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最新专利技术
  • 一种搅动式电镀液回收装置及其使用方法
    一种搅动式电镀液回收装置及其使用方法_深圳市新富华表面技术有限公司_202511336833.X
    本发明涉及电镀液回收技术领域，具体为一种搅动式电镀液回收装置及其使用方法，包括回收箱和底板，回收箱的底部与底板固定连接，且回收箱的底部设置有用于回收磁性杂质的收集机构，底板的顶部设置有用于回收结晶物的蒸发机构，回收箱的顶部固定安装有驱动电机...
    2026-01-30
  • 一种钨丝梯度协同电解抛光液、制备方法及电解抛光方法
    一种钨丝梯度协同电解抛光液、制备方法及电解抛光方法_长沙岱勒新材料科技股份有限公司_202511143936.4
    本发明的公开了一种钨丝梯度协同电解抛光液、制备方法及电解抛光方法，所述电解抛光液包含以下质量浓度的组分：氢氧化钠 9‑12g/L、碳酸钠 3‑6g/L、柠檬酸钠 4‑6g/L、聚乙二醇600 0.5‑1.5g/L。本发明的电解抛光液为碱性，...
    2026-01-30
  • 一种提高半水硫酸钙晶须转化率、长径比的方法
    一种提高半水硫酸钙晶须转化率、长径比的方法_武汉工程大学_202511085379.5
    本发明提供了一种提高半水硫酸钙晶须转化率、长径比的方法。本发明的提高半水硫酸钙晶须转化率、长径比的方法，通过向天然石膏中加入磷石膏所含杂质：磷酸根、氟离子、镁离子、铁离子，通过控制磷酸根质量含量为0～0.5％、氟离子质量含量为0～0.4％、...
    2026-01-30
  • 溶液法晶体生长系统及晶体生长方法
    溶液法晶体生长系统及晶体生长方法_深圳大学_202511101990.2
    本发明涉及晶体生长技术领域，公开了一种溶液法晶体生长系统及晶体生长方法，溶液法晶体生长系统包括溶解装置、第一连接装置、第二连接装置、结晶装置、第一温控单元、第二温控单元和第三温控单元；溶解装置的出液口、第一连接装置、结晶装置、第二连接装置和...
    2026-01-30
  • 单晶炉投料用硅料称重小车
    单晶炉投料用硅料称重小车_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511067016.9
    该发明提供一种单晶炉投料用硅料称重小车，包括底部安装行走轮的小车本体、硅料称重组件、顶部开口的硅料盛放箱及散料补偿箱，硅料称重组件设置在小车本体承载面上，硅料盛放箱设置在硅料称重组件顶部，硅料盛放箱中用于放置带外包装的整包硅料，硅料称重组件...
    2026-01-30
  • 单晶炉抽真空方法和装置
    单晶炉抽真空方法和装置_天合光能股份有限公司_202511132532.5
    本申请实施例提供一种单晶炉抽真空方法和装置。其中单晶炉抽真空方法包括：对单晶炉抽真空第一时长；向单晶炉内充入惰性气体第二时长，第一时长大于第二时长；在停止对单晶炉抽真空和/或者停止向单晶炉内充入惰性气体之后，检测单晶炉内的压力至少一次。本申...
    2026-01-30
  • 单晶炉和单晶炉自动清洁方法
    单晶炉和单晶炉自动清洁方法_天合光能股份有限公司_202511132595.0
    本申请供一种单晶炉和自动清洁方法，单晶炉包括：炉体，顶部有开口；炉盖，盖设并封闭开口，炉盖上开设有观察窗，观察窗包括开设在炉盖上的观察孔，和安装于观察孔内并用于封闭该观察孔的透明挡板；刮刀，可滑动贴设于透明挡板的第一侧；驱动组件，位于透明挡...
    2026-01-30
  • 掺杂设备及掺杂方法
    掺杂设备及掺杂方法_青海高景太阳能科技有限公司_202511339192.3
    本发明提供了一种掺杂设备及掺杂方法。掺杂设备包括：壳体，壳体具有容纳腔以及与容纳腔连通的安装开口；掺杂结构，掺杂结构的至少一部分活动设置在容纳腔内；驱动组件，驱动组件的至少一部分设置在容纳腔内并与掺杂结构驱动连接，以使掺杂结构的一端能够由安...
    2026-01-30
  • 微米级单晶生长过程晶向实时调控方法及系统
    微米级单晶生长过程晶向实时调控方法及系统_中山市光大光学仪器有限公司_202511401850.7
    本发明属于晶体生长技术领域，涉及到微米级单晶生长过程晶向实时调控方法及系统，其通过采集晶体生长界面区域的固有物理信号，生成原始信号数据，实现对晶体生长状态的实时微观监控，从所述原始信号数据中提取与晶向偏移关联的特征参数，生成晶向偏移特征向量...
    2026-01-30
  • 一种新型引放方法
    一种新型引放方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202510880689.X
    本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种新型引放方法，包括以下步骤：采用直拉法控制硅单晶生长；向熔体中引入具有特定晶向的籽晶；在熔料完成后，将加热器功率设定为引晶功率，保持炉内温度恒定；籽晶接触固液相接面，引晶时，对温度进行动态调控，使其...
