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最新专利技术
  • 一种MOS器件及其制作方法
    一种MOS器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410491401.5
    本发明提供一种MOS器件及其制作方法， 该方法采用快速热氧化法在半导体衬底表面形成基础氧化层， 并在基础氧化层中引入氮直至其中的平均氮浓度达到预设值， 且氮离子浓度最大处远离基础氧化层/半导体衬底的界面分布， 然后进行氮化后退火处理并制作P...
    2025-11-22
  • 一种功率半导体器件封装结构和芯片
    一种功率半导体器件封装结构和芯片_珠海零边界集成电路有限公司_202511031859.3
    本发明实施例提供了一种功率半导体器件封装结构和芯片， 该功率半导体器件封装结构， 包括：多个功率半导体器件模组；各个功率半导体器件模组依次包括：下层金属板、绝缘基板、上层金属板和功率半导体器件；多个功率半导体器件模组依次叠加， 相邻的功率半...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202510993537.0
    本说明书公开的半导体装置具备第1半导体元件、第1导体板、第1绝缘层和导体电路图案。第1半导体元件具有设有第1电极及第2电极的一个表面和位于一个表面的相反侧的另一表面。第1导体板具有与第1半导体元件的一个表面对置的第1表面， 在第1表面中与第...
    2025-11-22
  • 功率模块及其适用的电源装置
    功率模块及其适用的电源装置_台达电子工业股份有限公司_202510975922.2
    本发明提供一种功率模块及其适用的电源装置。功率模块包括第一MOSFET、第二MOSFET、第一源极引脚、第一漏极引脚以及第二漏极引脚。第一MOSFET包括第一漏极和第一源极。第二MOSFET包括第二漏极和第二源极。第二MOSFET和第一MO...
    2025-11-22
  • 一种高压硅堆及其生产方法及其组装用升降装置
    一种高压硅堆及其生产方法及其组装用升降装置_常州银河电器有限公司_202510975381.3
    本发明涉一种高压硅堆及其生产方法及其组装用升降装置， 高压硅堆采用圆柱体轴向引线加方铜粒组合的结构， 圆柱形轴向引线， 同时铜粒与芯片采用单元化设计， 由铜粒夹多层芯片形成单元结构， 再以这种单元结构重复焊接， 配合升降装置和组装方法， 一...
    2025-11-22
  • 一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件
    一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511378656.1
    本披露公开了一种金属硅化物阻挡层的制备方法及半导体器件。该制备方法包括：制备半导体器件结构， 半导体器件结构包括：衬底、位于衬底上方的栅极结构、氧化层和氮化硅层， 其中， 氧化层覆盖在衬底和栅极结构的表面， 氧化层经过致密度增强工艺处理， ...
    2025-11-22
  • 垂直栅极结构及其制作方法
    垂直栅极结构及其制作方法_上海华力微电子有限公司_202511044622.9
    本发明提供了一种垂直栅极结构及其制作方法， 属于半导体领域。该垂直栅极结构制作方法包括提供一半导体基底结构。形成沟槽， 所述沟槽自所述阻挡层延伸至所述硅氧化层。在所述沟槽的侧壁形成防护膜；以阻挡层为掩模对衬底进行刻蚀， 形成深孔沟槽。在所述...
    2025-11-22
  • 一种改善遮蔽栅极沟槽空隙的方法及沟槽结构
    一种改善遮蔽栅极沟槽空隙的方法及沟槽结构_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202410497476.4
    本发明涉及半导体技术领域， 公开了一种改善遮蔽栅极沟槽空隙的方法， 包括：提供具有沟槽的半导体基板；在半导体基板的表面和沟槽处进行氧化物沉积形成栅极氧化层；对沟槽处的氧化层进行刻蚀， 刻蚀后沟槽由底部向开口处的沟槽宽度逐渐变大；在沟槽处进行...
    2025-11-22
  • 一种顺电-铁电薄膜、顺电-铁电FET及顺电-铁电FeMFET
    一种顺电-铁电薄膜、顺电-铁电FET及顺电-铁电FeMFET_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065750.1
    本申请涉及半导体非易失性存储设备技术领域， 特别是涉及一种顺电‑铁电薄膜、顺电‑铁电FET及顺电‑铁电FeMFET。所述顺电‑铁电薄膜包括：顺电‑铁电层；所述顺电‑铁电层为铪硅氧化物和过渡材料形成的量子阱层状结构， 或由独立的顺电层和独立的...
    2025-11-22
  • 金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法
    金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202510476049.2
    提供一种载流子迁移率高的金属氧化物层、金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法。该金属氧化物层的制造方法包括形成结晶部的第一步骤及以结晶部为核形成具有结晶性的金属氧化物层的第二步骤。金属氧化物层包含铟。利用原子层沉积法形成金属氧化物层，...
