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最新专利技术
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510438776.X
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括具有第一主表面的半导体主体。半导体主体包括第一导电型的源极区、第二导电型的主体区和第一导电型的漂移区。第一沟槽沿着第一方向从半导体主体的第一主表面延伸到半导体主体中。第一栅极电极位于第一沟...
    2025-11-20
  • 提升多边形元胞SiC MOS器件鲁棒性的器件结构及制作方法
    提升多边形元胞SiC MOS器件鲁棒性的器件结构及制作方法_浙江摩珂达半导体有限公司_202510968396.7
    本发明公开一种提升多边形元胞S iC MOS器件鲁棒性的器件结构及其制备方法， 通过优化版图设计在保留原有的JFET区的情况下于JFET区内设置屏蔽区， 即形成为与阱区相接合且自该阱区沿元胞阵列的对角线方向延伸， 并与对角线的阱相连， 屏蔽...
    2025-11-20
  • 集成渐变掺杂场限环的SiC VDMOSFET终端保护结构及其制备工艺
    集成渐变掺杂场限环的SiC VDMOSFET终端保护结构及其制备工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511309249.5
    本发明涉及MOS半导体技术领域， 且公开了集成渐变掺杂场限环的SiC VDMOSFET终端保护结构及其制备工艺， 包括若干个相互并列的MOS元胞， 单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极、栅氧化层以及源极， 其中栅氧化层覆盖在栅极的...
    2025-11-20
  • 抑制p型氧化物半导体薄膜晶体管反型电子电流的器件及制备方法
    抑制p型氧化物半导体薄膜晶体管反型电子电流的器件及制备方法_山东大学_202410435411.7
    本发明提供了一种抑制p型氧化物半导体薄膜晶体管反型电子电流的器件及制备方法， 其中， 器件包括：衬底， 衬底具有第一表面；栅极， 栅极设于第一表面；栅介质层， 栅介质层设于栅极背离衬底的一侧；半导体层， 半导体层设于栅介质层背离栅介质层的一...
    2025-11-20
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411180125.7
    本发明提供一种能够抑制电流崩塌发生的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置具备第1半导体层、第2半导体层、第1电极、第2电极、栅极电极和第3半导体层。第1半导体层含有Alx1Ga1‑x1N(0≤x1＜1)。第2半导体层含有Alx2Ga1‑x2...
    2025-11-20
  • 一种场限环终端结构、制作方法和半导体功率器件
    一种场限环终端结构、制作方法和半导体功率器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202510991098.X
    本发明涉及一种场限环终端结构、制作方法和半导体功率器件， 所述场限环终端结构包括外延层， 所述外延层的上端设有主结和主结外侧的预设数量的场限环；场限环通过离子注入和退火工艺制成， 退火前， 最内侧的场限环与主结接触， 各个场限环相对主结的距...
    2025-11-20
  • 在半导体器件中形成SIC/栅极电介质界面层的方法
    在半导体器件中形成SIC/栅极电介质界面层的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510445902.4
    在半导体器件中形成SIC/栅极电介质界面层的方法。本文中， 形成半导体器件的方法可以包括在其表面处形成包括碳化硅的半导体衬底， 通过移除氧化物种、碳簇或其他污染物来清洁半导体衬底的表面区域， 以及在半导体衬底的清洁表面上方形成电介质层。所述...
    2025-11-20
  • 采用高K金属栅的MOS管栅极形成系统
    采用高K金属栅的MOS管栅极形成系统_深圳世源微半导体有限公司_202510965890.8
    本发明涉及半导体制造技术领域， 公开了采用高K金属栅的MOS管栅极形成系统。系统的材料沉积调控模块分析沉积均匀性与厚度稳定性匹配程度， 生成材料沉积控制参数集；界面处理优化模块基于该参数集调整腔体界面处理均衡性， 生成界面处理优化参数集；栅...
    2025-11-20
  • 栅极形成方法、半导体器件及电子设备
    栅极形成方法、半导体器件及电子设备_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511312427.X
    本申请涉及一种栅极形成方法、半导体器件及电子设备， 包括：提供衬底， 衬底上包括沿第一方向交替排列的多个层间介质层、多个栅沟槽；栅沟槽底部包括湿法刻蚀残留的第一离子；对衬底执行第一等离子体处理工艺， 同步清除第一离子并使得栅沟槽底部形成含第...
