特定边缘结构的石墨烯条带,特定边缘结构包括沿ZZ晶体取向或AC晶体取向定向加工形成的ZZ边缘结构或AC边缘...
  • 提供一种单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的设计方法以及制备方法。单晶氟化钙基底3.7‑4.8μm增透薄膜的设计方法包括:选定4μm作为光学薄膜设计1/4波长膜厚的参考波长,使用膜堆公式:Sub/0.03Q/0.3H/0.4L/H/L...
  • 本发明涉及刀具抗热震技术领域,提供一种高温合金叶片加工刀具的抗热震处理方法,包括刀具基体预处理,通过预处理单元对WC‑Co硬质合金基体进行超声清洗、热风烘干与真空去应力的一体化处理,复合相梯度掺杂,通过掺杂单元向基体内部引入TiC‑SiC复...
  • 本发明涉及一种将层(10)施加到扁钢产品(100)上的方法,其中,来自炉(14)的扁钢产品(100)移动通过鼻部(12)和随后的锌铝合金熔融浴(11),其中,所述鼻部(12)包括外壁(120),所述外壁将所述鼻部的内部与其周围环境隔开,其中...
  • 公开了一种银铜复合触点表面处理方法及其应用,包括以下步骤:将银铜复合触点放入银铜复合触点用环保型酸洗处理液中进行酸洗,再经调理液进行处理,最后清洗得到成品。所述银铜复合触点用环保型酸洗处理液包括硫酸、双氧水、聚乙二醇、谷氨酸二乙酸、丙二醇甲...
  • 本发明提供用于CVD化学气相沉积设备的温度控制方法及系统,涉及温度控制技术领域,该方法在完成薄膜沉积后,采集并分析基底与薄膜的热动力学特征,确定并优化初始降温约束条件;其次,生成自适应的降温过渡曲线,指导CVD设备实现精准温度控制,并实时监...
  • 本发明公开了用于MOCVD设备的智能温度控制方法及系统,属于温度控制技术领域,包括:获取MOCVD设备的反应室壁温辐射干扰判定指数,进行反应室壁温辐射干扰分析,判定反应室内壁辐射的慢耦合增热存在性,在存在反应室内壁辐射的慢耦合增热时,基于边...
  • 本发明涉及一种通过在化学气相沉积方法中使用二甲基二氯硅烷(DMS)作为硅烷源在石墨基板上沉积碳化硅(SiC)来制造涂覆SiC的主体的新的工艺。本发明的另一方面涉及可通过本发明的新的工艺获得的新的涂覆碳化硅的主体,以及涉及其用于制造以下项的用...
  • 本实用新型涉及灭火器生产领域,特别涉及一种灭火器生产用内镀膜装置,包括底板和灭火器本体,所述底板的顶部固定连接有加热装置,所述底板顶部的右侧设置有进料管,所述进料管的表面套设有固定块和套块。通过驱动机构的设置,起到了对灭火器本体进行移动的作...
  • 提供了一种掩模组件和该掩模组件的制造方法。所述掩模组件包括:框架和掩模片。掩模片包括:第一掩模,包括第一主体部分和第一结合部分,第一主体部分具有至少一个第一沉积开口,第一结合部分中的每个从第一主体部分的至少一个第一侧突出;以及第二掩模,包括...
  • 本发明涉及溅射技术领域,具体为一种加热冷却集成型八边溅射机,包括主腔体以及安装在其外侧的反应腔,且主腔体的前侧中部位置安装有处理腔,而且处理腔的上方固定有相机,所述主腔体的内部安装有夹送运输机构,所述处理腔的左右两侧均设置有与主腔体相连接的...
  • 本实用新型涉及半导体加工技术领域,公开一种气体分配系统及镀膜设备。其中气体分配系统包括喷头和加工气体供给气路,加工气体供给气路包括第一主管路、第一三通阀、真空泵和加工气体供给支路,第一三通阀包括第一接口、第二接口和第三接口,第一接口连通于第...
  • 本发明公开了一种耐磨性和力学性能优异的氧氮化物涂层及其制备方法和应用,该氧氮化物涂层是利用电弧离子镀‑线性离子源复合镀膜机完成的,该氧氮化物涂层包括依次沉积在基体表面的CrAlN过渡层、CrAlSiN过渡层和自组织纳米多层CrAlSiON涂...
  • 本实用新型提供了一种锡滴电磁微喷磁力调控装置,包括电磁微喷阀和若干磁块,所述若干磁块对称布置在所述电磁微喷阀两侧,其特征在于,还包括导向轨和驱动机构,所述导向轨设置在所述电磁微喷阀底部,所述导向轨开设有导向槽;每个所述磁块底部均设置有移动块...
  • 本实用新型提供了一种真空镀膜设备,包括:设备本体,设备本体内设置有交替排列的至少一个加热室和至少一个工艺室,加热室和工艺室内设置有至少一个加热器,加热器具有多个独立控温的加热区;传输装置,安装在设备本体上,用于在加热室与工艺室之间传送承载有...
  • 本发明公开了一种真空镀膜机工件定位机构,属于真空镀膜机技术领域,包括支撑组件以及安装在支撑组件上的滑动组件,滑动组件上安装有移动组件,移动组件上安装有定位组件,定位组件上安装有旋转组件,支撑组件上安装有翻转组件,支撑组件上安装有转动组件,滑...
  • 本发明属于真空镀膜装置技术领域,特别涉及一种带熔池稳定机构的多电子枪真空镀膜装置,包括底架;所述底架的顶部一侧安装有坩埚组件,且所述坩埚组件的顶部一侧安装有基片支架,所述底架的一侧设置有机械泵,所述坩埚组件的外壁且靠近机械泵的一侧安装有分子...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,特别是涉及一种基于反向包辊结构的真空卷绕镀膜设备,包括设备本体、两个转动杆、可变形支架、限位杆件和夹持件;设备本体内部设置为镀膜腔,镀膜腔的相对两端设置有设备腔,镀膜腔侧面设置有蒸发件,用于对靶材进行蒸发,设备腔内设...
  • 本实用新型提供了一种热镀锌水冷设备,涉及热镀锌技术领域,包括镀锌池构件和水冷循环机构,所述镀锌池构件的四周上方设置有螺栓装配的物料转移部件,所述镀锌池构件的两端顶侧设置有螺栓装配的水冷循环机构,所述水冷循环机构包含有固定池、第二翅板、折形基...
  • 本发明公开了一种外延片的ITO膜层磁控溅射方法,包括:将外延片置于镀膜腔,在所述镀膜腔中通入氩气,并在磁控溅射ITO机台处于第一溅射功率和第一镀膜转速时,在所述外延片上制备ITO膜层的粘附层;在所述镀膜腔中通入氩气和氧气,并在磁控溅射ITO...
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