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最新专利技术
  • 宽温域内零温漂低损耗的中介微波陶瓷材料及其制备方法
    宽温域内零温漂低损耗的中介微波陶瓷材料及其制备方法_西安电子科技大学_202511346710.4
    本发明公开了一种宽温域内零温漂低损耗的中介微波陶瓷材料及其制备方法。该材料的结构通式为0.7CaTi0.98(Mg1/3Nb2/3)0.02O3‑0.3Sm0.9Nd0.1AlO3；该材料为A位和B位共掺杂的单一相钙钛矿固溶体结构。该方法采...
    2026-01-14
  • 一种纳米钛酸钡粉体及其制备方法与应用
    一种纳米钛酸钡粉体及其制备方法与应用_成都三环科技有限公司_202511237508.8
    本发明涉及一种纳米钛酸钡粉体及其制备方法与应用，属于陶瓷粉体技术领域。本发明所提供的纳米钛酸钡粉体制备方法包括以下步骤：S1、向酸性溶液加入钛源进行水解反应，中和后经加热保温、陈化、过滤得到固体，煅烧得到S1粉体；S2、向A溶液中加入所述S...
    2026-01-14
  • 一种铁酸铋-钛酸铅-锌钛酸铋三元系压电陶瓷材料及其制备与应用
    一种铁酸铋-钛酸铅-锌钛酸铋三元系压电陶瓷材料及其制备与应用_上海大学_202511298443.8
    本发明涉及压电陶瓷技术领域，尤其是涉及一种铁酸铋‑钛酸铅‑锌钛酸铋三元系压电陶瓷材料及其制备与应用。本发明中铁酸铋‑钛酸铅‑锌钛酸铋三元系压电陶瓷材料的化学通式为(1‑x‑y)BiFeO3‑x(PbMez)TiO3‑yBi(Zn0.5Ti0...
    2026-01-14
  • 一种高居里温度、高压电常数的低温共烧压电陶瓷及其制备方法
    一种高居里温度、高压电常数的低温共烧压电陶瓷及其制备方法_中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司(国营第四三二六厂)_202511146526.5
    本发明属于压电陶瓷技术领域，具体涉及一种高居里温度、高压电常数的低温共烧压电陶瓷及其制备方法，陶瓷的结构通式为(1‑a)Pb(ZrzTi1‑z)x(Mg1/2W1/2)y(Zn1/3Nb2/3)1‑x‑yO3+a(Na1/2Bi1/2)Ti...
    2026-01-14
  • 一种锑锰酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法
    一种锑锰酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法_南京理工大学_202511370712.7
    本发明公开了一种锑锰酸铅‑锆钛酸铅基压电陶瓷及其制备方法，属于压电陶瓷领域。本发明的锑锰酸铅‑锆钛酸铅基压电陶瓷的化学式为：0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3‑0.95Pb1‑xSrx(Zr1/2Ti1/2)O3，其中：0.0＜x＜0...
    2026-01-14
  • 一种全固态电解质及其制备方法和全固态锂电池
    一种全固态电解质及其制备方法和全固态锂电池_中国石油天然气集团有限公司_202410830269.6
    本发明提供一种全固态电解质及其制备方法和全固态锂电池，所述制备方法，包括：S1，将Li2CO3、La2O3、ZrO2、Y2O3和TiO2球磨混合，得到混合料粉末；S2，将混合料粉末进行无压放电等离子体烧结，得到坯体；S3，将坯体进行粉碎、筛...
    2026-01-14
  • 一种掺镱钇铝石榴石激光透明陶瓷的制备方法
    一种掺镱钇铝石榴石激光透明陶瓷的制备方法_沈阳大学_202511385945.4
    本发明公开了一种掺镱钇铝石榴石激光透明陶瓷的制备方法。制备步骤如下：以硝酸钇、硝酸铝和硝酸镱为原料粉体，通过共沉淀反应获得前驱体粉体；然后在前驱体粉体表面沉积形成YAG结构的惰性包覆层，形成核‑壳结构粉体；喷雾造粒，经冷等静压成形获得生坯体...
    2026-01-14
  • 一种添加磷尾矿粉的氧化钇材料及其制备方法
    一种添加磷尾矿粉的氧化钇材料及其制备方法_武汉科技大学_202511258805.0
    本发明涉及一种添加磷尾矿粉的氧化钇材料及其制备方法。其技术方案是：先将85~90wt%的氧化钇粉体和10~15wt%的磷尾矿粉混合，于球磨机中球磨1~3小时，即得混合粉体；将所述混合粉体在100~120℃条件下干燥8~12h，筛分，得粒度≤...
    2026-01-14
  • 一种宽温区高性能n型Bi2Te3基磁性纳米复合热电材料及其制备方法
    一种宽温区高性能n型Bi2Te3基磁性纳米复合热电材料及其制备方法_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511341728.5
    本发明涉及热电材料技术领域，具体涉及一种宽温区高性能n型Bi2Te3基磁性纳米复合热电材料的制备方法，包括以下步骤，将Bi2Te2.7Se0.3热电材料加入到Ni0.3Zn0.7Fe2O4纳米悬浮液中获得磁性纳米复合悬浮液，将得到的悬浮液进...
    2026-01-14
  • 一种EDM型石墨材料制备方法
    一种EDM型石墨材料制备方法_南通星球石墨股份有限公司_202511318903.9
    本发明涉及石墨制备技术领域，具体为一种EDM型石墨材料制备方法，包括装配架；所述装配架上部支撑有破碎机构，且破碎机构底部装配有筛分组件，且破碎机构右侧上部装配有驱动组件；还包括以下步骤：S1‑1：原料处理；S1‑2：粘剂处理；S2：粉料处理...