    2025-11-22
  • 一种提高碳化硅MOSFET栅氧可靠性的结构和制造方法
    一种提高碳化硅MOSFET栅氧可靠性的结构和制造方法_深圳市华南微电子有限公司_202511035250.3
    本发明公开了一种提高碳化硅MOSFET栅氧可靠性的结构和制造方法， 结构包括N－漂移区， N－漂移区的顶面沉积有互连金属层；在N－漂移区的顶端中部离子注入形成P阱；P阱内注入形成N+源区， N+源区的两侧和底面与P阱接触， N+源区包括重掺...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其版图设计方法
    半导体器件及其版图设计方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510783320.7
    本发明提供一种半导体器件及其版图设计方法。该半导体器件包括有源单元区和设置在其外围的至少两圈保护环结构， 仅最靠近有源单元区的第一圈保护环通过引出结构与外部电连接点电连接， 其余保护环不通过独立的引出结构与外部电连接点电连接。本发明的方法通...
    2025-11-22
  • 晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备
    晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202410482561.3
    本申请实施例公开一种晶体管及其制备方法、集成电路、电子设备， 涉及半导体技术领域。晶体管包括栅极、沟道层、第一极和第二极。栅极包括间隔层叠的多个第一栅导电层。沟道层位于相邻两个第一栅导电层之间， 沟道层具有伸出第一栅导电层的第一端和第二端。...
    2025-11-22
  • 一种嵌入式硅锗外延层结构及制作方法
    一种嵌入式硅锗外延层结构及制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202510991765.4
    本发明提供一种嵌入式硅锗外延层结构及制作方法， 通过于SiGe种子层表面形成SiGe非晶层， 由于SiGe非晶层无长呈有序的结构， 以SiGe非晶层为基底生长SiGe主体层时， 无法为SiGe主体层提供明确的晶格指导， 使得成核位点随机分布...
    2025-11-22
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511339998.2
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法， 半导体器件包括：至少两个浮栅区， 形成于阱区内， 浮栅区包括相邻设置的浮栅层和浮栅介质层， 浮栅层和浮栅介质层垂直于衬底上表面所在的平面；以及隔离介质层， 形成于浮栅区和阱区之间；电压施加端， 连接于...
    2025-11-22
  • 垂直式薄膜晶体管及其制造方法
    垂直式薄膜晶体管及其制造方法_友达光电股份有限公司_202511081427.3
    本发明公开一种垂直式薄膜晶体管及其制造方法。所述垂直式薄膜晶体管包括第一半导体层、牺牲层、第二半导体层、第三半导体层、第一栅极、源极及漏极。第一半导体层设置在基板上， 且具有第一重掺杂部分与延伸部分。牺牲层覆盖第一半导体层的延伸部分， 并显...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410490675.2
    一种半导体结构及其形成方法， 方法包括：提供基底， 基底包括沟道区域以及位于其两侧的源漏区域， 基底上形成有沟道叠层结构， 沟道叠层结构包括一个或多个在纵向上依次堆叠设置的沟道叠层， 沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层， 沟道区域的...
    2025-11-22
  • 一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法
    一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法_江苏吉莱微电子股份有限公司_202511361231.X
    本发明公开了一种具有快恢复特性的950V高压超结MOS器件及其制作方法， 器件具有栅极宽度不同的主副MOS区， 器件整体以N型衬底进行二次外延， 按最优条件拓展出多个功能层。本发明通过两次外延的N型衬底来缓解因刻蚀角度导致的槽宽不等所造成的...
    2025-11-22
  • 一种4kV低阻超结平面栅SiC VDMOS器件结构及其制备方法
    一种4kV低阻超结平面栅SiC VDMOS器件结构及其制备方法_深圳市港祥辉电子有限公司_202511041654.3
    本发明公开了一种4kV低阻超结平面栅SiC VDMOS器件结构及其制备方法， 涉及碳化硅功率器件技术领域， 包括有漏极金属， 漏极金属的上方设置有n+SiC衬底、n型漂移层， n型漂移层的中间设置有n型区， n型区的下方设置有p型屏蔽层， ...
    2025-11-22
  • 碳化硅MOSFET器件
    碳化硅MOSFET器件_西安交通大学_202510729938.5
    公开了碳化硅MOSFET器件， 碳化硅MOSFET器件中， 功率MOSFET单元包括漏极金属电极、功率MOSFET多晶硅栅极和源极金属电极；钳位MOSFET单元设于功率MOSFET旁边， 钳位MOSFET漏极与功率MOSFET金属栅极形成肖...
    2025-11-22
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