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最新专利技术
  • 动态随机存取存储器及其形成方法
    动态随机存取存储器及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411291121.6
    一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器包括：第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱；第一字线栅，其材料包括金属和多晶硅；第二字线栅，其材料包括金属和多晶硅；第一位线，与第一沟道柱组中对应的第一...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411291058.6
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，半导体结构包括：有源柱阵列；每一有源柱包括垂直设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线；每条字线包括多个第一部分和多个第二部分；每个第一部分至少覆盖对应的有源柱阵列的一行有源...
    2026-03-24
  • 存储器器件、制作方法以及控制方法
    存储器器件、制作方法以及控制方法_芯盟科技有限公司_202411291041.0
    本公开实施例公开了一种存储器器件、制作方法以及控制方法，所述存储器器件包括：行，包括沿第一方向排列的多个第一半导体柱；列，包括沿第二方向排列的多个第一半导体柱；行上的任意两个相邻的第一半导体柱间隔一列排布，列上的任意两个相邻的第一半导体柱间...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411290151.5
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括衬底以及第一隔离结构，第一隔离结构位于衬底中且沿第一方向延伸并包括电容结构和第一绝缘层，电容结构沿所述第一方向延伸，第一绝缘层位于电容结构和衬底...
    2026-03-24
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411289362.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干有源区，衬底第二面暴露出的有源区包括相互分立的第一分部和第二分部；位于相邻有源区之间的第一隔离层；位于第二区的若干第一切断层，若干第一切断层对间隔的第一隔...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其形成方法、存储阵列
    半导体结构及其形成方法、存储阵列_芯盟科技有限公司_202411289337.9
    一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中形成方法包括：提供衬底，衬底具有垂直交叉排列的位线方向和字线方向，衬底包括沿位线方向平行排布的若干有源区以及位于有源区之间的隔离区，且衬底包括第一表面；在第一表面上形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光显...
    2026-03-24
  • 半导体结构及其制造方法、存储器
    半导体结构及其制造方法、存储器_芯盟科技有限公司_202411289241.2
    本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法、存储器。其中，半导体结构包括：有源柱阵列；每一有源柱包括垂直方向设置的第一源/漏极、沟道、第二源/漏极；多条字线；每条字线全环绕有源柱阵列的一行有源柱的每一有源柱的沟道；多个存储单元；每一存储单元...
    2026-03-24
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_芯盟科技有限公司_202411288343.2
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括第一区、第二区和第三区，衬底包括：若干位于第一区、第三区和部分第二区的第一有源区和若干位于第一区、第二区和部分第三区的第二有源区，第一有源区包括第一分部、第二分部和第三分部，第二有源区包括第四...
    2026-03-24
  • 动态随机存取存储器阵列及其形成方法
    动态随机存取存储器阵列及其形成方法_芯盟科技有限公司_202411287895.1
    一种动态随机存取存储器阵列及其形成方法，其中动态随机存取存储器阵列包括：若干第一沟道柱组，包括若干第一沟道柱；若干第二沟道柱组，包括若干第二沟道柱，第一沟道柱与对应的第二沟道柱具有重叠区域；若干第一字线栅，每个第一字线栅控制1个第一沟道柱组...
    2026-03-24
  • 芯片及其制备方法、存储器、电子设备
    芯片及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411284930.4
    本申请提供一种芯片及其制备方法、存储器、电子设备，可以避免第二沟道或第一沟道过薄或过厚。芯片包括衬底和设置在衬底上的晶体管组，晶体管组包括依次邻接的第一晶体管、介电层、第二晶体管。第一晶体管包括第一栅结构，及依次层叠设置的第一极、第一沟道、...
    2026-03-24
  • 半导体结构以及半导体结构的制作方法
    半导体结构以及半导体结构的制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411282682.X
    一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该制作方法包括：提供衬底；于衬底上形成由多个半导体材料层和多个绝缘材料层交替堆叠的叠层结构；于叠层结构中形成沟道区叠层和初始栅极柱，初始栅极柱至少包括初始栅导电层以及初始栅介质层，初始栅极柱具有两个相...
    2026-03-24
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511253141.9
    本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括形成在衬底的第一侧上并由供电电压供电的存储器单元；第三金属化层，形成在第一侧上并包括第三金属轨道，第三金属轨道中的至少一个被配置为仅承载非电源信号而不是承载供电电压；第四金属化层，形...