    2026-01-14
  • 一种超高厚度石墨烯散热材料及其制备方法
    一种超高厚度石墨烯散热材料及其制备方法_成都方大炭炭复合材料股份有限公司_202511454383.4
    本发明公开了一种超高厚度石墨烯散热材料及其制备方法，所述制备方法包括：获得氧化石墨烯薄膜；向若干氧化石墨烯表面涂覆粘接剂并进行相互粘合，将得到的粘接材料依次进行热压处理、碳化处理和石墨化处理，其后进行真空压延处理，得到所述超高厚度石墨烯散热...
    2026-01-14
  • 一种石墨电极螺纹式接头的制备方法
    一种石墨电极螺纹式接头的制备方法_石河子市西部宁新碳素有限公司_202511369345.9
    本发明公开了一种石墨电极螺纹式接头的制备方法，包括如下步骤，材料制备：将针状焦骨料与煤沥青粘结剂经过混捏、成型、焙烧和石墨化处理，制备出石墨接头坯体；在混捏过程中，向原料中添加质量百分比为0.5％～5％的石墨烯纳米片作为导电增强相，并通过超...
    2026-01-14
  • 一种氟化镁陶瓷溅射靶材的制备方法
    一种氟化镁陶瓷溅射靶材的制备方法_河北高冶新材料有限公司_202511755628.7
    本发明一种氟化镁陶瓷溅射靶材的制备方法，属于无机非金属材料制备技术领域，本发明通过设计壁厚与内径比为0.4~0.6、高度与靶材高度比为5~16的细晶等静压石墨模具，结合内衬BN涂层或石墨纸隔离层及钼或钽箔均热层的复合结构，实现氟化镁靶材的径...
    2026-01-14
  • 一种多元含硼碳化物及其制备方法
    一种多元含硼碳化物及其制备方法_中国石油天然气集团有限公司_202410820848.2
    本发明公开了一种多元含硼碳化物及其制备方法，属于碳化物陶瓷技术领域。本发明以多元合金块体为原材料，将原材料进行氢化处理后，再采用有机碳源包覆的方法得到碳包覆混合物，然后将碳包覆混合物与硼酸混合并干燥后再进行烧结得到多元含硼碳化物。上述制备方...
    2026-01-14
  • 一种(NbTaTiVW)C高熵碳化物陶瓷材料及其低温制备方法
    一种(NbTaTiVW)C高熵碳化物陶瓷材料及其低温制备方法_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202511749228.5
    本发明涉及金属加工技术领域，尤其涉及一种(NbTaTiVW)C高熵碳化物陶瓷材料及其低温制备方法。本发明的高熵碳化物陶瓷材料在低温1400‑1450℃，通过放电等离子耦合高频感应烧结而成，显著降低了烧结温度，达到节能减排的效果，有利于实现绿...
    2026-01-14
  • 一种增韧复相碳化硼基陶瓷复合材料
    一种增韧复相碳化硼基陶瓷复合材料_中国兵器装备集团西南技术工程研究所_202511488708.0
    一种增韧复相碳化硼基陶瓷复合材料，所述陶瓷复合材料的原料包括陶瓷主料、金属增韧剂和烧结助剂，其中陶瓷主料包括B4C粉体、SiC粉体、TiO2、纳米炭黑和Si粉，金属增韧剂为WB、MoB、CrB和VB中的至少3种组成，烧结助剂由葡萄糖和聚乙烯...
    2026-01-14
  • 一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法及其材料的应用
    一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法及其材料的应用_湖南世鑫新材料有限公司_202511769693.5
    本发明属于陶瓷复合材料制造技术领域，具体涉及一种基于冷喷涂与渗硅的SiC复合材料制备方法，将SiC粉末制备成悬浮液，利用冷气动力喷涂系统将悬浮液沉积在基体上，形成多孔SiC预制体涂层；对预制体涂层进行后固化处理以提升其内聚强度；最后通过熔融...
    2026-01-14
  • 一种高纯碳化硅粉末的制备工艺
    一种高纯碳化硅粉末的制备工艺_内蒙古申弘新材料科技有限公司_202511775981.1
    本发明属于功能粉体材料制备技术领域，公开了一种高纯碳化硅粉末的制备工艺，包括：构建从前驱体超纯化、气相原位转化、微观形貌调控至无损收集的全流程一体化封闭系统；通过二级深冷精馏与吸附纯化获得超高纯硅烷和甲烷气体，经等离子体活化分解后，在多温区...
    2026-01-14
  • 一种基于碳化硅的灭磁电阻材料及其制备方法
    一种基于碳化硅的灭磁电阻材料及其制备方法_江苏瑞起电气有限公司_202511320292.1
    本发明涉及灭磁电阻技术领域，具体是一种基于碳化硅的灭磁电阻材料及其制备方法。本发明通过添加碳化硅粉体、氢氧化钠溶液、3‑硫基丙基三甲氧基硅烷、去离子水、无水乙醇，制备得到改性碳化硅。通过添加石墨粉、强酸混液、聚乙烯醇、抗坏血酸溶液、硝酸银，...
    2026-01-14
  • 一种碳化硅陶瓷晶舟多级粒径梯度注浆成型工艺
    一种碳化硅陶瓷晶舟多级粒径梯度注浆成型工艺_山东华美新材料科技股份有限公司_202511378988.X
    本发明涉及碳化硅陶瓷晶舟制备领域，尤其涉及一种碳化硅陶瓷晶舟多级粒径梯度注浆成型工艺，首先在纳米碳化硅表面包覆钇铝氧化物非晶层制备核壳结构粉体，再与四种不同粒径的微米级碳化硅粉体按特定梯度配比混合，添加复合分散剂球磨成浆。浆料注入模具后，依...
    2026-01-14
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