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最新专利技术
  • 一种高压同轴线缆快插插头
    一种高压同轴线缆快插插头_成都川新甲科技有限公司_202510262606.0
    本发明公开了一种高压同轴线缆快插插头，同轴线缆包括外层和内层，外层端部设有编织铜丝，内层中部设有中心铜丝，其特征在于：包括快插母头和快插公头，快插公头上方设有束线底座，束线底座顶部连接有束线顶盖，束线顶盖与束线底座之间设有第一卡紧结构，快插...
    2026-01-25
  • 一种湿插拔插孔型电连接器及其控制方法
    一种湿插拔插孔型电连接器及其控制方法_浙江蓝梭海洋科技有限公司_202510259048.2
    本发明公开了一种电传输技术，旨在提供一种湿插拔插孔型电连接器及其控制方法，其技术方案要点是包括：壳体，用于容纳并固定所有组件，确保结构稳定；插孔组件，其左侧与前绝缘体紧密连接，右侧与后绝缘体连接，插孔组件包括多个插孔组件，用于提供电气接触；...
    2026-01-25
  • 二次电池、电化学装置、用电设备及二次电池的制备方法
    二次电池、电化学装置、用电设备及二次电池的制备方法_东莞新能源科技有限公司_202510265295.3
    本申请的实施例公开一种二次电池、电化学装置、用电设备及二次电池的制备方法，该二次电池包括电极组件、第一极耳和第二极耳。电极组件包括相对设置的第一边缘和第二边缘、相对设置的第三边缘和第四边缘、连接第二边缘和第三边缘的第五边缘、以及连接第一边缘...
    2026-01-25
  • 一种适用于低温环境的移动储能装置及预热方法
    一种适用于低温环境的移动储能装置及预热方法_重庆理工大学_202510262002.6
    本发明提供了一种适用于低温环境的移动储能装置及预热方法，属于储能系统技术领域。该装置包括储能电池组、箱体、水箱、PTC加热装置、循环水泵、储能变流器、中央控制系统和能量管理系统。预热方法根据环境温度决定策略：当环境温度低于零度时，由柴油发电...
    2026-01-25
  • 一种基于液冷的电池热管理结构
    一种基于液冷的电池热管理结构_西安交通大学_202510261992.1
    一种基于液冷的电池热管理结构，包括间隔布置的电池单体和不等间距流道冷板和两侧的流量分配结构；其中流量分配结构内设有均匀分布的圆柱体，可以保证冷却液流经后均匀分配到每一块冷板；不等间距流道冷板内部的不等间距流道结构可以调控高温区域与低温区域冷...
    2026-01-25
  • 醋酸纤维素改性的PEO基固态电解质膜、固态锂电池及其制备方法
    醋酸纤维素改性的PEO基固态电解质膜、固态锂电池及其制备方法_大连工业大学_202510263434.9
    本发明涉及固态锂电池技术领域，具体涉及醋酸纤维素改性的PEO基固态电解质膜、固态锂电池及其制备方法，制备方法包括：将双三氟甲磺酰亚胺锂、醋酸纤维素以及聚环氧乙烷溶解于溶剂中，得到混合溶液；将混合溶液置于模具中固化，得到醋酸纤维素改性的PEO...
    2026-01-25
  • 一种光催化/微生物耦合阳极微生物燃料电池及在强化降解磺胺甲噁唑中的应用
    一种光催化/微生物耦合阳极微生物燃料电池及在强化降解磺胺甲噁唑中的应用_哈尔滨工业大学_202510262337.8
    一种光催化/微生物耦合阳极微生物燃料电池及在强化降解磺胺甲噁唑中的应用，它涉及一种微生物燃料电池及其应用。针对磺胺甲噁唑这类典型难降解抗生素的降解处理，本发明提供一种光催化/微生物耦合阳极微生物燃料电池，可以通过微生物降解污染物产生的生物电...
    2026-01-25
  • 一种3d过渡金属M-稀土金属R双组分掺杂碳担载Pt催化剂及其制备方法与应用
    一种3d过渡金属M-稀土金属R双组分掺杂碳担载Pt催化剂及其制备方法与应用_海卓健新能源材料(上海)有限公司_202510259290.X
    一种3d过渡金属M‑稀土金属R双组分掺杂碳担载Pt催化剂及其制备方法与应用，它涉及以掺杂碳为载体担载Pt的催化剂及制法与应用，它是要解决现有的Pt/C催化剂的催化活性和稳定性差的问题，本催化剂是Pt纳米颗粒担载在M‑R双组分掺杂碳载体上，其...
    2026-01-25
  • 一种空心纳米笼负载高熵合金的电催化剂及其制备方法和应用
    一种空心纳米笼负载高熵合金的电催化剂及其制备方法和应用_中国矿业大学(北京)_202510258794.X
    本发明属于氧还原催化剂技术领域，公开了一种空心纳米笼负载高熵合金的电催化剂及其制备方法和应用。通过乳液聚合法合成PS球，将2‑甲基咪唑与钴、锌硝酸盐在甲醇中制备的溶液与PS球混合搅拌和陈化，再加入铁、镍、铜的金属前驱体，经洗涤干燥、热处理及...
