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最新专利技术
  • 高压静电放电装置
    高压静电放电装置_格芯新加坡私人有限公司_202510202900.2
    本公开涉及半导体结构， 更具体地说， 涉及高压静电放电装置和制造方法。该结构包括：半导体材料， 其包括发射极区、基极区和集电极区；热生长绝缘体区， 其位于半导体材料上且在基极区和集电极区的结上方延伸；第一场板， 其位于热生长绝缘体区上， 第...
    2025-11-14
  • 显示面板和包括该显示面板的显示装置
    显示面板和包括该显示面板的显示装置_三星显示有限公司_202510935517.8
    公开了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置。所述显示面板包括：基底；晶体管， 位于基底上；存储电容器， 位于基底上并且电连接到晶体管；金属层， 位于基底与晶体管之间；第一绝缘层， 位于金属层上并且具有第一接触孔；以及布线， 通过第一接触孔...
    2025-11-14
  • 一种阵列基板、显示面板及显示装置
    一种阵列基板、显示面板及显示装置_南京京东方显示技术有限公司_202410445194.X
    本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置， 该阵列基板包括：衬底基板；薄膜晶体管， 位于所述衬底基板的一侧；保护层， 位于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧， 所述保护层在所述衬底基板的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管在所述衬底基板的正投...
    2025-11-14
  • 基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法
    基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法_华南理工大学_202511317280.3
    本发明公开了一种基于ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管的CMOS反相器及双温双气氛制备方法。本发明利用双温双气氛集成法解决了ITZO薄膜晶体管与碳基晶体管单片集成时工艺不兼容的问题， 将整个器件先在空气或氧气环境中240‑260 ℃退火20‑4...
    2025-11-14
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510853232.X
    本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件， 包括有源区、前侧电源轨、背侧电源轨和在前侧电源轨与背侧电源轨之间延伸且电耦合它们的第一电源抽头结构。沿第一轴， 有源区包括第一有源区域部分和与第一有源区域部分连续的第二有源区域部分。沿与所述第...
    2025-11-14
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510727320.5
    集成电路(IC)器件包括器件堆叠件、顶部接触结构、底部接触结构、导体、通孔互连件和背侧电源轨。器件堆叠件包括底部半导体器件以及沿厚度方向堆叠在底部半导体器件上方的顶部半导体器件。顶部接触结构位于顶部半导体器件的源极/漏极上方并且与顶部半导体...
    2025-11-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510069282.9
    本发明提供了一种半导体器件和制造半导体器件的方法， 该半导体器件可以包括包含第一区域和第二区域的半导体基板、在第一区域上的第一栅极结构以及在第二区域上的第二栅极结构。第一栅极结构和第二栅极结构中的每个可以包括金属图案、在半导体基板和金属图案...
    2025-11-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411680414.3
    一种半导体器件可以包括衬底、下沟道图案、下源/漏图案、上沟道图案、上源/漏图案和间隙填充绝缘图案。间隙填充绝缘图案的侧表面面向下源/漏图案的侧表面和上源/漏图案的侧表面。间隙填充绝缘图案具有凹陷顶表面， 并且间隙填充绝缘图案的凹陷顶表面与衬...
    2025-11-14
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510283000.5
    一种半导体器件， 包括：第一有源图案和第二有源图案， 在第一方向上延伸， 第二有源图案在竖直方向上与第一有源图案间隔开；第一栅极结构， 在第一有源图案和第二有源图案上并且在第二方向上延伸；第一切割图案， 在第二方向上与第一有源图案和第二有源...
    2025-11-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510057256.4
    一种半导体装置包括：第一晶体管， 其包括第一栅电极、第一栅极电介质层、第一源极/漏极区域、第二源极/漏极区域和第一沟道区域；第二晶体管， 其位于与第一晶体管相同的水平处， 第二晶体管包括第二栅电极、第二栅极电介质层、第三源极/漏极区域、第四...
