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最新专利技术
  • 固态电解质、固态电池及用电装置
    固态电解质、固态电池及用电装置_苏州清陶新能源科技有限公司_202510393151.6
    本申请涉及电池技术领域，特别是涉及一种固态电解质、固态电池及用电装置。固态电解质包括：电解质基体；以及包覆层，包覆于所述电解质基体的至少部分表面，所述包覆层包括具有羟基和/或氨基的包覆材料；其中，所述包覆材料的羟基和/或氨基能够与电极活性材...
    2025-12-23
  • 基于方壳电芯成组的多模组夹液冷板入箱方法及装置
    基于方壳电芯成组的多模组夹液冷板入箱方法及装置_重庆赣锋动力科技有限公司_202510394535.X
    本发明涉及电池模组装配技术领域，公开了基于方壳电芯成组的多模组夹液冷板入箱装置，包括支架，支架的底部设有吸盘机构和夹持机构；吸盘机构包括沿X轴方向布置的海绵吸盘，用于吸附多模组顶部；夹持机构包括若干沿Y轴方向分布的抓夹，用于夹持多模组两端端...
    2025-12-23
  • 一种燃料电池系统测试设备及其使用方法
    一种燃料电池系统测试设备及其使用方法_广东云韬氢能科技有限公司_202510388633.2
    本发明属于燃料电池领域，具体涉及一种燃料电池系统测试设备及其使用方法。在测试间内设置有氢气输送管道和燃料电池系统测试模块；所述氢气输送管道由测试间外的气源提供氢气，通过管道连接至测试间内部后与室外连接；所述氢气输送管道还与燃料电池系统测试模...
    2025-12-23
  • 一种一体式集流端板及空冷电堆与制备方法
    一种一体式集流端板及空冷电堆与制备方法_广东云韬氢能科技有限公司_202510388605.0
    本发明属于燃料电池领域，具体涉及一种一体式集流端板及空冷电堆与制备方法。本发明空冷电堆包括一体化集流端板和堆芯；所述一体化集流端板由绝缘端板和集流板组成；绝缘端板和集流板之间为一体成型结构；所述堆芯的两侧分别设置有一体化集流端板，所述堆芯两...
    2025-12-23
  • 一种高CO耐受性过渡金属掺杂Pt纳米团簇/单原子催化剂及其制备方法和应用
    一种高CO耐受性过渡金属掺杂Pt纳米团簇/单原子催化剂及其制备方法和应用_中国科学院过程工程研究所_202510386623.5
    本发明提出了一种高CO耐受性过渡金属掺杂Pt纳米团簇/单原子催化剂及其制备方法和应用，属于燃料电池催化剂技术领域。本发明所述制备方法包括：将铂前驱体、过渡金属前驱体、碳载体和多元醇混合溶剂配制混合液，将混合溶液在惰气氛围中进行反应，反应结束...
    2025-12-23
  • 一种含双功能氧电极单原子催化剂的低电势差的锌空气电池
    一种含双功能氧电极单原子催化剂的低电势差的锌空气电池_中山大学_202510386695.X
    本发明专利涉及化学能源技术领域，特别涉及一种含双功能氧电极单原子催化剂的低电势差的锌空气电池。本发明开发一种高效的过渡金属‑氮‑碳(M‑N‑C)材料用于锌空气电池空气电极的单原子催化剂，提升催化剂的ORR和OER活性，改善组装后的锌空气电池...
    2025-12-23
  • 锂金属负极修饰层、锂金属负极、锂金属电池及制备方法
    锂金属负极修饰层、锂金属负极、锂金属电池及制备方法_深圳市清新电源研究院_202510388235.0
    本发明提供了锂金属负极修饰层、锂金属负极、锂金属电池及制备方法，属于电池技术领域。本发明所述锂金属负极修饰层，所述修饰层包含氧化锆薄膜以及复合于所述氧化锆薄膜表面的磺酸基团；通过将氧化锆薄膜浸泡在磺酸溶液中然后取出依次进行洗涤、烘干操作，得...
    2025-12-23
  • 一种改性锂金属负极及其制备方法与应用
    一种改性锂金属负极及其制备方法与应用_深圳市清新电源研究院_202510388232.7
    本发明提供了一种改性锂金属负极及其制备方法与应用，属于锂电池技术领域。本发明所述改性锂金属负极，包括负极导电基底及在负极导电基底表面形成的界面钝化层，所述的界面钝化层包含氧化锂、硫化锂、氮化锂、氟化锂、氟碳化合物；界面钝化层通过将锂金属放入...
    2025-12-23
  • 硅碳负极材料及其制备方法、负极极片及二次电池
    硅碳负极材料及其制备方法、负极极片及二次电池_浙江锂威能源科技有限公司_202510406191.X
    本发明公开一种硅碳负极材料及其制备方法、负极极片及二次电池，所述硅碳负极材料包括负载纳米硅的石墨化多孔炭基体，所述硅碳负极材料的XRD图谱中，(002)晶面衍射峰位于衍射角2θ为27.8°至28.8°处，所述(002)晶面衍射峰的半峰宽为F...
    2025-12-23
  • 硅碳负极材料、制备方法及其应用
    硅碳负极材料、制备方法及其应用_盛虹动能科技(泰州)有限公司_202510394024.8
    本发明公开了一种硅碳负极材料、制备方法及其应用，包括硅核；包裹所述硅核的碳壳；多个定向排列的石墨烯片，所述石墨烯片一端与硅核接触，另一端延伸至与碳壳接触，且相邻石墨烯片之间形成空隙。该结构通过石墨烯片的定向排列和碳壳的致密包覆协同作用，显著...
