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五金工具产品及配附件制造技术
  • 源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质
    源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质_季华实验室_202512032275.4
    本申请属于杂质监测的技术领域，公开了一种源炉硅氧类杂质监测方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：实时获取源炉加热过程中的主源材料的实时主源质谱信号和硅氧类杂质的实时杂质原始质谱信号，根据实时主源质谱信号和实时杂质原始质谱信号，结合源炉...
    2026-03-21
  • 一种三辊研磨机的上料机构
    一种三辊研磨机的上料机构_青岛英丽可新材料有限公司_202520585871.8
    本实用新型提供一种三辊研磨机的上料机构，涉及颜料制作技术领域，包括：承载件；所述承载件的数量设定为两组，承载件的上方精准布局有三组辊，按照从前至后的顺序，依次为后辊、中间辊以及前辊，在三组辊前侧所预留的空隙处均相应地设置有连接杆，而各连接杆...
    2026-03-21
  • 一种辅助锯切不同规格挤压模具压余的固定工装
    一种辅助锯切不同规格挤压模具压余的固定工装_中信渤海铝业(滁州)有限公司_202520627060.X
    一种辅助锯切不同规格挤压模具压余的固定工装，安装于与挤压机隔开设置的锯切平台，该锯切平台包括：以从锯切平台上端面朝上开口的方式开设的四条燕尾槽，该固定工装包括：两个分别经由螺栓Ⅰ与最外侧两条燕尾槽装配而彼此隔开地固定的L型支架，一个分别经由...
    2026-03-21
  • 边缘钝化镀膜反应室结构及钝化设备
    边缘钝化镀膜反应室结构及钝化设备_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202520141732.6
    本实用新型提出了一种边缘钝化镀膜反应室结构及钝化设备，包括：反应炉体，内部放置钝化舟；钝化舟包括第一电极板，通电时第一电极板与钝化舟内的钝化片盒的电势相反，在钝化片盒中电池片的钝化面与第一电极板之间形成用于产生等离子体的交变电场。本实用新型...
    2026-03-21
  • 一种高性能柔性屏蔽膜及其制备方法和应用
    一种高性能柔性屏蔽膜及其制备方法和应用_惠州市臻金精密科技有限公司_202511855727.2
    本发明公开了一种高性能柔性屏蔽膜及其制备方法和应用，方法包括：对高分子柔性基材进行表面粗化处理，并在高分子柔性基材的表面贴合感光干膜，得到预处理膜材；对感光干膜进行图形化曝光与显影，以在预处理膜材裸露出目标图形区域，并对目标图形区域进行催化...
    2026-03-21
  • 一种大功率离子源放电腔的高热流沉积部件
    一种大功率离子源放电腔的高热流沉积部件_中国科学院合肥物质科学研究院_202511901175.4
    本发明公开了一种大功率离子源放电腔的高热流沉积部件，属于核聚变装置中性束注入系统热管理技术领域，包括：自上而下依次设置的热沉积部件上板、热沉积部件中板、热沉积部件下板；热沉积部件中板上下表面均开设凹槽；热沉积部件中板与热沉积部件上板焊接成整...
    2026-03-21
  • 一种锂电池正极片破碎分选方法及应用
    一种锂电池正极片破碎分选方法及应用_赛铂坦新能源技术(无锡)有限公司_202512006463.X
    本发明涉及一种锂电池正极片破碎分选方法及应用，将正极片粗破至50‑100mm，再精破至≤10mm；经滚筒筛筛分出部分黑粉；筛上物进入剥离机，特异性地将铝箔加工成1‑3mm的颗粒，同时使黑粉完全剥离；利用气流分级机基于粒度差异分离出高纯度铝粉...
    2026-03-21
  • 一种硅酮胶原料研磨设备
    一种硅酮胶原料研磨设备_武汉市金辉有机硅有限公司_202520536858.3
    本实用新型涉及一种硅酮胶原料研磨设备，属于硅酮胶原料研磨技术领域，包括底板，所述底板的顶部固定有支撑架，所述支撑架上固定有固定环，所述底板的顶部固定有衔接块，所述衔接块的内侧固定有固定块，所述固定块上设有作用机构，所述作用机构上固定有伺服电...
    2026-03-21
  • 一种树脂软管焊接机及焊接生产线
    一种树脂软管焊接机及焊接生产线_珠海市派特尔科技股份有限公司_202520233876.4
    本实用新型公开了一种树脂软管焊接机及焊接生产线，树脂软管焊接机包括机架、送料机构、焊接机构及限位机构。机架上设置有牵引机构，牵引机构配置为能够牵引树脂软管；送料机构配置为能够输送树脂软管，焊接机构配置为能够加热两个树脂软管的焊接处；限位机构...
    2026-03-21
  • 薄膜晶体管及电子设备
    薄膜晶体管及电子设备_株式会社日本显示器_202480052864.X
    薄膜晶体管包含：具有结晶性的氧化物半导体层；与氧化物半导体层相接的金属氧化物层；与氧化物半导体层重叠地设置的栅电极；和设置于氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层，氧化物半导体层包含通过电子背散射衍射法测定到的多个晶粒，所述多个晶粒各自包含...
