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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本申请公开了一种用于热镀锌工艺的水冷池,涉及水冷池技术的领域,其包括箱体,所述箱体下端部沿竖向固设有电机一,电机一输出轴穿过箱体,并同轴固设有转轴,转轴沿周向设有若干转杆,转杆与转轴之间设有连接件,用于连接转杆和转轴,箱体内部沿周向铰接有若...
  • 本发明涉及轴承材料表面改性技术领域,具体涉及一种8Cr4Mo4V钢制轴承钢球离子渗氮方法,包括插偶步骤、钢球的清洗步骤、钢球放入料盘步骤、将装有钢球及测温用的插偶钢球的料盘放入离子渗氮炉、一次渗氮工艺及二次渗氮工艺等步骤,在上述操作步骤的系...
  • 本发明涉及磁控溅射技术领域,具体地说,涉及一种可调磁控溅射环装置。其包括基座和基座顶部密封安装的密封罩,所述基座与密封罩内腔之间形成真空环境,其特征在于:所述基座顶部设置有磁体腔,所述磁体腔内部形成有中心磁区和延伸磁区。本发明通过液压推杆驱...
  • 本发明涉及磁控溅射工艺的技术领域,公开了一种磁控溅射中磁场与靶材协同运动的控制方法,步骤为:基于仿真和理论模型,结合靶材的尺寸和材料,确定协同运动的磁场移动速度范围、靶材旋转速度范围、速度比例系数,筛选若干速度比例系数获得预设速度比例系数;...
  • 本发明提供一种先进图形化薄膜的气相沉积方法及设备,方法包括如下步骤:提供衬底并安置在基座上,基座环绕设置有遮蔽环,遮蔽环具有延伸至衬底的第一表面上方的遮挡部;向衬底的第一表面引入第一气体,并向位于遮挡部下方的衬底引入第二气体,通过气相沉积工...
  • 本实用新型公开了铁塔加工防锈用镀锌设备,其包括:底板的上表面固定连接有壳体,壳体的内部设置有镀液槽,壳体的上表面固定连接有抽气机,抽气机的输出端固定连接有抽气管,抽气机的后端固定连接有输送管,输送管远离抽气机的一端固定连接有集气罐,壳体的右...
  • 一种样品台,属于镀膜装置技术领域,包括基座、升降组件、传动板、旋转组件以及工作台,升降组件安装于基座,升降组件包括第一转杆,传动板与第一转杆传动连接,第一转杆转动安装于基座,旋转组件安装于传动板,旋转组件包括第二转杆,工作台与第二转杆传动连...
  • 本发明公开了一种双腔室脉冲激光沉积设备及其工作方法,涉及薄膜沉积技术领域,中转腔,与至少两个镀膜腔室分别连通;真空抽气系统,与所述中转腔连接,用于中转腔内部始终保持真空;可升降样品台,至少设有两个,分别位于所述中转腔的内部两端;双样品托传输...
  • 本发明公开了一种多晶金刚石膜的制备方法及应用,所述制备方法,包括:S1、将泡沫铜压铸在铜衬底上形成铜基底;S2、对铜基底进行酸洗去除氧化层;S3、对铜基底表面涂覆金刚石粉悬浮液种子层;S4、将涂覆有金刚石粉悬浮液种子层的铜基底置于CVD反应...
  • 本发明涉及涂层制备技术领域,尤其是一种耐磨粒磨损涂层热处理方法及其制备装置,包括;主体部件,包括混合组件、设于混合组件内的定量组件,以及设于定量组件外的遮挡组件;释放部件包括设于混合组件内的隔断组件、设于遮挡组件外的控制组件,以及设于控制组...
  • 本发明公开了一种金属化学气相沉积装置,金属化学气相沉积装置包括若干个MOVCD反应模组,若干个MOVCD反应模组呈线性阵列设置;反应壳体设置在基座的顶端,反应壳体与基座围合成一反应腔,反应壳体的相对两侧分别设置有进气口和出气口,以用于供待反...
  • 本发明的连续碳化硅纤维碳化钛硅界面沉积设备及方法,属于界面沉积装置领域,其包括密闭放丝区,其内设置有输送组件,所述输送组件用于碳化硅纤维的应力释放和持续输送;第一热处理区、第一化学气相沉积区、第二化学气相沉积区、第二热处理区和密闭收丝区,其...
  • 提供一种气相生长装置,能够提高在晶片表面形成的膜的厚度的均匀性。实施方式的气相生长装置具有:基座,载置晶片;驱动部,使基座旋转;以及晶片引导件,为包围晶片的外缘的环状,安装于基座。晶片引导件的朝向上侧的面位于比从晶片的朝向上侧的面向上侧0....
  • 提供能够提高在晶圆表面成膜的膜的厚度的均匀性的基座及气相生长装置。实施方式的基座是设置于气相生长装置并供晶圆载置的基座。具有从下侧对晶圆的朝向下侧的面进行支撑的支撑面。在支撑面设置有与晶圆所具有的晶圆卡合部卡合的基座卡合部。
  • 本公开涉及半导体及光伏技术领域,尤其涉及一种特气管路和镀膜系统,以解决特气管路内的颗粒物可能会随着工艺气体进入镀膜腔室,影响镀膜效果的问题。特气管路包括:特气输送管路,特气输送管路的第一端能够与镀膜腔室连通,特气输送管路的第二端能够与气源连...
  • 本发明属于核燃料元件表面防护技术领域,具体为一种用于核反应堆锆合金包壳的多层复合(Cr, Al)Nx/Cr防护涂层及制备方法。该涂层由内至外依次为缓冲层、中间层、最外层组成的多层结构设计,其中:缓冲层为Cr涂层;中间层为氮含量饱和的(Cr,...
  • 本实用新型涉及CVD镀膜技术领域,尤其涉及一种CVD镀膜蒸发控制装置,包括蒸发仓, 所述蒸发仓正面通过合页活动连接有密封门,所述蒸发仓顶部嵌设并固定安装有连通管一,所述连通管一底端延伸至所述蒸发仓内部并固定贯通有软管,所述软管底部固定有连通...
  • 本申请提供一种热丝模组及化学气相沉积设备,属于热丝化学气相沉积领域。本申请的热丝模组,包括第一热丝阵列、第二热丝阵列、第一支撑结构及第二支撑结构;第一支撑结构包括多个第一固定柱,多个第一固定柱沿第二方向间隔排布,第二支撑结构包括多个第二固定...
  • 本发明涉及新材料及其应用领域,具体涉及一种大尺寸高质量三维六方氮化硼(h‑BN)网络的制备方法。以多孔金属为模板,通过预处理将硼源均匀固定在模板孔壁表面,然后利用化学气相沉积(CVD)工艺,在适宜的温度和气氛条件下,以含氮气体为氮源,在多孔...
  • 提供一种线性蒸发源核心装置,线性蒸发源核心装置包括两带轮、环形带、驱动机构、套管、供料机构、以及加热机构;环形带套在两带轮上以形成上直线部分、下直线部分和两弯曲部分,环形带形成有沿环形带的全长分布的收容槽;驱动机构连接于两带轮中的至少一个;...
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