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最新专利技术
  • 一种通过优化多wafer堆叠的高带宽存储器失效修补方法
    一种通过优化多wafer堆叠的高带宽存储器失效修补方法_悦芯科技股份有限公司_202511717867.3
    本发明涉及存储器失效修复技术领域，公开了一种通过优化多wafer堆叠的高带宽存储器失效修补方法，包括堆叠设置的多个DRAM wafer、缓冲die以及硅通孔TSV，包括：局部冗余资源配置：为每个DRAM wafer配置冗余存储单元；跨层全局...
    2026-03-30
  • 安全状态转换测试方法、装置、终端设备和可读存储介质
    安全状态转换测试方法、装置、终端设备和可读存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511703545.3
    本申请涉及存储测试技术领域，公开了一种安全状态转换测试方法、装置、终端设备和可读存储介质。该方法应用于终端设备，终端设备与待测固态硬盘连接，该方法包括：响应于测试场景确认指令，确定目标测试场景，目标测试场景包括待测固态硬盘对应的安全状态之间...
    2026-03-30
  • 反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法
    反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法_东芯半导体股份有限公司_202511837741.X
    本公开涉及电路检测技术领域，具体涉及一种反熔丝芯片、检测电路以及反熔丝检测方法。反熔丝芯片包括：编程控制模块，与至少一个反熔丝存储单元的编程电压端连接；偏置‑选通控制模块，与至少一个反熔丝存储单元的偏置电压端连接；第一引脚，设置于反熔丝芯片...
    2026-03-30
  • 一种电压阈值优化方法、装置、电子设备及存储介质
    一种电压阈值优化方法、装置、电子设备及存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511634416.3
    本发明实施例公开了一种电压阈值优化方法、装置、电子设备及存储介质，涉及存储器技术领域，其中，所述方法包括：通过访问存储器的非易失性存储器获取初始电压阈值，对控制器寄存器进行配置；通过遍历存储器内的所有物理块地址，获取所有物理块的编程/擦除循...
    2026-03-30
  • 存储设备及其擦除方法和计算机可读存储介质
    存储设备及其擦除方法和计算机可读存储介质_深圳市时创意电子股份有限公司_202511741583.8
    本申请公开了一种存储设备及其擦除方法和计算机可读存储介质，存储设备的擦除方法包括步骤：接收同时对存储设备中N个闪存颗粒进行擦除的命令；判断同时对所述N个闪存颗粒进行擦除时的功耗是否超过所述存储设备的最大允许功耗阈值；若是，将所述N个闪存颗粒...
    2026-03-30
  • 存储器设备及存储器设备的操作方法
    存储器设备及存储器设备的操作方法_三星电子株式会社_202511238072.4
    提供了一种存储器设备，其包括：存储器单元阵列，其包括多个单元区域；以及控制逻辑，其被配置为响应于对所述单元区域的读取操作中发生错误，基于搜索阈值电压分布的谷值来控制对合适的读取电平的计算操作。基于对通过使用多个读取电平读取的数据的计数操作，...
    2026-03-30
  • 一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法
    一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法_山东华芯半导体有限公司_202511725783.4
    本发明涉及集成电路设计领域，具体是一种基于忆阻器的电荷共享存算单元及实现方法。存算单元包括2个NMOS管M1、M2, 1个PMOS管M3, 2个忆阻器R1、R2和1个电容C1。忆阻器R1、R2的底电极相连并与M1的漏极相连，NMOS管M2的...
    2026-03-30
  • 一种存储器及其控制方法
    一种存储器及其控制方法_厦门半导体工业技术研发有限公司_202511799065.1
    本发明提供的一种存储器及其控制方法，存储器包括读取电路以及对称设计的两个存储阵列，读取电路包括灵敏放大器和参考阵列单元，两个存储阵列的位线分别通过数据开关电连接到灵敏放大器的数据输入端，且分别通过参考开关电连接到参考阵列单元的输入端，参考阵...
    2026-03-30
  • 一种存储器及其控制方法
    一种存储器及其控制方法_厦门半导体工业技术研发有限公司_202511798940.4
    本发明提供的一种存储器及其控制方法，存储器包括读取电路以及存储阵列，存储阵列包括存储单元以及至少一行与存储单元并行的参考单元，参考单元包括与存储单元中的存储开关管数量相同的第一参考开关管；读取电路包括灵敏放大器和参考阵列单元，灵敏放大器的数...
    2026-03-30
  • 一种基于电荷域的RRAM存内计算系统
    一种基于电荷域的RRAM存内计算系统_南京理工大学_202511742677.7
    本发明提供一种基于电荷域的RRAM存内计算系统，包括RRAM存储阵列、数字时间转换器、译码驱动模块、电荷积分模块、时间数字转换器。所述RRAM存储阵列由1T1R单元构成，每个单元包含一个MOS管和一个RRAM忆阻器，其中忆阻器的高阻态表示权...
