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最新专利技术
  • 一种超原子束源筛选装置
    一种超原子束源筛选装置_天津中科晶禾电子科技有限责任公司_202510231976.8
    本发明属于半导体材料加工技术领域，公开一种超原子束源筛选装置。超原子束源筛选装置包括支撑座、外壳体、内壳体、磁体组件、夹层和盖体组件，磁体组件设于外壳体和内壳体之间；夹层设于外壳体和磁体组件之间；盖体组件包括第一盖体和第二盖体，第一盖体和第...
    2026-01-18
  • 一种锰锌铁氧体材料的制备方法
    一种锰锌铁氧体材料的制备方法_北京七星飞行电子有限公司_202510231341.8
    本发明涉及一种锰锌铁氧体材料的制备方法，包括以下步骤：预制成品料：按照既有编号为A1至An的不同配方分别造粒制备出编号为A1至An的锰锌铁氧体成品料，n为≥2的整数；其中，用每个配方分别制备的锰锌铁氧体材料对应不同的电磁属性；从编号为A1至...
    2026-01-18
  • 转子充磁、退磁及检测一体自动化设备
    转子充磁、退磁及检测一体自动化设备_松山湖材料实验室_202510236161.9
    本申请提供一种转子充磁、退磁及检测一体自动化设备，包括支撑基座；固定支架；旋转组件和多个加工件，旋转组件设置于支撑基座，并环绕在固定支架的至少部分外周；多个加工件间隔设置于旋转组件的周向，且被配置为旋转组件转动时，绕固定支架的外周旋转；切换...
    2026-01-18
  • 一种复合型快捷组装电源变压器及工艺
    一种复合型快捷组装电源变压器及工艺_周口市美声电子有限公司_202510236383.0
    本发明属于变压器技术领域，尤其涉及一种复合型快捷组装电源变压器及工艺，首先准备好结构一致的上磁芯和下磁芯，确保两者U型体的尺寸和形状相匹配；打开上磁芯以及下磁芯，将制好的音圈套设在两个芯柱之间，然后将上磁芯和下磁芯相对放置，使芯柱相互靠近，...
    2026-01-18
  • 一种按压调节的组合式精密开关
    一种按压调节的组合式精密开关_中研科学研究院(南安)有限公司_202510230715.4
    本发明公开了一种按压调节的组合式精密开关，包括开关体，还包括按压调节键，用于插头挤压沿着开关体上下运动进行开关的开合；导向辅助组件，用于形成按压调节键沿上下运动的导向和复位的保护；按压调节组件，用于在插头松动时开关闭合的定位保护；其中，开关...
    2026-01-18
  • 一种质谱系统
    一种质谱系统_嘉庚创新实验室_202510233300.2
    本申请公开了一种质谱系统，包括，真空腔室；进样组件，用于连接反应原料；反应器，与所述进样组件连接，所述反应原料在所述反应器内反应获得反应物；电离室，固定连接在所述反应器的出口，内部设有接收所述反应物并供所述反应物在其中离子化的电离腔；电离结...
    2026-01-18
  • 高场不对称波形离子迁移谱装置及检测方法
    高场不对称波形离子迁移谱装置及检测方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202510228543.7
    本公开属于分析仪器技术领域，提供了一种高场不对称波形离子迁移谱装置及检测方法，该装置包括：上层基板，中间层基板和下层基板；中间层基板开设有通槽，上层基板的底部、下层基板的顶部和通槽的内壁围成多个分析通道，各分析通道的长度均不相同，各分析通道...
    2026-01-18
  • 一种芯片三维封装方法
    一种芯片三维封装方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202510234358.9
    本发明属于半导体封装技术领域，特别涉及一种芯片三维封装方法。包括：步骤S1：制备12寸硅圆片；步骤S2：制备第一N层金属互连线；步骤S3：在第一N层金属互连线进行晶圆级临时键合；步骤S4：通过晶圆级减薄设备对硅圆片硅背进行减薄；步骤S5：进...
    2026-01-18
  • 一种集成电路的试验制备装置及试验制备方法
    一种集成电路的试验制备装置及试验制备方法_北京航空航天大学_202510230284.1
    本申请公开了集成电路的试验制备装置及试验制备方法，包括：运载台、人机交互模块、控制模块、驱动模块、定位适配模块和定位锁定模块，其中，运载台用于放置被试验样品；人机交互模块用于输入制备指令，其中，制备指令至少包括被试验样品的被试验样品类型；控...
    2026-01-18
  • 一种半导体晶圆盒搬运及空中存储设备及运行方法
    一种半导体晶圆盒搬运及空中存储设备及运行方法_上海铠铂云信息科技有限公司_202510236388.3
    本发明公开了一种半导体晶圆盒搬运及空中存储设备及运行方法，涉及半导体晶圆盒存储技术领域，一种半导体晶圆盒搬运及空中存储设备，包括置于高空位置的操作台，所述操作台上通过第一滑轨滑动连接有滑架，所述滑架上通过第二滑轨滑动连接有滑动台，所述滑动台...