    2025-11-14
  • 集成电路器件
    集成电路器件_三星电子株式会社_202411947777.9
    一种集成电路器件包括：基板， 包括在第一方向上彼此间隔开并且在第二方向上突出的鳍型有源区， 在鳍型有源区之间设有分隔凹槽；片层分隔壁， 包括下片层分隔壁和位于下片层分隔壁上的上片层分隔壁， 片层分隔壁沿着分隔凹槽在第三方向上延伸；片层阻挡图...
    2025-11-14
  • 半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法
    半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411693473.4
    本发明提供了一种半导体器件， 包括：电力分配网络层， 在衬底的下表面上；栅电极， 在衬底上；第一源/漏图案和第二源/漏图案， 在衬底上， 第一源/漏图案和第二源/漏图案各自包括彼此间隔开的第一图案和第二图案， 栅电极在第一图案与第二图案之间...
    2025-11-14
  • 基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件
    基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件_原集微科技(上海)有限公司_202511340206.3
    本发明公开了一种基于掺杂制备二维半导体材料CMOS器件的方法及CMOS器件， 其中制备方法包括在二维半导体表面制备nMOSFET和pMOSFET的源极和漏极， 之后依次定义二维半导体沟道区域、定义p掺杂区域并掺杂、制备硬质掩膜层、在硬质掩膜...
    2025-11-14
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510433480.9
    一种半导体器件包括：衬底， 所述衬底包括有源区域；栅极结构， 所述栅极结构与所述衬底的所述有源区域交叉并且在第一水平方向上延伸；以及位线结构， 所述位线结构在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上横跨所述栅极结构延伸。所述栅极结构包括设置在...
    2025-11-14
  • 碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置
    碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置_株式会社电装_202510452614.1
    提供碳化硅半导体晶片及其制造方法、碳化硅半导体装置。在SiC半导体晶片中， 形成在SiC半导体衬底(10)之上的SiC半导体层(20)由第一层(21)和第二层(22)构成。关于第一层(21)和第二层(22)， 将各1层作为组， 至少各形成1...
    2025-11-14
  • 金刚石基ScAlN/氮化镓异质结构及其制备方法
    金刚石基ScAlN/氮化镓异质结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202510883546.4
    本发明提供了一种金刚石基ScAlN/氮化镓异质结构及其制备方法， 其中， 金刚石基ScAlN/氮化镓异质结构包括依次敷设的金刚石衬底、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层以及氮化镓外延层， 金刚石衬底一侧凸起形成有多个微柱；第一过渡层敷设在金...
    2025-11-14
  • 功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法
    功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511202317.8
    本申请提供了一种功率半导体器件和功率半导体器件的制备方法。功率半导体器件包括：衬底；外延层， 位于衬底的一侧， 外延层包括沿第一方向交替排布的第一掺杂区和外延区， 相邻的第一掺杂区和外延区形成超结结构， 第一方向与衬底的厚度方向垂直；在第二...
    2025-11-14
  • 一种多层外延片及其制备工艺
    一种多层外延片及其制备工艺_中环领先半导体科技股份有限公司_202510894135.5
    本申请提供一种多层外延片及其制备工艺， 在晶向为<100>的N型导电衬底上依次层叠多层外延层， 各个外延层的厚度依次降低且其电阻率依次增加；且其外延总膜厚为9.5‑10.5μm。本申请打破传统单层或双层外延片的限制， 采用在低阻N型砷掺杂硅...
    2025-11-14
  • 应用于N-P型外延的终端结构
    应用于N-P型外延的终端结构_湖北九峰山实验室_202510795151.9
    本发明提供了一种应用于N‑P型外延的终端结构， 包括漏极、衬底、N‑外延层、P‑外延层、源极以及第二介质层， P‑外延层包括N型通道和多个沟槽， N型通道贯穿P‑外延层设置， N型通道的一端与N‑外延层连通， 另一端与P‑外延层远离N‑外延...
    2025-11-14
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510216592.9
    一种半导体装置包括：基底；有源图案， 在底上， 并且在第一水平方向上延伸；至少一个第一纳米片， 堆叠在有源图案上， 并且在竖直方向上彼此间隔开；至少一个第二纳米片， 堆叠在有源图案上， 并且在竖直方向上彼此间隔开；沟槽， 在所述至少一个第一...
    2025-11-14
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