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  • 本发明涉及新能源技术领域, 具体提供一种通过量子点阵列物理隔离实现载流子复合阻断、同步完成太阳能发电与电子势能存储的系统(简称Q‑Photocell), 突破传统光伏电池肖克利‑奎伊瑟效率极限, 并利用外部直流电场取代传统PN结内建电场, ...
  • 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法, 涉及太阳能电池制造技术领域, 该太阳能电池包括:硅基体, 硅基体厚度方向一侧的表面包括交替排列的金属区域和非金属区域;金属区域由内至外层叠设置有隧穿氧化层、第一掺杂含硅层、第一阻挡氧化层、本征多晶硅...
  • 本发明涉及一种背接触太阳能电池及背接触太阳能电池制造方法。背接触太阳能电池包括副栅线、主栅线和绝缘件。其中, 副栅线包括沿第一方向延伸设置的正极副栅和负极副栅, 正极副栅和负极副栅沿第二方向间隔且错位设置;主栅线包括沿第二方向延伸设置于负极...
  • 本发明公开了一种无主栅光伏电池及光伏组件, 所述无主栅光伏电池包括:电池片和副栅线;所述电池片的正面电极采用无主栅设计, 多条所述副栅线以曲折线形式, 平行设置在电池片上, 相邻的所述副栅线之间通过栅线在折弯处连接, 形成用于搜集和传输载流...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法, 其包括基底、隧穿氧化钝化结构、本征非晶硅层、第一钝化层、第一透明导电结构以及第一电极。基底包括相对设置的第一面和第二面, 第一面包括交替排布的第一区和第二区;第一区包括电极区和非电极区;隧穿...
  • 本申请涉及光伏组件技术领域, 具体涉及一种背接触电池片及其制备方法、背接触叠层电池和光伏组件。背接触电池片包括硅基底, 硅基底的背面设置有主栅, 主栅上间隔设置有多个焊盘。硅基底的背面还包括掺杂区, 主栅位于掺杂区的投影范围内。其中, 沿主...
  • 本申请实施例涉及光伏领域, 提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件, 光伏电池包括:基底;位于基底的表面且沿第一方向间隔排布的多个第一电极和沿第二方向间隔排布的多个第二电极, 第一方向和第二方向相交;基底的表面包括同时设置有第一电极和第二电...
  • 本发明涉及太阳电池技术领域, 尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池, 包括硅片、介质层、P型掺杂多晶碳化硅层、P型掺杂多晶硅层以及N型掺杂多晶碳化硅层。硅片的背光面具有交替设置的第一区域和第二区域, 相邻的第一区域和第二区...
  • 本申请公开了一种TopCon电池及TopCon电池制备方法, 属于太阳能电池领域。本申请优化了钝化层结构, 在金属接触区域保留掺杂多晶硅层, 掺杂多晶硅层与衬底形成高低结提供场钝化, 并与电极形成欧姆接触;在非金属接触区域设置掺杂多晶碳化硅...
  • 本申请公开了一种太阳能电池、制备太阳能电池的方法及光伏组件, 属于太阳能电池领域。所述太阳能电池包括:硅基体, 硅基体具有相对设置的正面和背面, 背面包括交替排布的第一区域和第二区域;第一掺杂层, 第一掺杂层与硅基体的掺杂类型相同, 第一掺...
  • 本申请属于太阳能电池领域, 公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括:硅基体, 硅基体具有相对设置的第一表面和第二表面, 第二表面包括交替排布的第一区域和第二区域, 第二表面具有第一掺杂层, 第一掺杂层与硅基体的掺杂类型相...
  • 本发明公开一种多层POLY结构TOPCON太阳能电池及其制备方法, 涉及太阳能电池技术领域, 该多层POLY结构TOPCON太阳能电池包括N型硅片, 正面依次设氧化铝层、氮氧化硅叠层钝化膜和电极;背面为多层叠层POLY结构, 含隧穿氧化层及...
  • 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法, 属于太阳能电池技术领域。该背接触太阳能电池, 包括衬底层、分别设置于所述衬底层正面和背面的正面材料层和背面材料层, 所述正面材料层包括依次层叠设置于所述衬底层的正面的非晶钝化层、微晶钝化层、紫...
  • 本申请提供了一种太阳能电池, 涉及光伏技术领域, 旨在提升色彩质量。太阳能电池包括基底、第一堆栈结构和第二堆栈结构。基底包括相对的第一表面和第二表面, 第一表面设置有多个塔状结构。第一堆栈结构层叠设置于第一表面上, 第一堆栈结构包括至少一个...
  • 本申请涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法, 其包括半导体衬底、第一导电结构、第二导电结构以及可控电阻绝缘层。半导体衬底包括相对设置的第一面和第二面, 第一面包括交替排布的第一区和第二区;第一导电结构至少设于第一区;第二导电结构至少设于...
  • 本发明涉及光电器件封装技术领域, 具体涉及一种光窗盖板以及光电器件。该光窗盖板包括盖板、安装座以及光窗片, 盖板具有避空口;安装座设置于盖板上, 安装座内部中空, 安装座远离盖板的一侧设有安装槽, 安装槽通过安装座内部与避空口相连通;光窗片...
  • 本发明涉及光耦技术领域, 尤其涉及一种基于聚光镜集成的抗共模干扰的光耦封装结构;使MYLAR聚光镜在虚拟平面投影完全覆盖IR引脚和PT引脚基岛上元件, 将IR芯片120°发散光聚焦至Φ0.15mm光斑, 能量密度达到230mW/mm², 使...
  • 本发明涉及LED封装技术领域, 特别涉及一种封装灯珠的制备方法及封装灯珠, 本发明提供的封装灯珠的制备方法, 通过提供包括依次设置的基板、LED芯片和荧光胶层的倒装芯片结构;通过点胶或印刷的方式在荧光胶层背离LED芯片的一面形成与LED芯片...
  • 本发明公开了一种低侧壁损伤氮化镓基微型发光二极管及其制备方法, 涉及发光管制备技术领域, 其包括在氮化镓外延片上蒸镀电流扩散层, 并在电流扩散层上蒸镀刻蚀掩膜;利用光刻将预设掩膜图案依次通过刻蚀转移至刻蚀掩膜以及电流扩散层上;通过电感耦合等...
  • 本发明公开有集成热压与精准对位的LED芯片封装自动化压膜设备, 涉及LED芯片封装技术领域, 具体包括膜压架和传输台, 膜压架一侧安装有传输台, 膜压架一侧活动连接有驱动旋盘, 且驱动旋盘侧通过轴承套设活动连接有旋臂;本发明的下模框上推基板...
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