    2026-01-18
  • 晶圆加工贴膜设备
    晶圆加工贴膜设备_东莞市熙科机电设备有限公司_202510232215.4
    一种晶圆加工贴膜设备，用于对半导体晶圆进行贴膜加工，其包括机架、安装在机架上的支撑座、安装在机架上并伸入到支撑座上方外周的定位装置，所述机架包括第一面盖，所述第一面盖还设有若干辅助定位柱，晶源在支撑座上完成位置纠偏后，辅助定位柱与晶圆的外周...
    2026-01-18
  • 一种微波混合集成电路芯片自对准装配方法
    一种微波混合集成电路芯片自对准装配方法_北京无线电测量研究所_202510227729.0
    本发明公开了一种微波混合集成电路芯片自对准装配方法，包括：在基板的芯片装配位置设置焊盘，在焊盘上预置焊料，对焊盘周围进行疏水处理，利用等离子处理设备对焊盘进行等离子处理，使焊盘具有亲水特性；将预处理后的基板放入贴片设备，利用点胶机对焊盘进行...
    2026-01-18
  • 一种便于芯片封装的二极管封装结构及光伏接线盒
    一种便于芯片封装的二极管封装结构及光伏接线盒_常熟市福莱德连接器科技有限公司_202510234952.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种便于芯片封装的二极管封装结构及光伏接线盒，该结构包括覆铜板，所述覆铜板顶部固定连接有一个或多个芯片本体，所述覆铜板顶部右侧固定连接有焊锡，所述覆铜板顶部左侧设置有连接口，所述覆铜板表面开设有四个定位孔，...
    2026-01-18
  • 一种优化散热结构的HBM芯片
    一种优化散热结构的HBM芯片_华中科技大学_202510233959.8
    本发明属于芯片封装领域，公开了一种优化散热结构的HBM芯片。该HBM芯片自下而上一次包括基板、微凸起层、逻辑芯片层、存储层、导热层和散热层；存储层为多个存储芯片自下而上堆叠形成；逻辑芯片层与所述散热层之间还设有热优化区；热优化区由导热材料制...
    2026-01-18
  • 一种金刚石-铜复合微纳超亲液封闭凹角蒸发散热结构、加工方法及应用
    一种金刚石-铜复合微纳超亲液封闭凹角蒸发散热结构、加工方法及应用_南京航空航天大学_202510232190.8
    本发明公开了一种金刚石‑铜复合微纳超亲液封闭凹角蒸发散热结构、加工方法及应用，属于散热技术领域，蒸发散热结构包括金刚石层、封闭凹角通道金属层和多孔金属层；所述金刚石层具有若干贯穿其上下表面的镂空结构；所述封闭凹角通道金属层覆盖在金刚石层表面...
    2026-01-18
  • 一种微孔碳正极材料的制备方法、微孔碳正极及二次电池
    一种微孔碳正极材料的制备方法、微孔碳正极及二次电池_华中科技大学_202510230057.9
    本发明属于硫基电池相关技术领域，其公开了一种微孔碳正极材料的制备方法、微孔碳正极及二次电池，其中方法包括：将碳源前体、固态盐和氢氧化钾混合后，进行球磨；将球磨后的材料在惰性气氛中进行初次热处理；对初次热处理后的材料进行酸洗并烘干，获取微孔碳...
    2026-01-18
  • 一种包含催化相复合硫正极材料的制备方法及其应用
    一种包含催化相复合硫正极材料的制备方法及其应用_河北工业大学_202510227724.8
    本发明为一种包含催化相复合硫正极材料的制备方法及其应用。所述方法包括如下步骤：将金属硫酸盐、钠盐和碳源加入到去离子水中搅拌、喷雾干燥处理，焙烧后得到催化相材料；然后与硫材料混合后研磨，150～160℃下保温12～18h，得到S/C复合材料；...
    2026-01-18
  • 一种高载量电极及其制备方法与在电池中的应用
    一种高载量电极及其制备方法与在电池中的应用_东南大学_202510228779.0
    本发明公开了一种高载量电极及其制备方法与在电池中的应用，高载量电极包括碳纳米管、多孔集流体及活性材料，所述活性颗粒与碳纳米管的质量比为95:5～99.5:0.5；所述活性材料包括正极活性材料与负极活性材料。本发明可以实现无需额外添加粘结剂，...
    2026-01-18
  • 一种负极极片及其制备方法和应用
    一种负极极片及其制备方法和应用_福建龙净储能电池有限公司_202510231650.5
    本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种负极极片及其制备方法和应用。所述负极极片包括集流体和位于集流体两侧表面的活性物质层；所述集流体设有第一通孔；所述活性物质层包括第一活性物质层和第二活性物质层，第一活性物质层位于集流体的表面，第二活性...
    2026-01-18
  • 极片结构及其制作方法、电芯结构、电池
    极片结构及其制作方法、电芯结构、电池_联想(北京)有限公司_202510234914.2
    本申请公开了一种极片结构及其制作方法、电芯结构、电池，其中，极片结构包括：集流体结构；涂覆于所述集流体结构的第一表面的电极浆料层；涂覆于所述电极浆料层表面的固态电解质浆料层；其中，所述电极浆料层中渗入有所述固态电解质浆料层的部分固态电解质浆...
    2026-01-18
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