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最新专利技术
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510805903.5
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：耗尽型器件和增强型器件，所述耗尽型器件包括第一漏极、第一源极和第一栅极，所述增强型器件包括第二漏极、第二源极和第二栅极，所述第一源极与所述第二漏极相连，所述第一栅极与所述第二源极相连。本公开...
    2025-11-30
  • 集成电路器件
    集成电路器件_三星电子株式会社_202411882654.1
    一种集成电路器件可以包括：纳米片堆叠件，所述纳米片堆叠件包括多个纳米片；栅极线，所述栅极线至少部分地围绕所述多个纳米片中的每一个纳米片，所述栅极线包括主栅极部分和子栅极部分；源极/漏极区域，所述源极/漏极区域与所述多个纳米片接触；以及内绝缘...
    2025-11-30
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410511112.7
    本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，芯片包括衬底、多个垂直沟道、第一介质层、栅极结构以及第二介质层。第一介质层围绕垂直沟道的第一间隔区，栅极结构覆盖垂直沟道的沟道区的侧壁的至少部分区域，第二介质层围绕各垂直沟道的第二间隔区。第一介质层...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆
    半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆_比亚迪股份有限公司_202510839050.7
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法、电子设备、车辆；该半导体器件包括：基体，以及设置在基体下表面的第一电极，基体具有沿垂直于基体厚度方向邻接的有源区和终端保护区；终端保护区包围有源区设置；基体具有第一导电类型；基体包括：分压保护结构，位于...
    2025-11-30
  • 一种单片集成的GaN级联器件及其制备方法
    一种单片集成的GaN级联器件及其制备方法_西安电子科技大学_202510793474.4
    本发明提供一种单片集成的GaN级联器件及其制备方法，包括：通过互联金属连接的Si基NMOS子器件和GaN HEMT子器件，以及共享的Si衬底；第一台阶形成于Si衬底的一侧边缘区域内；GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、帽层和第一介...
    2025-11-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510861663.0
    本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一导电类型的基板；在基板上的栅电极；第一导电类型的第一高浓度杂质区，设置在栅电极的第一侧；第一导电类型的第一阱，设置在第一高浓度杂质区下面并围绕第一高浓度杂质区；第二导电类型的第二阱，交叠栅电极...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410521621.8
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向以及沿所述x方向延伸的若干鳍片结构，所述鳍片结构包括位于所述半导体衬底表面的第一部分以及位于所述第一部分顶面的第二部分；气隙结构，位...
    2025-11-30
  • 高密度堆叠电容器和方法
    高密度堆叠电容器和方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510241177.9
    本公开涉及高密度堆叠电容器和方法。公开了一种半导体结构和形成该半导体结构的方法。该半导体结构包括高密度堆叠电容器，具体地为并联地连接在两个节点之间的电容器堆叠。该堆叠包括位于半导体衬底内的二极管型电容器(本文中也称为PN结电容器)。在不同的...
    2025-11-30
  • 沟槽式半导体结构及其制造方法
    沟槽式半导体结构及其制造方法_达尔科技股份有限公司_202410509983.5
    本申请涉及沟槽式半导体结构及其制造方法。沟槽式半导体结构包括：半导体材料层，具有第一表面、第二表面以及第一导电型；第一沟槽结构，从第一表面往第二表面延伸，包括第一电极及第一闸极，第一电极包括与第一闸极相邻的第一部分，以及位于第一部分以及第一...
    2025-11-30
  • 射频开关芯片、射频前端模组、电子设备
    射频开关芯片、射频前端模组、电子设备_锐石创芯(深圳)半导体有限公司_202510895472.6
    本申请实施例提供了一种射频开关芯片、射频前端模组、电子设备，射频开关芯片，包括：多个开关单元、连接线以及多个公共端口，连接线连接多个开关单元的第一端，多个公共端口间隔设置且均与连接线连接，多个公共端口用于连接射频开关芯片外部的同一天线端口。...
    2025-11-30
  • 一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块
    一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块_常州瑞华新能源科技有限公司_202510985753.0
    本发明公开了本发明涉及封装技术领域，特别是一种双端供电、双面散热封装的并联半桥功率模块，上DBC板和下DBC板之间设置有SiC MOSFET芯片和二极管芯片，SiC MOSFET芯片、二极管芯片底端分别通过焊料层与下DBC板连接，SiC M...
