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  • 本申请涉及一种适应于多种进料工况的加工设备及喷墨打印系统,包括:加工装置,其包括加工腔体、滑动板和支撑组件,支撑组件与滑动板在竖直方向上插接配合,支撑组件随滑动板适于从加工腔体的一侧开口滑出加工腔体;换向装置,其适于安装至加工腔体的开口处,...
  • 本申请实施例提供一种显示面板及显示装置,一种显示面板,包括:基板;隔离结构,设置于基板一侧,并围合成多个隔离开口,隔离结构包括靠近基板一侧的第一子层;发光功能层,至少部分位于隔离开口内,且沿平行于基板所在平面的方向,发光功能层和第一子层之间...
  • 本申请实施例提供一种像素排布结构、显示面板及显示装置,像素排布结构包括:多个发光像素,多个发光像素包括颜色相异的第一像素和第二像素;以及,感光像素,被配置为感测由多个发光像素中至少第一像素发出并经触摸主体反射至所述感光像素的光;其中,第一像...
  • 本申请公开了一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域。本申请提供的显示面板包括:衬底,以及位于衬底一侧的发光器件、第一金属环和多层无机功能层。由于多层无机功能层的至少一层中位于过渡区内的部分具有环槽,且环槽环绕开孔区分布,第一金属环中的至少...
  • 本申请提供了一种衬底基板、显示面板及显示装置,该衬底基板,包括:至少一个显示面板设置区域,被配置为用于进行至少一种第一像素的加工,所述至少一种第一像素成阵列排布;至少一个识别区域,设置有至少一个第二像素,所述至少一个第二像素被配置为按照所述...
  • 本申请提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法,显示面板包括阵列基板以及多个发光单元,阵列基板包括衬底和设于衬底一侧的多个像素电路,发光单元设置于阵列基板远离衬底的一侧,发光单元包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一电极、发光部以及第...
  • 本申请公开了一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置,显示面板,包括显示区以及和显示区相邻的非显示区,显示面板包括:基板;像素定义层,设于基板一侧,像素定义层包括位于显示区的第一部分和位于非显示区的第二部分,沿垂直于基板所在平面的方向,第二...
  • 一种显示面板及其制作方法,述显示面板具有贯穿显示面板的通孔,显示面板包括:衬底基板,衬底基板具有显示区及位于显示区内的通孔封装区,通孔封装区环绕通孔设置;无机层,位于衬底基板的显示区;至少一个第一隔离柱,位于通孔封装区、且环绕通孔设置;第一...
  • 本发明公开了一种显示面板及显示装置。显示面板具有两个相对的第一边框区和显示区;显示面板包括数据线和像素电路,像素电路包括存储电容;数据线沿第一方向延伸,并沿第二方向排列;第一边框区与显示区沿第二方向排列;显示区包括多个显示子区;沿第二方向,...
  • 本公开涉及显示技术领域,公开了一种显示面板和显示装置,显示面板的显示区包括电连接的第一参考电压线和第二参考电压线,第一参考电压线沿第一方向延伸,第二参考电压线沿第二方向延伸;显示区还包括沿第一方向延伸的第一导线,显示面板包括衬底、第一金属层...
  • 本文公开了一种显示面板、显示模组以及显示装置,显示面板包括基板和设置在基板上的多种颜色的发光器件,发光器件包括第一电极层、第一堆叠层、电荷产生层、第二堆叠层以及第二电极层;第二堆叠层包括彼此紧邻设置的红光发光层和绿光发光层,绿光发光层位于红...
  • 本发明公开了一种显示面板,该显示面板包括:多个叠层结构,叠层结构包括沿第一方向堆叠设置的发光器件和像素电极;公共电极层,位于多个叠层结构远离像素电极的一侧;反射层,至少包覆叠层结构的侧表面的一部分区域和第一面的一部分区域,第一面为像素电极远...
  • 本发明提供提供一种显示模组和显示装置,该显示模组中的发光元件位于阵列基板的一侧;发光元件在第一状态下的亮度大于在第二状态下的亮度;还包括位于发光元件远离阵列基板一侧的封装层;显示面板包括第一显示面板和第二显示面板;还包括位于封装层靠近阵列基...
  • 本发明公开了一种显示面板,该显示面板包括衬底、多个发光元件以及温感电容,衬底包括第一区域;发光元件位于衬底的一侧,且位于第一区域;温感电容位于第一区域;温感电容包括第一电容极板、第二电容极板以及位于第一电容极板和第二电容极板之间的介电层;第...
  • 本公开提供一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,该显示面板包括扫描电路和与扫描电路连接并向扫描电路提供信号的第一信号线,其中,扫描电路和第一信号线均位于显示区,扫描电路包括沿第一方向排列且级联的多个移位寄存器;显示面板还包括设置于显示区...
  • 本发明公开了一种倒装LED灯珠制备工艺包括制备碗杯状底座、预处理金属基板、支架装配、固晶和封胶等步骤,通过对金属基板预处理增强金属基板的机械强度和稳定性以及与底胶的结合力,以提高整个LED灯珠结构的抗折断能力,通过支架装配设计减少由于外界应...
  • 本发明公开了一种半导体光电探测器铟柱互连结构及其制作方法,铟柱互连结构包括设置在光电二极管芯片上的第一互连结构和设置在光电检测集成电路上的第二互连结构;所述第一互连结构包括介质层、第一UBM金属层和第一铟柱,所述介质层的中部设置有电极孔,所...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法,涉及光伏技术领域,能够解决现有技术中存在的电池丝网印刷工艺中网版损伤以及电池性能降低的技术问题。本实施例提供的太阳能电池的制备方法,包括:步骤S1:提供硅基衬底;步骤S2:在所述硅基衬底的正面和背面上...
  • 本发明属于半导体器件技术领域,提供了一种兼容BEOL且无迟滞的双极型SnO TFTs及制备方法。其中,晶体管包括衬底、底栅电极、叠层栅绝缘结构、半导体沟道层、源电极、漏电极和堆叠钝化结构;底栅电极设置在衬底的上表面;叠层栅绝缘结构包括由下至...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件的制造方法,在衬底表面上形成至少一个鳍形结构,鳍形结构包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层;从沿预设水平方向的至少一侧对鳍形结构下方的衬底进行刻蚀,以在鳍形结构的下方形成凹槽;在凹槽中填充形成绝缘部;去除...
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