    2025-11-20
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511332055.7
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法， 包括：提供衬底， 衬底包括高压区、源漏区和隔离区；形成氮化硅层覆盖衬底， 并刻蚀去除隔离区上至少部分厚度的氮化硅层；刻蚀去除高压区上部分厚度的氮化硅层， 刻蚀后高压区上的氮化硅层和源漏区上的氮化硅层具...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425150.0
    一种半导体结构， 包括基板、在基板上的半导体层、在半导体层上的栅极结构、在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括第一部分及第二部分的第一介电层、在第一介电层的至少第一部分上的蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的第二介电层， 以及场板。场板包括在第二介电...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425201.X
    一种半导体结构， 包括在基板上的半导体层、在半导体层上的栅极结构、在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括在栅极结构的上表面上的第三部分、第一部分及相较第一部分更接近第三部分的第二部分的第一介电层、在至少第一部分上的蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410425240.X
    一种半导体结构， 包括在基板上的半导体层上的栅极结构；在栅极结构及半导体层上连续延伸且包括第一部分、第二部分及在栅极结构上表面上的第三部分及第四部分的第一介电层；在至少第一部分及第四部分上的蚀刻停止层上的第二介电层；及场板。场板包括第二介电...
    2025-11-20
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202410501178.8
    本发明提供一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括基底、第一栅极堆叠结构、第二栅极堆叠结构以及第三栅极堆叠结构。基底包括第一区、第二区与第三区。第一栅极堆叠结构位于所述第一区的所述基底上， 且包括第一栅极层以及第一栅极介电层。第二栅极堆...
    2025-11-20
  • 具有沟槽栅极的碳化硅器件
    具有沟槽栅极的碳化硅器件_英飞凌科技股份有限公司_202510445899.6
    具有沟槽栅极的碳化硅器件。一种碳化硅器件(500)包括从第一表面(101)延伸到碳化硅主体(100)中的条形沟槽栅极结构(150)， 栅极结构(150)沿着横向第二方向(292)被栅极结构(150)的第一栅极侧壁(151， 151’)和栅极...
    2025-11-20
  • 半导体装置与其制作方法
    半导体装置与其制作方法_南亚科技股份有限公司_202410935949.4
    一种半导体装置， 包含基板、设置在基板中的主动区、以及设置在主动区中的栅极结构。栅极结构包含下部导电层、设置在下部导电层上的上部导电层， 以及设置在上部导电层上的盖层。上部导电层的宽度小于下部导电层的宽度， 上部导电层的底部嵌入下部导电层中...
    2025-11-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410421438.0
    一种半导体结构及其形成方法， 其中结构包括：衬底， 所述衬底包括核心区、输入输出区、位于核心区和输入输出区侧壁的源区以及位于核心区和输入输出区之间的共用漏区；位于核心区上的若干层叠的第二牺牲层、第一沟道层、第三牺牲层、第二沟道层、第四牺牲层...
    2025-11-20
  • 半导体器件的制造方法及半导体器件
    半导体器件的制造方法及半导体器件_中国科学院微电子研究所_202510801994.5
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件， 包括：在衬底上外延出层叠设置的沟道层和牺牲层；刻蚀所述沟道层和所述牺牲层形成Fin状沟道， 并形成横跨所述沟道层和所述牺牲层的假栅结构， 在所述假栅结构外侧沉淀和刻蚀形成侧墙；去除部分所述...
    2025-11-20
  • 一种半导体工艺方法及半导体器件
    一种半导体工艺方法及半导体器件_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510961966.X
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体器件， 方法包括：氮化硅层表面设置第一填充层填充于栅极结构之间；研磨第一填充层显露出栅极结构上的氮化硅层；回刻第一填充层进一步显露氮化硅层；设置图形化铝膜， 显露出非保护区域， 保护区域内栅极结构上形成氮...
    2025-11-20
  • 一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构
    一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构_陕西工业职业技术大学_202510962266.2
    本发明公开了一种抗电磁干扰的CMOS器件工艺优化制备方法及其结构， 包括获取器件衬底；在所述衬底上制备NMOS区、PMOS区以及隔离区；在所述NMOS区、所述PMOS区以及所述隔离区上生长介质层；在所述介质层上生长金属互联层；在所述金属互联...
    2025-11-20
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