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最新专利技术
  • 半导体晶片的清洗条件确定方法和半导体晶片的清洗方法
    半导体晶片的清洗条件确定方法和半导体晶片的清洗方法_胜高股份有限公司_202480017569.0
    提出了能够良好地控制热氧化膜的厚度的半导体晶片的清洗条件的确定方法。本发明的半导体晶片的清洗条件确定方法包含下述工序：求出在清洗工序后的多片半导体晶片的各自表面上形成的化学氧化膜的厚度及表面状态与清洗条件的清洗相关关系的工序；针对1个以上的...
    2025-11-19
  • 临时保护材料和临时保护材料溶液
    临时保护材料和临时保护材料溶液_积水化学工业株式会社_202480022573.6
    本发明目的在于提供能够利用常温和低温的水容易地除去的临时保护材料和临时保护材料溶液。本发明涉及一种临时保护材料，其被用作制造半导体时的保护材料，临时保护材料含有包含改性聚乙烯醇系树脂的聚乙烯醇系树脂，临时保护材料在开始施加超声波时的水温35...
    2025-11-19
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202480024344.8
    本发明提供一种能够进行与下层膜的外缘的状态一致的周边曝光的基片处理方法。本发明的一个方面的基片处理方法包括：基于对在表面形成有第一覆膜的基片的所述表面中的周缘区域进行拍摄而得到的拍摄图像，生成表示绕所述基片的中心的周向位置(Xθ)与所述基片...
    2025-11-19
  • 配管清洗方法和基板处理系统
    配管清洗方法和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480020287.6
    一种配管清洗方法，其对第1处理液供给装置和第2处理液供给装置各自的配管进行清洗，其中，所述第1处理液供给装置构成为，将来自第1处理液供给源的处理液经由设有第1过滤器的第1配管供给到向基板喷出处理液的第1喷嘴，所述第2处理液供给装置构成为，将...
    2025-11-19
  • 硅绝缘膜形成方法
    硅绝缘膜形成方法_周星工程股份有限公司_202480020886.8
    本发明涉及一种硅绝缘膜形成方法，更特别地，涉及一种在基板上形成掺杂有氧的硅绝缘膜的硅绝缘膜形成方法。根据本发明的实施例的硅绝缘膜形成方法为形成掺杂有氧的硅绝缘膜的方法，并且包括如下步骤：在反应空间中准备基板；通过原子层沉积工艺在基板上形成硅...
    2025-11-19
  • 制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)结构的方法
    制造包括超晶格的射频绝缘体上硅(RFSOI)结构的方法_阿托梅拉公司_202480017994.X
    一种半导体加工方法可以包括：在供体半导体晶片上形成超晶格层，超晶格包括多个堆叠的层组，每个层组包括限定基底半导体部分的多个堆叠的基底半导体单层、以及被约束在相邻基底半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。该方法还可以包括：对供体半导体晶片...
    2025-11-19
  • 用于对检查工具进行校准的系统和方法
    用于对检查工具进行校准的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480023192.X
    用于对检查工具进行校准的系统、装置和方法。系统、装置和方法可以包括在可替换参考样品被固定到成像系统的台之后：基于成像系统对参考样品的扫描来对成像系统的参数进行校准；以及在对成像系统的参数进行校准之后，对样品进行扫描，5其中样品包括参考样品的...
    2025-11-19
  • 具有快速可替换粒子源的多束粒子显微镜及在多束粒子显微镜中快速替换粒子源的方法
    具有快速可替换粒子源的多束粒子显微镜及在多束粒子显微镜中快速替换粒子源的方法_卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司_202480021751.3
    公开了一种具有可快速替换粒子源的多束粒子显微镜。为此，该多束粒子显微镜包含特定的双密封和柱体分离模块。借助于所述双密封和柱体分离模块，可更快替换具有粒子源的替换模块，并可保护该多束粒子显微镜的粒子光学组件的潜在敏感组成部件免受污染。
    2025-11-19
  • 电子光学板
    电子光学板_ASML荷兰有限公司_202480022167.X
    本发明涉及一种带电粒子光学板，用于带电粒子光学装置，该带电粒子光学装置用于将带电粒子束沿束路径投射到样品位置。带电粒子光学板，包括：具有晶体结构的衬底，所述晶体结构具有晶体对称线；多个通道，被配置用于使束栅格的多个束路径穿过所述衬底；以及与...
    2025-11-19
  • 高压断路器
    高压断路器_日立能源有限公司_202480019089.8
    本发明涉及一种用于高压应用的断路器(1)，包括：至少一个接通和断开单元(10)，其具有用于在连接区域(16)中形成导电连接的第一触头(12)和第二触头(14)，其中，第一触头(12)具有布置成远离连接区域(16)且用于通过连接区域(16)并...
