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最新专利技术
  • 固化性树脂组合物、固化膜和显示装置
    固化性树脂组合物、固化膜和显示装置_住友化学株式会社_202510824613.5
    本发明提供一种能够形成光扩散性和硬度优异的固化物的固化性树脂组合物。本发明提供一种固化性树脂组合物。该固化性树脂组合物含有树脂(A)、聚合性化合物(B)、聚合引发剂(C)和聚合物粒子(D)。树脂(A)是包含具有芳香族杂环的结构单元的聚合物。
    2026-03-08
  • 抗蚀剂材料及图案形成方法
    抗蚀剂材料及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510856581.7
    本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题为提供超过已知抗蚀剂材料的高感度、高分辨率，且LWR小、CDU良好、曝光后的图案形状良好的抗蚀剂材料、及图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料，含有：基础聚合物，含有下式(a)表示的重...
    2026-03-08
  • 一种正性光刻胶组合物及其制备方法和应用
    一种正性光刻胶组合物及其制备方法和应用_江苏艾森半导体材料股份有限公司_202511396221.X
    本发明提供一种正性光刻胶组合物及其制备方法和应用，以重量份计，所述正性光刻胶组合物包括100份改性酚醛树脂、0.5～10份重氮萘醌化合物和0.01～0.1份光致产酸剂；所述改性酚醛树脂的分子结构中包含式I所示结构。采用含有特定结构的酚醛树脂...
    2026-03-08
  • 一种基于小分子室温交联制备QD图案的方法及其制得的QLED光刻器件
    一种基于小分子室温交联制备QD图案的方法及其制得的QLED光刻器件_河南大学_202511404511.4
    本发明公开一种基于小分子室温交联制备QD图案的方法及其制得的QLED光刻器件，属于量子点(QD)纳米技术图案化显示技术领域。通过在QD溶液中引入小分子材料4, 4'‑双(3‑乙烯基‑9H‑咔唑‑9‑基)‑1, 1'‑联苯(CBP‑V)和光引...
    2026-03-08
  • 一种用于有机绝缘膜的多元酸酐基正性光刻胶组合物
    一种用于有机绝缘膜的多元酸酐基正性光刻胶组合物_烟台希尔德材料科技有限公司_202511645065.6
    本发明属于光刻胶技术领域，具体涉及一种用于有机绝缘膜的多元酸酐基正性光刻胶组合物，以质量份计，包括以下组分：基于多元羧酸衍生物的亚克力聚合物20‑100份；光致产酸剂0.03‑20份；酸生成剂或者碱生成剂0.01‑10份；表面活性剂0.01...
    2026-03-08
  • 一种减少EBR区域光刻胶残留的方法
    一种减少EBR区域光刻胶残留的方法_重庆中科渝芯电子有限公司_202511618658.3
    本发明公开一种减少EBR区域光刻胶残留的方法，包括以下步骤：1)对晶圆进行预处理；2)采用旋涂法在预处理后的晶圆表面涂光刻胶；3)对完成光刻胶涂敷的晶圆用EBR液做边缘、背面清洗；4)对完成EBR清洗的晶圆做干燥处理。本发明解决了机台在EB...
    2026-03-08
  • 用于双镶嵌结构的平板印刷工艺
    用于双镶嵌结构的平板印刷工艺_应用材料公司_202510839662.6
    本公开的实施方式包括用于制造双镶嵌结构的装置和方法。光刻胶第一区域内的第一部分暴露于来自辐射源的第一剂量的电磁辐射。所述第一部分具有第一深度和第一表面积。所述光刻胶的所述第一区域内的第二部分则暴露于来自所述辐射源的第二剂量的电磁辐射。所述第...
    2026-03-08
  • 一种金刚石对顶砧微光刻及材料转移系统
    一种金刚石对顶砧微光刻及材料转移系统_吉帕科技(深圳)有限公司_202511166453.6
    本发明公开了一种金刚石对顶砧微光刻及材料转移系统，包括底板；支撑件，设于所述底板上；主光盒，安装于所述支撑件上，用于实现显微成像与微纳光刻曝光；调焦机构，连接所述主光盒，用于驱动所述主光盒沿竖直方向移动以调整焦距；物镜转盘，与所述主光盒相连...
    2026-03-08
  • 一种图像曝光校正方法及系统
    一种图像曝光校正方法及系统_江西万年晟光智能科技有限公司_202511329463.7
    本发明提供了一种图像曝光校正方法及系统，所述方法包括获取待校正的输入图像，将所述输入图像及其反向图像进行多尺度分解，分别得到对应的低频分量和高频分量；利用神经网络对所述低频分量进行曝光校正处理，并对所述高频分量进行细节增强处理；将处理后的所...
    2026-03-08
  • 用于光刻的掩模数据处理方法及设备
    用于光刻的掩模数据处理方法及设备_光科芯图(北京)科技有限公司_202511365181.2
    本发明提供一种用于光刻的掩模数据处理方法及设备。应用于集成电路制造领域。该方法包括：S11，获取连续掩膜数据；S12，根据连续掩膜数据中各个孔位对应的透射率值确定离散阶梯值集合；S13，以离散阶梯值集合中的阶梯值为扩散目标，基于预设扩散路径...
