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最新专利技术
  • 晶体管结构、垂直NAND闪存和方法
    晶体管结构、垂直NAND闪存和方法_IMEC非营利协会_202511589918.9
    提供了一种用于垂直NAND闪存器件的晶体管结构。该晶体管结构包括半导体沟道层，以及沿着第一轴布置在半导体沟道层的两个相对侧处的第一辅助层和第二辅助层，并且第一辅助层和第二辅助层中的每一个包括具有第一相对介电常数的第一材料，第一相对介电常数大...
    2026-05-11
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202610184145.4
    本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有外延层；依次形成多晶硅层和无定型碳层由下至上位于外延层上；形成图形化的光刻胶层位于无定型碳层上；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀无定型碳层形成暴露多晶硅层的开口；以及，执行离子...
    2026-05-11
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_美格纳半导体有限公司_202511511535.X
    本公开内容提供了半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括有源区域和结终端区域，该有源区域和该结终端区域各自包括：漏电极；第一导电类型的第一外延层，该第一外延层被设置在漏电极上；以及第一导电类型的第二外延层，该第二外延层被设置在第一...
    2026-05-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511511863.X
    一种半导体装置，具备第一导电型的漂移层(11)、第二导电型的体层(13)、下表面电极(28)、与栅极电极(20)连接的栅极布线(21)、栅极绝缘膜(19)以及上表面电极(26)。在体层的上表面侧的表层部中的位于栅极布线的下部的部分，形成有在...
    2026-05-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511590895.3
    半导体装置具备第一导电型的耐压保持层和与耐压保持层的上表面相接地配置的超结层。在超结层中，第一导电型的第一区域和第二导电型的第二区域沿着第一方向交替地重复配置。第二区域具备与耐压保持层相接的下侧第二区域及与下侧第二区域的上表面相接地配置的上...
    2026-05-11
  • 用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法
    用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法_威弗洛得有限公司_202511608983.1
    根据本发明的实施方式提供了一种用于高性能GaN开关功率器件的生长衬底晶片、使用其的外延晶片及其制造方法，该生长衬底晶片包括：Si(111)生长衬底；形成在所述Si(111)生长衬底上的第一AlN成核层；以及在所述第一AlN成核层上不连续地间...
    2026-05-11
  • 全环绕栅极场效应晶体管及其制作方法
    全环绕栅极场效应晶体管及其制作方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411587370.X
    本公开涉及一种全环绕栅极场效应晶体管及其制作方法，全环绕栅极场效应晶体管包括衬底、栅极以及栅氧化层，衬底包括相互连接的本体和硅柱，硅柱凸出于本体设置，硅柱包括导电沟道区以及分别形成在导电沟道区两侧的源极区和漏极区，导电沟道区设置在源极区与漏...
    2026-05-11
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510824254.3
    提供一种半导体器件，该半导体器件包括：下片状结构，包括交替堆叠的多个第一下半导体层和多个第二下半导体层；上片状结构，包括交替地堆叠在下片状结构上的多个第一上半导体层和多个第二上半导体层；下半导体图案，在下片状结构的至少一侧上；上半导体图案，...
    2026-05-11
  • 一种纳米半导体复合材料及其制备方法和应用
    一种纳米半导体复合材料及其制备方法和应用_贺州学院_202610184297.4
    本发明涉及半导体复合材料技术领域，且公开了一种纳米半导体复合材料及其制备方法和应用，包括衬底、过渡金属氮化物缓冲层和共掺杂氮化铝单晶薄膜；所述过渡金属氮化物缓冲层沉积于衬底的一侧表面，所述共掺杂氮化铝单晶薄膜生长于过渡金属氮化物缓冲层远离衬...
    2026-05-11
  • 一种极高空穴迁移率的新型ScAlN半导体材料及其制备方法与应用
    一种极高空穴迁移率的新型ScAlN半导体材料及其制备方法与应用_西安电子科技大学_202610194015.9
    一种极高空穴迁移率的新型ScAlN半导体材料及其制备方法与应用，该材料具有ScAlN数字合金结构，由基本重复单元(ScN)m/(AlN)n沿外延生长方向周期性交替堆叠而成；其中，(ScN)m代表m个原子层的ScN，(AlN)n代表n个原子层...
