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  • 本发明公开了一种石墨烯基铅蓄电池负极铅膏及其制备方法与应用,属于铅酸蓄电池技术领域。所述负极铅膏按照重量份数计,包括以下组分:铅粉90—110份;石墨烯/碳纳米管@PTFE复合乳液6—8份;去离子水12—18份;硫酸7—12份。所述制备方法...
  • 本发明公开了一种基于构建多孔缓冲层提升硅碳负极锂电池热稳定性的方法。基于构建多孔缓冲层提升硅碳负极锂电池热稳定性的方法,通过在锂电池硅碳负极极片上涂覆多孔缓冲层,所述的多孔缓冲层由如下步骤制备得到:将负极粘结剂溶于去离子水调配成粘液,将羟基...
  • 一种正极材料及其制备方法、正极极片和二次电池,正极材料包括含锂磷酸盐和碳材料,正极材料在拉曼光谱曲线的1000cm‑1~1700cm‑1波长范围内具有G峰,G峰包括位于峰值两侧的第一区域和第二区域...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体涉及一种硅‑碳复合材料及其制备方法、负极片和电池。所提供的硅‑碳复合材料,包括:内核,所述内核包含硅碳;中间层,包覆在所述内核的至少部分表面,所述中间层包含硅氧;第一碳包覆层,包覆在所述中间层的至少部分表面;第二...
  • 本发明公开了一种静电纺丝自支撑负极材料的制备方法及其在锂离子电池中的应用。该方法通过静电纺丝,将有机硅球掺入纺丝纤维中,起到包覆和固定的作用,通过调整前驱纺丝液比例和纺丝参数,从而实现硅碳自支撑负极材料的最佳电化学性能。
  • 本申请公开了一种硅基复合材料、负极极片与二次电池,属于电池技术领域。该产品基于以纳米尺寸的硅碳复合颗粒作为内核,同时以纳米片状的锌咪唑骨架的MOF材料ZIF‑90的衍生碳纳米片作为外壳构建核壳结构,不仅可以实现良好的硅元素体积效应限制作用,...
  • 本发明涉及钠离子电池技术领域,具体而言,涉及一种正极材料及其制备方法、正极片、钠离子电池和用电设备。正极材料的结构式为NaxMO2‑yA‑zF;NaxMO2
  • 本发明属于碳材料制备及钠离子电池技术领域,具体涉及一种基于氧磷共掺杂的碳纳米材料及其应用,结合预氧化和磷掺杂制备的氧磷共掺杂碳纳米材料可以作为钠离子电池的负极材料,利用氧磷共掺杂的协同效应,这不仅引入了更多活性位点,扩大层间距,还显著提高了...
  • 本发明公开了一种铅酸蓄电池负极铅膏及其制备方法,属于铅酸蓄电池技术领域。所述铅酸蓄电池负极铅膏,按照重量份数计,包括以下组分:铅粉100份;乙炔黑1—3份;木素/石墨烯/纳米氧化铅纳米复合材料3—5份;腐殖酸0.5—1.5份;短纤维0.3—...
  • 本发明涉及电池技术领域,具体涉及一种负极片及其制备方法和电池。所提供的负极片,包括:集流体;预涂层,设置于所述集流体沿厚度方向的至少一侧表面,所述预涂层包括碳材料;第一活性物质层,设置于所述预涂层的远离所述集流体的表面,所述第一活性物质层包...
  • 本发明公开了一种基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法,包括基板,所述基板的内部嵌入式安装有吸波层,所述基板上安装有铜线层,所述铜线层上喷涂有热过度层;所述热过渡层上安装有GaN芯片,所述GaN芯片的栅极区上垂直阵列有碳纳米管,...
  • 本发明属于散热器技术领域,具体涉及一种功率半导体用散热器及其装配方法。本发明的散热器包括散热底板、散热板和散热壳体,散热底板用于连接功率半导体器件和散热板,散热底板和散热板通过真空钎焊或压力烧结工艺形成散热底板‑散热板结合体,散热底板‑散热...
  • 本发明提供一种半导体器件及接触结构的制作方法,该接触结构的制作方法包括以下步骤:提供一至少包括第一结构及上表面低于第一结构上表面的第二结构的半导体结构;形成覆盖半导体结构上表面的阻挡层及覆盖阻挡层上表面的介电层;采用第一刻蚀剂同步去除第一和...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种晶圆驱动机构及晶圆姿态检测方法。晶圆驱动机构包括:驱动组件,驱动组件用于驱动晶圆运动,使晶圆的姿态发生变化;检测组件,检测组件用于检测晶圆的姿态变化是否正确,检测组件包括参照件、检测件和数据处理单元,...
  • 本申请涉及固晶技术领域,具体公开了一种共晶机用预热装置及预热方法,其包括安装座,所述安装座内设有加热件,所述加热件能够将热量传递至安装座,所述安装座的底侧开设有安装槽;吸嘴,包括相连的吸附头与吸管,所述吸附头安装于所述安装槽内且所述吸附头的...
  • 本发明公开了一种工件装配生产线,包括多组工件贴装装置和多组固化输送装置,多组工件贴装装置包括用于输送第一工件的第一上料机构、用于输送第二工件的第二上料机构、对第二工件裁切的裁切装置、对第二工件点胶的点胶装置和将第一工件和第二工件进行贴装的贴...
  • 本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,尤其涉及一种解决双面封装植球球高的方法,包括以下步骤:S1.将元器件和芯片贴装在载板上表面,将功能器件贴装在载板下表面,并在载板下表面进行植球,形成整齐排列的锡球;S2.对载板上下表面进行环氧树脂塑封,...
  • 半导体结构的制造方法包括以下步骤。接收基板,其中基板具有功能区域和围绕功能区域的虚拟区域。于同一工艺步骤中在功能区域上形成功能图案并在虚拟区域上形成虚拟图案,其中功能图案与虚拟图案之间的最近距离为15纳米至50纳米。移除虚拟图案。此半导体结...
  • 本发明公开了一种户外高压跌落式熔断器绝缘护套,涉及跌落式熔断器技术领域,包括主体和卡扣,所述主体上设置多个穿孔,对应的两个穿孔上穿设有卡扣;所述卡扣上开设有环槽,所述环槽的内部设置有固定组件,所述固定组件包括定弧架、动弧架、第一转板和第二转...
  • 本发明提供的一种并联双机械开关切换双线圈节能三相交流接触器,采用双线圈方式,启动时起动线圈功能,由于单线圈电阻小使得流过线圈的电流为大电流,能产生较大的电磁力使得接触器主触点完成接通,并在接通的同时通过驱动部分将线圈两个并联辅助触点断开,使...
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