    2026-03-08
  • 光刻机加工用恒温恒湿设备
    光刻机加工用恒温恒湿设备_托普斯(常州)精密机械有限公司_202511406188.4
    本发明涉及恒温恒湿设备领域，尤其涉及光刻机加工用恒温恒湿设备，机体内部配置有冷水盘管，冷水盘管上方依次配置有热水盘管、设备箱、电加热板、加湿器。本发明中，仅需在预热舱中集中升温后，舱内流通的沸腾清水在水泵组件作用下于设备箱、热水盘管、预热盘...
    2026-03-08
  • 一种半导体制造晶圆光刻装置
    一种半导体制造晶圆光刻装置_北京谦亨祥瑞科技有限公司_202511431988.1
    本发明属于半导体加工技术领域，公开了一种半导体制造晶圆光刻装置，包括底座，所述底座表面固定安装有竖板，所述竖板表面转动安装有固定盘，两组竖板之间设置有顶板，所述顶板底壁设置有光刻机，两组竖板之间设置有定位机构，所述定位机构包括有承载组件与输...
    2026-03-08
  • 一种光刻机载物台平整度实时监测方法、装置和设备
    一种光刻机载物台平整度实时监测方法、装置和设备_上海新微技术研发中心有限公司_202511477902.9
    本申请公开了一种光刻机载物台平整度实时监测方法、装置、设备和可读存储介质，涉及传感器技术领域。包括：先基于标准平面对目标位移测量传感器进行零点与漂移校正；目标位移测量传感器包括激光干涉式位移传感器、电容式间隙传感器和激光共焦位移传感器；激光...
    2026-03-08
  • 一种控制系统及方法
    一种控制系统及方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511483909.1
    一种控制系统及方法，涉及一种控制系统，包括：电磁阀、比较器、继电器以及机台；所述比较器的两个输入端分别连接所述电磁阀以及所述机台的测试点，通过比较电磁阀黑线电压以及机台测试点电压，输出控制所述继电器开关的电平信号；所述继电器与机台电线电连接...
    2026-03-08
  • 光刻机设备中FLS机构零平面的标定方法及光刻设备
    光刻机设备中FLS机构零平面的标定方法及光刻设备_上海新毅东半导体科技有限公司_202511572261.5
    本申请提供光刻机设备中FLS机构零平面的标定方法及光刻设备，涉及光刻机技术领域。该方法包括：确定工件台在不同移动高度时CCD探测器采集到的光斑位置，并基于移动高度以及各移动高度对应的光斑位置，构建得到光斑位置与被测面高度之间的关系模型，再将...
    2026-03-08
  • 一种表面等离子干涉光刻结构及其制造方法
    一种表面等离子干涉光刻结构及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511582295.2
    本申请公开了一种表面等离子干涉光刻结构及其制造方法，可应用于半导体技术领域，该表面等离子干涉光刻结构对应波长为190nm‑450nm的紫外光，包括：光栅结构、第一叠层结构、光刻胶层以及反射层；所述第一叠层结构、所述光刻胶层以及所述反射层依次...
    2026-03-08
  • 一种无机光刻胶硬度梯度动态成形方法及系统
    一种无机光刻胶硬度梯度动态成形方法及系统_连云港百利合新材料发展有限公司_202511712680.4
    本发明涉及光刻工艺技术领域，公开了一种无机光刻胶硬度梯度动态成形方法及系统，方法包括：接收待加工曝光图案、实时工艺参数数据和目标硬度分布图，输入改进的UNet深度卷积神经网络构建的硬度梯度预测模型，生成曝光剂量空间分布预测图；将其映射到含空...
    2026-03-08
  • 动态光刻对准补偿方法、光罩及光刻系统
    动态光刻对准补偿方法、光罩及光刻系统_上海华力集成电路制造有限公司_202511736798.0
    本发明涉及一种动态光刻对准补偿方法、光罩及光刻系统，方法包括：提供不同几何特征的测试光罩以及对应的GDS文件，并从所述GDS文件提取对应测试光罩上曝光区域的几何与布局特征；利用所述测试光罩进行曝光，获取对应的对准误差数据；测量曝光后各测试光...
    2026-03-08
  • 套刻标识及其套刻误差量测方法
    套刻标识及其套刻误差量测方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511736808.0
    本发明涉及一种套刻标识及其套刻误差量测方法，该套刻标识被划分为第一象限区、第二象限区、第三象限区和第四象限区，套刻标识包括当层套刻结构和前层套刻结构，当层套刻结构和前层套刻结构的图案分别设置于四个象限区内，在每个象限区内，当层套刻结构包括间...
    2026-03-08
  • 一种光源掩膜协同优化方法及装置
    一种光源掩膜协同优化方法及装置_华芯程(杭州)科技有限公司_202511783268.1
    本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种光源掩膜协同优化方法及装置，获取初始光源与初始掩膜图案；所述初始掩膜图案为二值化的图像；确定所述光源掩膜协同优化损失函数的函数值最小时对应的调整过的初始光源与调整过的初始掩膜图案为优化光源与优化掩膜...
    2026-03-08
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