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  • 本发明提供一种遮挡装置及半导体清洗设备,遮挡装置包括遮挡部,可相对于清洗模块运动以用于开闭传送口;遮挡部上设有通风道,在遮挡部打开传送口时,通风道吹出的气流形成风幕,风幕可覆盖传送口,以隔离相邻两个清洗模块的风场。采用本发明的遮挡装置,清洗...
  • 一种晶圆分片装置,包括:晶圆放置区域,包括多个用于放置不同晶圆的晶圆放置子区域;晶圆识别模块,用于根据晶圆特征识别晶圆;晶圆检测模块,用于检测所述晶圆,并将检测结果与所述晶圆特征进行关联;晶圆传输组件,用于传输所述晶圆,并根据所述晶圆检测模...
  • 本发明公开了一种基于多轴协同控制的光学检测方法及系统,属于光学检测技术领域,包括以下步骤:系统初始化;路径规划:采用螺旋路径规划函数得到路径点序列;之后进行多轴反解轨迹规划;控制器实时采样机械臂各关节的角度向量,并输入至控制律函数;视觉补偿...
  • 本发明公开了一种碳化硅器件的多应力耦合筛选方法和系统,涉及半导体器件技术领域,包括以下具体步骤:S10:封装样品器件预测试,得到器件主要电气参数的预期值以及预期比值;S20:待测器件极限温度测试,得到待测封装器件在极限温度下的关键电气参数;...
  • 本发明公开了一种芯片倾斜角度检测方法、检测系统及芯片粘接装置,检测方法包括:在芯片放置位置的上方设置激光发射器和半透膜,并在半透膜的上方设置成像装置;定义初始激光斑,通过多次测量得到根据测试激光斑相对初始激光斑的位移方向和位移量计算芯片放置...
  • 本申请提供一种基于IWC清洗后的Si晶圆微量蚀刻效果检测分析方法,涉及集成电路技术领域,用于改善相关技术中,对Si晶圆微量蚀刻效果检测分析存效果较差的技术问题,方法包括:获取待测Si晶圆IWC清洗前的第一光学特性分布图谱;获取待测Si晶圆I...
  • 本申请涉及半导体制造技术领域,公开了一种基于大数据分析的晶圆测试优化系统和方法,包括:数据采集模块,用于实时获取晶圆测试设备在当前测试周期的测试数据和晶圆在当前测试周期的生产环境数据,其中,晶圆测试设备用于对晶圆进行晶圆测试;数据分析模块,...
  • 一种半导体晶圆工艺认证测试用电路结构,包括输入级电路, 输出级电路和连接在二者之间的多个扫描链;所述扫描链包括多个串联的扫描单元和尾部选择器,每个扫描单元包括一个二选一的横向选择器和一个D触发器,每个扫描单元还包括一个二选一的纵向选择器和一...
  • 本发明实施例涉及一种太阳能电池性能预测方法及装置,预测方法包括:采集待预测半电池的光谱数据;将光谱数据输入太阳能电池性能预测模型,得到待预测太阳能电池的预测指标数据。本发明实施例提供的技术方案,采用自注意力结构对光谱信息进行理解和提取,相比...
  • 本公开提供了一种检测系统及方法。系统包括:力传感器、位移传感器和数据处理单元;力传感器用于在吸嘴模块吸住所述晶圆固定模块中的晶圆,顶针模块向晶圆固定模块施加逐渐增大的推力时,周期性地检测顶针模块的推力数据;位移传感器用于在吸嘴模块吸住晶圆固...
  • 本公开实施例提供一种多层堆叠芯片封装方法及封装结构,该封装方法包括:将多个芯片依次堆叠设置于基板,形成芯片封装模组;提供塑封治具,塑封治具包括第一模具以及与第一模具相匹配的第二模具,将金属层铺设于第一模具内;在金属层上形成具有预设厚度的第一...
  • 本公开涉及一种半导体打线封装方法及半导体打线封装设备。所述方法包括:制备多个导电丝线;提供键合装置,键合装置具有网孔阵列,网孔阵列中的网孔径向尺寸大于导电丝线的最大径向尺寸;将导电丝线填充于键合装置中网孔阵列的网孔内;将填充导电丝线之后的键...
  • 本发明公开了一种芯片集成封装方法及结构,该方法包括以下步骤:在玻璃载片上构建中介层Ⅰ;在中介层Ⅰ上构建第一TMV结构;将若干个背面供电芯片和功能芯片贴装在中介层Ⅰ上;将背面供电芯片、功能芯片以及第一TMV结构进行塑封;构建中介层Ⅱ;在中介层...
  • 本申请公开了一种倒装焊接方法,属于倒装焊接技术领域,该工艺包括:对切割为多个芯片的晶圆上包含凸点的表面进行等离子清洗;对经过等离子清洗的晶圆上包含的凸点的表面喷洒助焊剂;对喷洒过助焊剂的晶圆进行烘烤;从经过烘烤的晶圆中逐个拾取芯片,将芯片倒...
  • 本申请涉及三维封装技术领域,公开了芯片封装模块及其制备方法,包括:提供多个基底,在所述基底第一表面的装载区对电子元件进行连接处理,在所述基底的第一表面的垂直互联区设置第一焊料层;对所述基底第一表面的所述装载区和所述垂直互联区进行注塑处理,以...
  • 本发明提供了一种芯片与模组的焊接方法及其装置。其中所述方法包括:制备芯片焊点;制备模组焊点,且所述模组焊点与所述芯片焊点相对设置;将所述芯片焊点与所述模组焊点进行融合形成共晶结构,所述共晶结构包括金铝共晶、金铟共晶、金锡共晶、银锡共晶、银铟...
  • 一种半导体结构及其形成方法,半导体结构包括:承载晶圆,所述承载晶圆包括第一衬底以及所述第一衬底上的第一介电层;倒置键合于所述承载晶圆上的第一晶圆,所述第一晶圆包括第二衬底以及位于所述第二衬底上的第二介电层,所述第二介电层和第一介电层相对设置...
  • 本发明公开了一种双芯片封装结构及其制备方法,所述方法包括:在载板上制作第一塑封层,第一塑封层中间部位进行第一大开孔;在第一大开孔制作共背极金属布线层并粘贴第一芯片,填充第一介质层;第一芯片上制作第二塑封层,第一塑封层进行第一铜柱开孔并在孔内...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开一种Molding功率模块嵌入热电偶的方法及芯片封装装置、系统,方法包括:获取引线框架中热电偶预设位置;根据热电偶预设位置,使用顶杆的顶头插入引线框架中;对引线框架用环氧塑封料进行第一次塑封;在塑封后的引线框架...
  • 本发明公开一种多芯集成电磁屏蔽板级封装方法及结构,该方法包括以下步骤:将芯片倒贴在基板载体Ⅰ上;在芯片四周形成电磁波屏蔽层;将芯片和电磁波屏蔽层进行塑封,形成塑封体;在塑封体表面键合基板载体Ⅱ,将基板载体Ⅰ去除;在芯片的垫片面制备金属线路结...
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