    2026-05-11
  • 一种基于刻蚀补偿和功率调制的亚微米栅极刻蚀方法
    一种基于刻蚀补偿和功率调制的亚微米栅极刻蚀方法_西安电子科技大学_202610136313.2
    本发明涉及一种基于刻蚀补偿和功率调制的亚微米栅极刻蚀方法，包括步骤：提供样片，样片包括钝化介质层以及位于钝化介质层上的光刻胶；对栅极区域的光刻胶进行图形化，形成光刻胶线条，其中，光刻胶线条的初始线宽小于目标栅极的长度；在第一刻蚀参数下，利用...
    2026-05-11
  • 栅极结构及其制造方法
    栅极结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411781963.X
    本发明提供一种栅极结构及其制造方法。所述栅极结构包括栅极组件、第一间隔件、顶盖层、硬掩模层以及第二间隔件。所述栅极组件设置于衬底上。所述第一间隔件设置于所述栅极组件的侧壁上。所述顶盖层设置于所述栅极组件的顶面上。所述硬掩模层设置于所述顶盖层...
    2026-05-11
  • 半导体器件以及制造半导体器件的方法
    半导体器件以及制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202511074523.5
    提供了一种具有改进的栅致漏极泄漏(GIDL)的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：沟槽，其形成在衬底中；第一栅电介质层，其适于覆盖沟槽的底表面和侧壁；第一掩埋导电层，其适于填充在第一栅电介质层之上的沟槽的底部；第二掩埋导电层，其包括导电...
    2026-05-11
  • 多悬浮屏蔽栅MOSFET及其制备方法
    多悬浮屏蔽栅MOSFET及其制备方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610109152.8
    本申请提供一种多悬浮屏蔽栅MOSFET及其制备方法，该屏蔽栅分为左、中、右三部分，左和右部分沿中间部分呈对称分布，中间部分的上部宽度大于下部宽度，中间部分的顶部高于左和右部分的顶部。该屏蔽栅的中间部分接源电极，左和右部分浮空，在阻断状态下，...
    2026-05-11
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202610213164.5
    半导体装置具有至少一个端子，该端子包括具有导电性的筒状的支架以及插入到上述支架的金属销。另外，上述半导体装置具备支撑上述支架的端子支撑体、以及覆盖上述支架的一部分及上述端子支撑体的封固树脂。上述封固树脂具有朝向厚度方向的一方侧的树脂主面。上...
    2026-05-11
  • 具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET
    具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET_瑞萨电子株式会社_202511425872.7
    本公开涉及具有集成多晶硅碳化硅异质结二极管的碳化硅MOSFET。一种半导体结构包括第一导电类型的半导体衬底。半导体衬底可以具有上表面和底表面。半导体衬底可以由多晶硅碳化物制成。半导体结构还可以包括位于半导体衬底的上表面上的第一导电类型的漂移...
    2026-05-11
  • 晶体管器件及其制作方法
    晶体管器件及其制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511931318.6
    本公开提供了一种晶体管器件及其制作方法。晶体管器件包括：沟道层、势垒层、栅极、第一电极、第二电极、第一连接块、第二连接块、介质层；所述势垒层层叠在所述沟道层上，所述介质层层叠在所述势垒层上，所述栅极位于所述介质层上；所述沟道层与所述势垒层的...
    2026-05-11
  • 一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路
    一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路_西安电子科技大学_202511986480.8
    本发明公开了一种横纵器件的单片集成结构及制作方法、等效电路，制作方法是一种工艺兼容的单片集成流程，避免了现有单片集成流程中二次外延等复杂工艺，使横向GaN低压晶体管和垂直GaN高压晶体管的制作步骤工艺冲突最小化，在单一芯片上实现了横向GaN...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202512012134.6
    一种制造半导体器件的方法，包括 : 在衬底上方交替地沉积牺牲层和沟道层，使得位于第一沟道层下方的第二沟道层薄于第一沟道层；图案化半导体堆叠件，以形成鳍；使鳍凹进，以形成源极/漏极开口；在源极/漏极开口中外延地沉积半导体材料，以形成源极/漏极...
    2026-05-11
  • 集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法
    集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610017933.4
    本发明提供一种集成多种应用电压MOSFET器件的工艺方法。该方法在半导体衬底上限定出第一、第二及第三电压器件区域。在形成第一和第二电压器件所需的阱区时，第三电压器件区域中的第一、第二导电类型器件分别借用第一或第二电压器件的对应阱区。利用新增...
    2026-05-11
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