    2025-11-30
  • 提升SiC MOS器件开关速度和鲁棒性的器件结构及制作方法
    提升SiC MOS器件开关速度和鲁棒性的器件结构及制作方法_浙江摩珂达半导体有限公司_202511005084.2
    一种提升SiC MOS器件开关速度和鲁棒性的器件结构及制作方法，在器件元胞的JFET区域上方选择性增设局部加厚的弧形栅氧化层，通过降低栅漏电容减小总输入电容，提升开关速度并降低功耗；同时，加厚的JFET区栅氧化层提高了栅氧可靠性和抗单粒子能...
    2025-11-30
  • 一种氯氧化物栅极电介质材料及其制备方法和应用
    一种氯氧化物栅极电介质材料及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511011201.6
    本发明涉及一种氯氧化物栅极电介质材料及其制备方法和应用，包括：将氯化物前驱体和衬底材料分别置于同一单侧开口反应容器的底部和单侧开口处，将单侧开口反应容器置于化学气相沉积装置中且开口位于化学气相沉积装置中通气口的一侧，调控反应腔室的相对湿度，...
    2025-11-30
  • 半导体工艺方法、半导体器件、电子设备
    半导体工艺方法、半导体器件、电子设备_华为技术有限公司_202410528843.2
    本申请实施例提供一种半导体工艺方法、半导体器件、电子设备。涉及半导体制造技术领域。提供可以制得凹槽侧壁倾斜角度较大、线宽较窄的半导体工艺方法。该半导体工艺方法包括：在衬底上形成待刻蚀层；在待刻蚀层的背离衬底的一侧形成具有第一开窗的掩膜图案层...
    2025-11-30
  • 具有增加的击穿电压特性的半导体装置
    具有增加的击穿电压特性的半导体装置_安华高科技股份有限公司_202510431192.X
    本公开涉及供在多种适合应用中使用的具有增加的击穿电压特性的半导体装置。一种具有增加的击穿电压特性的实例性半导体装置包含：衬底，其具有p型阱、n型阱、n型层及耗尽区域；以及栅极，其安置在所述p型阱、所述耗尽区域及所述n型层上方。所述耗尽区域及...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_无锡华润上华科技有限公司_202410544048.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底、第一栅介电层、第一栅极、第二栅介电层、第二栅极以及栅极引出电极。衬底包括第一导电类型的阱区。阱区内具有沟槽。第一栅介电层至少覆盖沟槽的侧壁。第一栅介电层在沟槽顶部的厚度大于在沟...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构及半导体器件
    一种半导体结构及半导体器件_苏州晶湛半导体有限公司_202410543519.8
    本公开提供了一种半导体结构及半导体器件，半导体结构包括依次层叠设置的SiC衬底、重掺杂SiC层、AlGaN外延层以及GaN外延层，GaN外延层包括层叠设置的重掺杂层和轻掺杂层，SiC衬底、重掺杂SiC层、AlGaN外延层以及GaN外延层均为...
    2025-11-30
  • LDMOS器件及其制作方法
    LDMOS器件及其制作方法_无锡华润上华科技有限公司_202410534268.7
    本申请涉及一种LDMOS器件及其制作方法。LDMOS器件包括：漂移区、体区、栅介质层、漏区和源区，体区设置在漂移区中，体区设置在漂移区中，体区和漂移区的掺杂类型不同；栅介质层分别连接漂移区和体区的一部分，栅介质层用于引出栅电极；漏区设置在漂...
    2025-11-30
  • 晶体管器件及其制备方法、显示基板
    晶体管器件及其制备方法、显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202511038242.4
    一种晶体管器件及其制备方法、显示基板，其中，晶体管器件包括：设置在基底上，晶体管器件包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极设置在有源层和栅电极远离基底一侧，栅绝缘层设置在有源层和栅电极之间；栅绝缘层包括：层叠...
    2025-11-30
  • 薄膜晶体管器件及显示面板
    薄膜晶体管器件及显示面板_广州华星光电半导体显示技术有限公司_202410525545.8
    本申请实施例公开了一种薄膜晶体管器件及显示面板，其采用在有源层的第一非晶硅层和第二非晶硅层之间增设一层非晶硅掺杂层，非晶硅掺杂层包括非晶硅和掺杂粒子，所述掺杂粒子为N型掺杂粒子，在所述非晶硅掺杂层中，所述掺杂粒子的掺杂浓度小于或等于1.5％...
    2025-11-30
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