    2026-03-24
  • 半导体设备
    半导体设备_三星电子株式会社_202510928952.8
    一种半导体设备，包括：单元阵列区域，包括沿着彼此相交的第一方向和第二方向二维布置的单位存储器单元；第一外围电路区域，包括沿着第二方向布置的第一单位外围单元，该第一外围电路区域和该单元阵列区域沿着第一方向布置；以及第二外围电路区域，包括沿着第...
    2026-03-24
  • 一种贴片机利用率计算与运行过程监控方法及系统
    一种贴片机利用率计算与运行过程监控方法及系统_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202511685464.5
    本发明公开了一种贴片机利用率计算与运行过程监控方法及系统，涉及集成电路封装领域。本发明基于计算机软件构建贴片设备时间利用率基线计算模型，并通过数据采集以及基于数采数据的业务分析、数据处理与分析建立贴片设备状态与利用率实时计算方法与监控系统，...
    2026-03-24
  • 电子组件保护方法、装置及电子设备的生产系统
    电子组件保护方法、装置及电子设备的生产系统_珠海市晶讯物联技术有限公司_202511662281.1
    一种电子组件保护方法、装置及电子设备的生产系统，包括：在电路板半成品测试完成后，对电池保护芯片的状态进行检测；若电池保护芯片处于激活状态，通过测试系统控制电池保护芯片进入船运模式；在确认电池保护芯片已成功进入船运模式后，将电路板半成品流转至...
    2026-03-24
  • 一种基于视觉定位的微流控芯片自动贴合设备及方法
    一种基于视觉定位的微流控芯片自动贴合设备及方法_苏州捷研芯电子科技有限公司_202511887532.6
    本发明提供一种基于视觉定位的微流控芯片自动贴合设备，包括安装架及与安装架结合安装的芯片定位组件、位置定位调整组件、中间定位取料组件、PCB定位组件；所述芯片定位组件对芯片进行定位和调整，所述位置定位调整组件包括三轴自动调节平台和位置调整摄像...
    2026-03-24
  • 一种车载充电机壳体及车载充电机
    一种车载充电机壳体及车载充电机_常州是为电子有限公司_202610013979.9
    本申请涉及一种车载充电机壳体，属于汽车充电技术领域，其包括底壳，底壳内设置有循环液道，循环液道和底壳共同连接有若干屏蔽板，屏蔽板、底壳和循环液道共同分隔出滤波单元安装区域和功率单元安装区域，循环液道和底壳共同围设出磁性器件安装区域；还包括上...
    2026-03-24
  • 一种宽频带吸波复合材料及其制备方法
    一种宽频带吸波复合材料及其制备方法_西北工业大学_202512024853.X
    本申请公开了一种宽频带吸波复合材料及其制备方法，具体涉及吸波材料的领域。包括：将黄原胶粉末制备成凝胶溶液；将硝酸镧、六水合硝酸锶、六水合硝酸钴、九水合硝酸铁及四水合氯化锰混合在溶剂中，得到金属盐前驱体溶液；将所述凝胶溶液和金属盐前驱体溶液混...
    2026-03-24
  • 抑制射频干扰的系统及方法
    抑制射频干扰的系统及方法_中国移动通信集团终端有限公司_202511901961.4
    本发明实施例提供了一种抑制射频干扰的系统及方法，属于无线通信领域，系统包括：相对设置的电路板和金属平面结构；金属平面结构上设置有至少两个接地点，改变接地点的实际接地状态能够改变金属平面结构的谐振频率，以抑制射频干扰，射频干扰是由电路板上的辐...
    2026-03-24
  • 一种宽带角度不敏感非线性电磁透射调制表面及工作方法
    一种宽带角度不敏感非线性电磁透射调制表面及工作方法_西北工业大学_202511879317.1
    本发明公开了一种宽带角度不敏感非线性电磁透射调制表面及工作方法，包括若干结构单元，若干结构单元周期性排列；结构单元包括金属层和介质基板，介质基板为正方形结构，金属层设置在介质基板上，金属层中设置有锯齿结构、方形金属环和PIN二极管，方形金属...
    2026-03-24
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