    2026-01-25
  • 一种复合正极及其制备方法、一种锂电池及其制备方法
    一种复合正极及其制备方法、一种锂电池及其制备方法_万向一二三股份公司_202510261605.4
    本发明提供一种复合正极及其制备方法、一种锂电池及其制备方法，涉及锂离子电池材料技术领域；其中，复合正极包括无机氧化物固态电解质和补锂剂的固态电解质涂层，同时提升了锂电池的高温安全性、倍率性能及循环稳定性；相较于常规电极涂层，该固态电解质涂层...
    2026-01-25
  • 一种稳定水系锌离子电池锌负极的方法
    一种稳定水系锌离子电池锌负极的方法_阜阳师范大学_202510261782.2
    本发明公开了一种稳定水系锌离子电池锌负极的方法，属于水系锌离子电池技术领域，本发明将双季戊四醇(DPE)涂覆在锌片表面形成涂层，所述涂层的厚度为10～30μm，将其作为水系锌离子电池的负极，在水系锌离子电池循环期间，DPE层持续发挥作用，实...
    2026-01-25
  • 一种具有抗SEB能力的β-Ga2O3肖特基势垒二极管
    一种具有抗SEB能力的β-Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>肖特基势垒二极管_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202510261978.1
    本发明公开了一种具有抗SEB能力的β‑Ga2O3肖特基势垒二极管，具体涉及肖特基势垒二极管技术领域，包括肖特基势垒二极管本体、固定机构和散热组件；肖特基势垒二极管本体包括连接主体和连接脚；连接主体...
    2026-01-25
  • 晶圆传送盒及其操作方法
    晶圆传送盒及其操作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510265158.X
    本发明提供一种晶圆传送盒及其操作方法。其中，所述晶圆传送盒是在晶圆盒本体的基础上设置了锁定装置。且所述锁定装置包括转动轴、锁止件和弹性件；当所述弹性件呈伸长状态时，所述锁止件与所述转动轴相卡接，以锁定所述转动轴，使得开关结构呈锁定状态，进而...
    2026-01-25
  • 高速高精度芯片切筋成型与加工一体机
    高速高精度芯片切筋成型与加工一体机_安徽积芯微电子科技有限公司_202510263265.9
    本发明公开了高速高精度芯片切筋成型与加工一体机，涉及芯片加工技术领域，包括机架,所述机架上设置有用于传送待切割芯片基板的传送机构，该装置还包括用于对待切割芯片基板的底部进行支撑限位的下压切机构、用于对待切割芯片基板进行切筋成型的上压切机构、...
    2026-01-25
  • 一种用于半导体加工的晶圆清洗设备及方法
    一种用于半导体加工的晶圆清洗设备及方法_苏州市台创电子有限公司_202510260738.X
    本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种用于半导体加工的晶圆清洗设备及方法，包括安装架体，所述安装架体的内侧安装有储存箱，所述储存箱的顶部一侧连通有清洗箱，所述清洗箱的内侧通过轴承活动连接有传动轴，所述传动轴的外侧固定连接有多个转动轮，所述...
    2026-01-25
  • 一种基于抛光的硅晶片清洁装置
    一种基于抛光的硅晶片清洁装置_济南凯泰电子科技有限公司_202510258186.9
    本发明属于硅晶片清洗技术领域，公开了一种基于抛光的硅晶片清洁装置，包括主体，主体的顶面开设有清洗槽，清洗槽中设有硅晶片，清洗槽中设有用于清洁硅晶片表面杂质的清洁组件，清洁组件中，当导气板和定位块对接硅晶片进行夹持定位后，通过鼓风机的作用，导...
    2026-01-25
  • 一种三维堆叠芯片及测试方法
    一种三维堆叠芯片及测试方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202510260898.4
    本发明公开一种三维堆叠芯片及测试方法，三维堆叠芯片包括：至少两个待测晶圆；至少两个待测晶圆包括第一待测晶圆以及第二待测晶圆，第一待测晶圆与第二待测晶圆堆叠设置，并通过连接层连接；第一待测晶圆上设有第一测试电路，第二待测晶圆上设有第二测试电路...
    2026-01-25
  • 一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法及封装结构
    一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法及封装结构_华天科技(昆山)电子有限公司_202510260487.5
    本发明公开了一种高深宽比大角度硅基斜孔的干法刻蚀方法，其提高了硅基斜孔的深宽比，且操作步骤简单，从而提升封装结构的性能，且确保单位面积的封装结构的密度可以提高。其特征在于：斜孔采用先通过Bosch工艺在硅槽内刻蚀出直孔结构，再通过非Bosc...
    2026-01-25
  • 半导体加工方法及半导体结构
    半导体加工方法及半导体结构_上海积塔半导体有限公司_202510263017.4
    本申请提供了一种半导体加工方法及半导体结构。该半导体加工方法包括：提供衬底，于衬底上形成基底材料层；于基底材料层上形成第一光刻胶层，并对第一光刻胶层进行曝光显影，以形成第一图形化光刻胶层；对第一图形化光刻胶层进行固化处理，以形成第一转移图形...
    2026-01-25
  • 一种多栅极可寻址冷阴极平板X射线源
    一种多栅极可寻址冷阴极平板X射线源_广西民族大学_202510262644.6
    本发明属于真空微纳电子技术领域，具体涉及一种多栅极可寻址冷阴极平板X射线源，平板X射线源由可寻址的纳米冷阴极电子源阵列阴极基板和金属靶阳极组成，冷阴极电子源阵列每个单元的栅极和阴极采用同心结构，并且栅极和阴极相互环绕，形成多栅极调控，以此来...
    2026-01-25
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