    2026-03-21
  • 一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法
    一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法_南京邮电大学_202210419379.4
    一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法，属于半导体薄膜及其阻变存储器技术领域。主要包括：1)处理(100)取向的单晶Si衬底；2)在衬底上通过磁控溅射法制备(222)取向的ITO底电极；3)在ITO底电极上通过射频反应磁控...
    2026-03-21
  • 适合用作微灌滴灌带的双峰中密度聚乙烯组合物
    适合用作微灌滴灌带的双峰中密度聚乙烯组合物_陶氏环球技术有限责任公司_202380018111.2
    本发明提供了双峰中密度聚乙烯组合物，以及包含该双峰中密度聚乙烯组合物的微灌滴灌带。该双峰中密度聚乙烯组合物可在高线速度下挤出，同时保持其它所需特性。该双峰中密度聚乙烯组合物包含高分子量(HMW)聚乙烯组分和低分子量(LMW)聚乙烯组分。该双...
    2026-03-21
  • 金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件
    金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件_深圳市金尚金新材料技术有限公司_202511494191.6
    本申请公开一种金属带线的局部金属化方法、金属带线及电子元器件。金属带线的局部金属化方法包括：利用夹具对金属带线的待处理区域进行定位和遮蔽，使金属带线的表面形成至少一个裸露的预定区域，而其余表面被遮蔽；对金属带线表面的预定区域进行清理，以去除...
    2026-03-21
  • 一种提高聚丙烯发泡倍率均匀性的注塑工艺方法
    一种提高聚丙烯发泡倍率均匀性的注塑工艺方法_湖州高福机械制造有限公司_202511977802.2
    本发明提供一种提高聚丙烯发泡倍率均匀性的注塑工艺方法，属于聚丙烯技术领域，本发明通过在混炼阶段采用拉伸流场主导的分布式混炼元件使超临界二氧化碳均匀溶解，利用多点气体注入通道配合基于密集连接网络的发泡参数预测模型实时调控各位置注气时序与流量，...
    2026-03-21
  • 肌肉干细胞分离提取及新型水解物培养体系及其应用
    肌肉干细胞分离提取及新型水解物培养体系及其应用_上海食未生物科技有限公司_202210425661.3
    本发明属于细胞培养领域，公开了一种牛肌肉干细胞体外分离培养方法、培养基及其应用。本发明的肌肉干细胞体外培养方法，为采用非动物源水解物的细胞培养基体外培养肌肉干细胞。本发明还进一步公开了用于培养所述肌肉干细胞的培养基。采用本发明的培养基，可以...
    2026-03-21
  • 一种氢含量稳定、出水稳定的富氢制水机
    一种氢含量稳定、出水稳定的富氢制水机_江苏诺尔曼生命科技有限公司_202520500584.2
    本实用新型涉及制水机领域，具体涉及一种氢含量稳定、出水稳定的富氢制水机。制水机包括制氢系统、内部净水系统、混氢系统、逆止阀、水气分离器；所述混氢系统的入口与制氢系统、内部净水系统连接，分别用于接收氢气、净水；混氢系统的出口与逆止阀入口连接，...
    2026-03-21
  • 一种界面结构铜基催化剂及其制备方法与应用
    一种界面结构铜基催化剂及其制备方法与应用_昆明理工大学_202511911354.6
    本发明公开一种界面结构铜基催化剂及其制备方法与应用，属于催化剂技术领域。具体包括：将铜盐、锌盐和锰盐混合溶于水中，配制得到金属盐溶液；将沉淀剂溶于水中，配制得到沉淀剂溶液；将金属盐溶液与沉淀剂溶液并流，调节pH，搅拌反应，分离，洗涤，干燥，...
    2026-03-21
  • 减少大尺寸钼靶缺陷的成型方法
    减少大尺寸钼靶缺陷的成型方法_常州苏晶电子材料有限公司_202511882366.0
    本发明涉及靶材加工成型技术领域的一种减少大尺寸钼靶缺陷的成型方法，对所述钼粉进行压制成型过程中，进行预压制成型与压制成型；所述预压制成型为轴压成型，压制成型为冷等静压成型。本发明的预压法的使用有效的改善了成型体均一性与空腔数量过多的问题，最...
    2026-03-21
  • 一种瓦斯治理用废料破碎装置
    一种瓦斯治理用废料破碎装置_淮北矿业股份有限公司_202511586645.2
    本发明涉及瓦斯废料处理技术领域，公开了一种瓦斯治理用废料破碎装置，包括破碎机，还包括下料仓，固定连接在破碎机进料端，所述下料仓内底部为锥形，所述下料仓端部固定连接有电动控制阀，所述下料仓表面相对固定连接有至少一对弯管，所述下料仓内部对应弯管...
    2026-03-21
  • 一种气相生长方法
    一种气相生长方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411291089.1
    本发明公开了一种气相生长方法，包括：其采用成膜装置进行，成膜装置上设有气体供给装置，气体供给装置包括依次环绕的第一至第三气体独立供给区；成膜装置内设有一基板，对基板加热。通过第一气体独立供给区朝基板通入含Si和C的第一源气体。通过第二气体独...
    2026-03-21
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