    2026-01-30
  • 一种碳化硅晶体生长装置及方法
    一种碳化硅晶体生长装置及方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511456081.0
    本申请公开的碳化硅晶体生长装置及方法，包括籽晶托、晶体生长限制件和坩埚，晶体生长限制件分别与籽晶托和坩埚连接，从靠近籽晶托至远离籽晶托的方向，晶体生长限制件包括籽晶容纳区、生长缓冲区和竖直生长区，籽晶位于籽晶容纳区，籽晶容纳区的高度与籽晶的...
    2026-01-30
  • 外延片的制备方法和外延片
    外延片的制备方法和外延片_埃特曼(厦门)光电科技有限公司_202511206694.9
    本申请涉及一种外延片的制备方法和外延片，其中，外延片的制备方法包括：提供衬底；执行分子束外延生长工艺，重复多个生长周期，以在衬底上形成外延叠层结构；其中，外延叠层结构包括多组沿生长方向堆叠的叠层单元，每个生长周期形成一组叠层单元，每组叠层单...
    2026-01-30
  • 一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统
    一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统_江西兆驰半导体有限公司_202511416391.X
    本发明公开了一种Micro LED外延石墨载盘制造方法及系统，该方法包括：同步采集Micro LED晶圆的晶圆数据，构建晶圆坐标系；对同一位置坐标点对应的PL波长与COT波长进行加权计算，输出三维点云数据集并存储以得到目标数据；读取目标数据...
    2026-01-30
  • 一种晶片外延生长用承载盘
    一种晶片外延生长用承载盘_厦门市九万光芯科技有限公司_202411331592.5
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种晶片外延生长用承载盘，包括盘体、盖板、调节组件和定位机构，盘体的上部开设有若干个凹槽，凹槽内设置有承载块，用于对放置进凹槽内的晶片进行承载，盘体的内部开设有空腔和若干个安装口，且若干个安装口均与空腔连通，...
    2026-01-30
  • 一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法
    一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法_温州大学新材料与产业技术研究院_202510369619.8
    本发明属于二维材料制备领域，具体公开了一种二维金属单质Cd晶体材料及其制备方法。该制备方法具体为：将Cd与BiOCl粉末混合获得前驱体，将前驱体置于中心高温区并对其加热，利用载气将挥发的气态前驱体输送到下游低温区衬底，在衬底上生成二维Cd晶...
    2026-01-30
  • 用于制备外延晶圆的方法、系统及外延晶圆
    用于制备外延晶圆的方法、系统及外延晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510770537.4
    本公开涉及一种用于制备外延晶圆的方法、用于制备外延晶圆的系统以及外延晶圆。该方法包括：在外延生长设备的基座上沉积形成预定厚度的膜层；以及对承载在已形成有该膜层的基座上的晶圆进行外延生长以获得外延晶圆，其中，预定厚度根据晶圆在经过外延生长后要...
    2026-01-30
  • 一种高质量WSe2单晶薄膜的新型气相外延生长方法
    一种高质量WSe2单晶薄膜的新型气相外延生长方法_北京科技大学_202511139526.2
    本发明提出一种高质量WSe2单晶薄膜的新型气相外延生长方法，涉及半导体材料科学与微纳制造工程技术领域，包括衬底的预处理、前驱体装载、温场与真空建立和单晶薄膜生长四个步骤；本发明采用改进型气相外延工艺，通过对源料供给、温场分布、气氛控制和衬底...
    2026-01-30
  • 一种单晶金刚石的生长装置
    一种单晶金刚石的生长装置_西南科技大学_202511138216.9
    本申请提供的一种单晶金刚石的生长装置，该装置包括：微波谐振腔体；固定式水冷基片台，设置在微波谐振腔体内；移动式基片罩，设置有开口，通过固定式水冷基片台伸入开口，使得移动式基片罩罩设固定式水冷基片台，且在移动式基片罩的顶壁设置有通孔，以允许单...
    2026-01-30
  • 一种高寿命硅片及硅片吸杂方法
    一种高寿命硅片及硅片吸杂方法_隆基绿能科技股份有限公司_202510828034.8
    本申请涉及一种硅片，其中，所述硅片中的锑元素的浓度为4E+14cm‑3至2E+16cm‑3，优选为4.30E+14cm‑3至1.9E+16cm‑3；进一步优选为4.45E+14cm‑3至1.87E+16cm‑3；以及所述硅片的少子寿命大于等...
    2026-01-30
  • 一种掺杂单晶硅轴向电阻率的调控方法、单晶炉
    一种掺杂单晶硅轴向电阻率的调控方法、单晶炉_麦斯克电子材料股份有限公司_202511273733.7
    一种掺杂单晶硅轴向电阻率的调控方法、单晶炉，涉及掺杂单晶硅技术领域，包括以下步骤：掺杂剂按照第一规格单晶硅电阻率上限所需的量作为首次添加量加入熔硅内；拉制第一规格单晶硅，并获取第一规格单晶硅尾部的电阻率，依据单晶硅尾部的电阻率、剩余熔硅质量...
    2026-01-30
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