    2026-03-30
  • 一种基于2T2R结构的低功耗存算阵列
    一种基于2T2R结构的低功耗存算阵列_南京理工大学_202511735019.5
    本申请提供一种基于2T2R结构的低功耗存算阵列，涉及存算一体技术领域。本发明基于阻变存储器的存算一体单元包括两个串联的阻变存储器、一个用于传输编程电压的第一场效应晶体管和一个用于传输输出电压的第二场效应晶体管，其中两个阻变存储器串联的连接端...
    2026-03-30
  • 基于RRAM的KAN网络加速方法、存储器及存储系统
    基于RRAM的KAN网络加速方法、存储器及存储系统_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511603460.8
    本申请提供了一种基于RRAM的KAN网络加速方法、存储器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。方法包括：确定目标柯尔莫哥洛夫‑阿诺德网络KAN的网络层数和权重参数，根据目标KAN的网络层数确定所述RRAM的存储阵列数量，根据所述目标KAN的权...
    2026-03-30
  • 静态随机存取存储装置及电子设备
    静态随机存取存储装置及电子设备_华为技术有限公司_202411292944.0
    本申请提供一种静态随机存取存储装置及电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何兼顾SRAM的功耗和面积的问题。该静态随机存取存储装置，包括全局位线、局部位线、选通单元及沿第一方向排列的第一存储区和第二存储区，选通单元设置在第一存储区和第二存...
    2026-03-30
  • 一种SRAM控制器
    一种SRAM控制器_中国科学院微电子研究所_202511768147.X
    本发明公开一种SRAM控制器，涉及集成电路芯片技术领域，以解决现有技术中出厂后的SRAM控制器不能自适应调整自身IO驱动强度且数据传输质量较差的问题。SRAM主控制器至少包括纠错检错模块、驱动强度逻辑控制模块、波形检测模块以及双向IO电路；...
    2026-03-30
  • 基于DRAM阵列的整型GEMV计算方法、装置、介质及终端
    基于DRAM阵列的整型GEMV计算方法、装置、介质及终端_上海光羽芯辰科技有限公司_202511481333.5
    本申请提供基于DRAM阵列的整型GEMV计算方法、装置、介质及终端，所述包括：将权重矩阵存储在DRAM阵列中，所述DRAM阵列中的各个DRAM单元用于存储所述权重矩阵中的单个权重值；将待施加向量的每个元素依次通过字线施加到所述DRAM阵列中...
    2026-03-30
  • 存储器电路、存储器器件及其制造方法
    存储器电路、存储器器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511314530.8
    本申请的实施例提供了存储器电路、存储器器件及其制造方法。存储器电路包括第一阵列、第二阵列、第一输入/输出电路、第二输入/输出电路和位线，所述第一阵列包括第一存储器单元，所述第二阵列沿第一方向位于第一阵列旁边并包括第二存储器单元，第一输入/输...
    2026-03-30
  • 存储器件、存储系统及存储系统的操作方法
    存储器件、存储系统及存储系统的操作方法_爱思开海力士有限公司_202511271940.9
    本公开内容涉及存储器件、包括存储器件的存储系统以及存储系统的操作方法，并且存储器件包括：存储单元阵列，其包括存储单元；第一电压选择电路，其适于在读取模式下响应于指示正向读取操作或反向读取操作的标志信号而将高电压和低电压中的一者供应至存储单元...
    2026-03-30
  • 存储器及电子设备
    存储器及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411267534.0
    本公开涉及一种存储器及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升存储器的可靠性。所述存储器，包括：存储单元阵列和多条字线。其中，存储单元阵列包括在三维方向上排列的多个存储单元。一条字线对应连接一个存储单元组。存储单元组包括：平行间隔且沿同一方向...
    2026-03-30
  • 存储系统、存储装置和存储装置的操作方法
    存储系统、存储装置和存储装置的操作方法_三星电子株式会社_202511219456.1
    提供了一种存储系统、存储装置以及存储装置的操作方法。存储装置的操作方法包括：从所述存储装置中的存储单元阵列读取包括至少一条被擦除位数据的读取数据；基于读取数据生成擦除位置信息；基于擦除位置信息、H矩阵和读取数据生成与读取数据的非被擦除位数据...
    2026-03-30
  • 包括铁电存储单元的存储设备的操作方法
    包括铁电存储单元的存储设备的操作方法_三星电子株式会社_202510977451.9
    公开了一种包括铁电存储单元的存储设备的操作方法。该方法包括：从控制器接收读取命令和地址；以及根据读取命令，基于第一读取模式或第二读取模式对与地址对应的铁电存储单元执行读取操作。在第一读取模式中，第一读取电压被施加作为包括在铁电存储单元中的铁...
    2026-03-30
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