    2025-12-23
  • 负极极片及其制备方法、二次电池、用电装置
    负极极片及其制备方法、二次电池、用电装置_苏州清陶新能源科技有限公司_202510396042.X
    本申请涉及一种负极极片及其制备方法、二次电池、用电装置。负极极片包括：网络支撑体，包括碳材料和纤维素；以及负极活性物质，分散于所述网络支撑体内，所述负极活性物质包括硅基材料，所述硅基材料的含量沿所述网络支撑体的厚度方向呈梯度分布。本申请提供...
    2025-12-23
  • 一种高首效干法复合石墨电极
    一种高首效干法复合石墨电极_长三角物理研究中心有限公司_202510395027.3
    本发明公开了一种高首效干法复合石墨电极，包括石墨、导电碳材料、PTFE粘接剂以及含硼锂盐，其中，石墨、导电碳材料、PTFE粘接剂以及含硼锂盐的质量分数之比为X:(100‑X‑Y‑Z):Z:Y，其中，90≤X＜98，1≤Z≤2，0.2≤Y＜(...
    2025-12-23
  • 锂离子电池、正极极片的制备方法
    锂离子电池、正极极片的制备方法_苏州清陶新能源科技有限公司_202510395555.9
    本申请涉及一种锂离子电池、正极极片的制备方法。锂离子电池包括正极极片，正极极片包括正极层和正极集流体，正极层包括正极活性材料，正极活性材料包括锰酸锂、富锂锰基材料以及磷酸锂盐，其中，锰酸锂的粒径＞富锂锰基材料的粒径＞磷酸锂盐的粒径；锂离子电...
    2025-12-23
  • 半导体工件的传输设备
    半导体工件的传输设备_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202510390488.1
    本公开提供了一种半导体工件的传输设备，涉及半导体设备技术领域。半导体工件的传输设备，包括：化学过滤器，用于对气体进行过滤；第一加热装置，设置在化学过滤器的输出侧，用于对气体进行加热；第二加热装置，设置在第一加热装置背离第一加热装置的一侧，用...
    2025-12-23
  • 一种低翘曲度硅桥嵌入式结构的制备方法
    一种低翘曲度硅桥嵌入式结构的制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202510393053.2
    本发明公开一种低翘曲度硅桥嵌入式结构的制备方法，属于集成电路领域。本发明提供一个具有内部布线层和顶层超高铜柱的晶圆载板；通过高精度装片技术将硅桥芯片贴装在所述晶圆载板顶层布线层的指定区域；依靠定制化的退火整平治具将完成硅桥芯片贴装的晶圆载板...
    2025-12-23
  • 一种加热盘
    一种加热盘_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202510399218.7
    本发明提供了一种加热盘。所述加热盘包括承载区、边缘区及隔离区。所述承载区用于承载待加工的晶圆。所述边缘区的外侧设有陶瓷套，用于避免所述加热盘的边缘与其所在的工艺腔室侧壁产生电弧放电。所述隔离区设于在所述承载区与所述边缘区之间，并具有适应所述...
    2025-12-23
  • 一种激光雷达的垂直腔面发射激光器芯片生产用刻蚀装置
    一种激光雷达的垂直腔面发射激光器芯片生产用刻蚀装置_中达祥光(昆山)科技有限责任公司_202510390625.1
    本发明涉及一种激光雷达的垂直腔面发射激光器芯片生产用刻蚀装置，属于激光雷达生产技术领域，该一种激光雷达的垂直腔面发射激光器芯片生产用刻蚀装置，包括刻蚀室、保护气体气源、刻蚀气体气源、保护气输气管，还包括：预热机构；气动切换机构；注气清理机构...
    2025-12-23
  • 一种扫描电子显微镜聚焦方法、装置、设备及介质
    一种扫描电子显微镜聚焦方法、装置、设备及介质_北京中科科仪股份有限公司_202510391085.9
    本发明涉及电子显微镜技术领域，公开了一种扫描电子显微镜聚焦方法、装置、设备及介质.方法包括：通过扫描电子显微镜采集待测样品的样品图像；根据样品图像的灰度值计算样品图像的二次电子平均能量；基于二次电子平均能量和静电加速管的电子电荷量确定静电加...
    2025-12-23
  • 一种晶面可调控的CdS半导体光电极及其制备方法和应用
    一种晶面可调控的CdS半导体光电极及其制备方法和应用_东南大学_202510391280.1
    本发明公开了一种晶面可调控的CdS半导体光电极及其制备方法和应用，属于电极领域。上述CdS半导体光电极的制备方法包括以下步骤：(1)将水溶性镉盐和硫源溶于溶剂中混合得反应液，再将FTO玻璃以导电面朝下的方式置于上述反应液中，进行水热反应；(...
    2025-12-23
  • 应用于真空灭弧室的静导电杆及真空灭弧室
    应用于真空灭弧室的静导电杆及真空灭弧室_广东电网有限责任公司广州供电局_202510394019.7
    本申请涉及一种应用于真空灭弧室的静导电杆及真空灭弧室。静导电杆包括静触头和静电杆，沿静电杆的长度方向，静电杆的一端与静触头固定连接；静电杆内设置有换热流道，换热流道沿静电杆的轴向延伸设置，换热流道被配置为供换热介质流动。由此，根据本申请的静...
    2025-12-23
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