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五金工具产品及配附件制造技术
  • 本文描述了在衬底的至少一个表面上形成包含硅和碳的介电膜的组合物和方法,所述方法包括将选自如本文定义的式IA结构表示的化合物和式IB结构表示的化合物的至少一种硅杂环烷烃前体引入所述反应器:
  • 本公开提供了一种钨钼硅超导薄膜及其制备方法,可以应用于光量子精密测量技术领域。钨钼硅超导薄膜,包含钨钼硅层,其化学式为WxMoySiz,其中x:y=1:1~2,(x+y):z...
  • 本发明提供一种抑制供给规定量以上的电子零件的供给装置及成膜装置。实施方式的供给装置具有:滑槽,具有电子零件能够逐个通过的多个滑槽孔,所述电子零件具有一端与另一端;挡板,具有与滑槽重叠,且供电子零件经由滑槽孔插入的多个挡板孔;掩模,具有与挡板...
  • 本发明涉及真空金属镀膜技术领域,公开了一种木材表面真空金属镀膜设备,包括真空箱,所述真空箱的内部固定安装有中心柱,中心柱的上侧表面嵌设有蒸发坩埚,中心柱的内部转动安装有布料筒,中心柱内开设有导流槽,布料筒通过导流槽与蒸发坩埚的内腔连通,中心...
  • 本发明涉及镀膜技术领域,具体为一种溅镀镀膜设备,包括箱体、固定连接在箱体一侧壁的固定杆、靶材支架、靶材、基片支架和基片,靶材固定安装在靶材支架的一侧,基片支架设于远离靶材一端的箱体内,基片固定安装在基片支架的一侧,所述箱体的侧壁上开设有两个...
  • 本发明提供了一种自硬化PVD薄膜的制备方法,该方法包括:步骤S1:在多弧离子镀膜设备内对基体进行预处理;步骤S2:向所述多弧离子镀膜设备内通入氮气并使所述多弧离子镀膜设备内保持预定压力,开启电弧TiAl靶,以在预处理后的所述基体表面沉积预定...
  • 本发明公开了一种碳基材料涂层及其制备方法,属于涂层防护技术领域。本发明涂层包括Nb层、HfO2层,Nb层位于碳基材料和HfO2层之间;本发明制备方法包括(1)对碳基材料进行表面处理;(2)在真空负...
  • 本发明提供一种可改善厚膜沉积均匀性的沉积环、沉积组件及沉积设备。沉积环由内至外包括依次间隔且同心设置的中心部、内圆环及外圆环;内圆环通过多个间隔设置的第一支撑杆与中心部连接,通过多个间隔设置的第二支撑杆与外圆环连接;所述沉积环还包括多个间隔...
  • 本发明涉及表面涂层技术领域,具体涉及一种高温自润滑VON涂层、制备方法及其应用,所述高温自润滑VON涂层的分子式为VaObNc,其中各原子百分含量a、b、c满足以下条件:49...
  • 本发明涉及半导体镀膜设备技术领域,且公开了一种具有防堵塞功能的排气管路半导体镀膜设备,包括半导体镀膜机,所述半导体镀膜机的内部设有若干个排气管,所述排气管用于半导体镀膜机气体进出,所述排气管的两侧分别设有连接壳和衔接座,所述连接壳的内部开设...
  • 本申请公开了一种提高薄膜中二氧化钒含量的磁控溅射工艺及镀膜装置,通过两次磁控溅射于衬底表面沉积得第一层薄膜和第二层薄膜,两次使用的工艺气体的氧气流量不同,以制得富氧态氧化钒薄膜和缺氧态氧化钒薄膜;将完成表面镀膜的衬底放入退火腔,退火腔内维持...
  • 本发明公开了一种高致密性二氧化硅膜层制备方法,属于二氧化硅膜制备领域,步骤一,基片准备;步骤二,真空室准备;步骤三,溅射过程;步骤四,薄膜后处理,本发明膜层致密性高,孔隙率低,机械强度和化学稳定性优异;制备工艺简单,成本低,易于规模化生产;...
  • 本申请涉及一种腔室内载板定位装置及控制方法,该腔室内载板定位装置包括腔室、传动机构、控制器、载板、第二传感器和第一传感器。相邻两个腔室间设置有门阀。该传动机构设置在腔室内。该控制器与传动机构连接,用于控制传动机构传动。该载板放置在传动机构上...
  • 本实用新型提供的一种镀铝设备,包括真空腔体,所述真空腔体内设置有卷绕模组,所述卷绕模组包括放卷辊和收卷辊,所述放卷辊与收卷辊位于同一高度区域,所述放卷辊与收卷辊之间具有间隔空间,所述放卷辊和收卷辊的下方设置有前主辊,所述放卷辊上装设有薄膜卷...
  • 本发明公开了一种力学性能可分区调控的钨网增强高温钛合金零件及其制备方法,属于金属基复合材料技术领域。本发明解决了传统零件性能无法分区调控、界面改性工艺与多工况适配性不足、应力场分布失配问题。本发明通过拓扑优化确定高承载区,该区域以带碳化硅涂...
  • 本实用新型公开了一种拉条自动甩镀装置,包括多臂龙门桁架和位于多臂龙门桁架下方的锌锅,所述多臂龙门桁架底部设有自动夹取机构,锌锅右侧设有离心甩镀机构,离心甩镀机构包括甩镀槽、驱动电机、一组转动套筒、一组转轴、伺服气缸、推动板、卧式离心滚筒以及...
  • 本发明公开了一种高熵氮化物陶瓷涂层及其制备方法与应用。采用双层辉光等离子表面冶金工艺以及真空退火技术在TC21合金表面制备的高熵陶瓷涂层材料,从上至下依次为镀层,N扩散层,其中镀层的组成为x+y+z+m+n+t=1。本发明高熵陶瓷涂层镀层在...
  • 本发明公开了半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法,具体涉及材料表面镀覆处理技术领域,包括反应室和石墨载台,所述反应室的内部安装有承载台,所述反应室的外部固定连接与其内部相通的若干个进气管,所述进气管的一端对称安装有与其内部相通的...
  • 本发明公开了一种PECVD‑磁控溅射共沉积掺杂膜层装置,在进行PECVD的过程中通过磁控溅射向基底沉积薄膜中掺杂其他氧化物、金属或半导体,并可通过溅射调整机构控制磁控溅射的沉积速度。在装置的容置腔内,设置有化学气相沉积机构和磁控溅射机构,在...
  • 本发明涉及一种绝缘子金具镀锌后处理设备,包括一振锌工作台和一承接台,振锌工作台用于搁置装有绝缘子金具的镀锌耙,承接台位于振锌工作台下方,振锌工作台由驱动机构驱动处于第一状态和第二状态;在第一状态下,振锌工作台通过驱动机构驱动向上移动至最高位...
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