    2025-11-19
  • 混合型电解电容器用电解液和混合型电解电容器
    混合型电解电容器用电解液和混合型电解电容器_三洋化成工业株式会社_202480024469.0
    本发明涉及一种混合型电解电容器用电解液，其为含有具有碳原子数为2以上的取代基的芳香族羧酸(A)的混合型电解电容器用电解液，其中，通过下述测定方法求出的上述羧酸(A)的酸离解常数(pKa)为1.0～4.5。测定方法：在25℃下，向由上述羧酸(...
    2025-11-19
  • 电解电容器及其制造方法
    电解电容器及其制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480022346.3
    一种电解电容器，其具备第1电极、第2电极、容器和封口部件，第1电极具有第1电极箔、2个以上的第1内部引线和第1外部引线，2个以上的第1内部引线各自的一部分被重叠而形成层叠部，第1外部引线具有第1部分、第2部分和第3部分，第1部分具有凿紧于层...
    2025-11-19
  • 包含溶液加工的n型导电聚合物的聚合物电解电容器
    包含溶液加工的n型导电聚合物的聚合物电解电容器_韦斯特拉材料有限公司_202380091826.0
    本发明涉及一种聚合物电解电容器，其包括阳极、介电层和阴极，其中所述阴极包含溶液加工的n型导电聚合物。
    2025-11-19
  • 陶瓷电子部件及其制造方法
    陶瓷电子部件及其制造方法_太阳诱电株式会社_202480021892.5
    陶瓷电子部件包括：层叠片，其中，以Ni为主要成分的第一内部电极层和第二内部电极层隔着电介质层交替地层叠，且形成为第一内部电极层和第二内部电极层被交替地引出至第一端面和第二端面；第一外部电极，其与第一端面接触的接触层的主要成分为Cu；和第二外...
    2025-11-19
  • 电感器以及电感器的制造方法
    电感器以及电感器的制造方法_株式会社村田制作所_202480019906.X
    提供电感器以及电感器的制造方法，减少外部端子的形成异常。本公开的电感器(1)具备：坯体(10)，在内部具备线圈导体(50)，含有金属磁性粒子(10a)和树脂；外部端子(30)，设置于坯体(10)的安装面(第一主面(11))，与线圈导体(50...
    2025-11-19
  • 包括具有低互感或无互感的电感器对的集成器件
    包括具有低互感或无互感的电感器对的集成器件_高通股份有限公司_202480019788.2
    一种集成器件，该集成器件包括：裸片基板；和裸片互连部分，该裸片互连部分耦合到裸片基板。裸片互连包括第一电感器和第二电感器。第一电感器包括：第一螺旋件，该第一螺旋件包括第一原点和第一尾部；和第二螺旋件，该第二螺旋件包括第二原点和第二尾部。
    2025-11-19
  • 贴片电阻器以及贴片电阻器的制造方法
    贴片电阻器以及贴片电阻器的制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480020921.6
    提供耐电压高的贴片电阻器以及贴片电阻器的制造方法。贴片电阻器(1)具备：绝缘基板(2)；第1上表面电极(3)以及第2上表面电极(4)；和电阻体(5)。第1修整槽(11)以及第2修整槽(12)被形成为使得电阻体(5)成为曲折状。第1修整槽(1...
    2025-11-19
  • 含硫原子材料的处理方法、含硫原子材料的制造装置、以及含硫原子材料搬运用设备及运输仓
    含硫原子材料的处理方法、含硫原子材料的制造装置、以及含硫原子材料搬运用设备及运输仓_出光兴产株式会社_202480019256.9
    本发明提供一种能够安全且有效地应对包含硫原子的原料、中间体及制品等含硫原子材料发生泄漏的含硫原子材料的处理方法、含硫原子材料的制造装置、含硫原子材料搬运用设备及运输仓，所述含硫原子材料的处理方法包括：使从包含硫原子的原料及电解质前体、以及硫...
    2025-11-19
  • 扁平线及其制造方法
    扁平线及其制造方法_AGC株式会社_202480017902.8
    本发明涉及一种扁平线，其具备扁平导体、和直接覆盖所述扁平导体的整个周向的绝缘被覆材料的皮膜，所述绝缘被覆材料在温度372℃、荷重49N下的熔体流动速率为20.0～300.0g/10分钟，所述绝缘被覆材料包含聚芳醚酮(A)和具有基于四氟乙烯的...
    2025-11-19
  • 线束
    线束_住友电装株式会社_202480020139.4
    一种线束(W)，具备：连接部件(10)，与电气设备(Da)连接；第1电线构件(11)，从连接部件(10)沿着第1路径引出；以及第2电线构件(12)，从连接部件(10)沿着与第1路径不同的第2路径引出。第1电线构件(11)及第2电线构件(12...
    2025-11-19
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