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最新专利技术
  • 高压器件及其制作方法
    高压器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411194441.X
    本发明提供一种高压器件及其制作方法。所述高压器件的制作方法包括：提供顶面形成有垫氧化层的基底；在基底中形成多个隔离结构以及由多个隔离结构限定出的隔离墙和多个有源区，多个有源区包括相邻的第一有源区和第二有源区，隔离墙位于第一有源区和第二有源区...
    2026-03-22
  • 一种基于电源晶圆的三维芯片堆叠供电系统及方法
    一种基于电源晶圆的三维芯片堆叠供电系统及方法_广东省智能科学与技术研究院_202511822050.2
    本发明涉及半导体封装与芯片供电技术领域，具体是一种基于电源晶圆的三维芯片堆叠供电系统及方法，所述系统包括集成电源晶圆、计算芯片及电源外围器件；集成电源晶圆内集成高密度电容阵列，表面形成再布线层，且配置分布式电压调节模块；计算芯片为已知合格芯...
    2026-03-22
  • 具有正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯的堆叠半导体管芯架构
    具有正交于基底管芯或衬底堆叠的管芯的堆叠半导体管芯架构_英特尔公司_202511088823.9
    本发明公开了具有管芯堆叠体的微电子组件，所述管芯堆叠体被设置成使得所述堆叠体中的每一管芯的面正交于基底的面。每个管芯具有第一面和与第一面相对的第二面。管芯堆叠体包括多个管芯，其中每一管芯的面平行于管芯堆叠体中的其它管芯的面。管芯堆叠体设置于...
    2026-03-22
  • 功率模块及具有其的电力装置
    功率模块及具有其的电力装置_北京怀柔实验室_202610164727.6
    本发明提供了一种功率模块及具有其的电力装置，其中，功率模块包括：第一导电层、第二导电层、第一芯片以及第二芯片，第一导电层上间隔设置有第一安装区域和第二安装区域，第一芯片设置在第一安装区域内并与第二导电层导电连接，第二芯片设置在第二导电层上，...
    2026-03-22
  • 一种基于微电路组装工艺的控制驱动模块
    一种基于微电路组装工艺的控制驱动模块_北京精密机电控制设备研究所_202511656391.7
    一种基于微电路组装工艺的控制驱动模块，包括：第一基板、功率单元、第二基板、驱动单元、第三基板、控制单元、竹节铜柱、钉头铜柱、铆柱；第一基板安装在金属底座上，四个铆柱分布在第一基板的四角，铆柱从下向上依次穿过第二基板和第三基板，为三层基板提供...
    2026-03-22
  • GaN/SiC共源共栅功率器件的封装
    GaN/SiC共源共栅功率器件的封装_香港科技大学_202511205273.4
    一种由第一晶体管组和第二晶体管组形成的GaN/SiC共源共栅功率器件。第一晶体管组具有一个或多个低压常关型GaN高电子迁移率晶体管。第二晶体管组具有一个或多个高压常开型SiC结型场效应晶体管。主干层机械地支撑这两个晶体管组中的相应晶体管，并...
    2026-03-22
  • 半导体封装模块及PFC电路模块
    半导体封装模块及PFC电路模块_华润微集成电路(无锡)有限公司_202411220870.X
    本申请提供一种半导体封装模块及PFC电路模块。所述半导体封装模块包括基板、开关管、整流电路、第一二极管、多个端子及塑封体。所述开关管、所述整流电路及所述第一二极管位于所述基板的同一侧；所述开关管包括控制极、第一极和第二极；所述第一极与所述第...
    2026-03-22
  • 晶体管结构及其制造方法
    晶体管结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411300238.6
    本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。所述晶体管结构包括栅极、掺杂区以及栅介电结构。所述栅极设置于基底上，且包括第一部分与第二部分，其中所述第二部分围绕所述第一部分，且所述第一部分的材料与所述第二部分的材料不同。所述掺杂区设置于所述栅极的两...
    2026-03-22
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411248436.2
    一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底，包括第一区域；功能层，位于所述第一区域上的所述衬底上；第一栅极，位于所述功能层上，所述第一栅极在所述衬底上的投影区位于所述功能层在所述衬底上的投影区内；金属硅化物层，位于所述衬底内，与所述...
    2026-03-22
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法
    屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202411116737.X
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，栅间介质层包括位于所述屏蔽栅结构上的第一栅间介质层和位于所述第一栅间介质层上的第二栅间介质层，所述第一栅间介质层较所述第二栅间介质层致密，所述栅间介质层呈两端凸起于中部状，由此，使得控制栅电极...
    2026-03-22
  • 一种基于聚合物的干法电极转移方法
    一种基于聚合物的干法电极转移方法_中国科学技术大学_202511899868.4
    本发明公开了一种基于聚合物的干法电极转移方法，在二维材料电子器件制备领域，传统湿法电极转移技术因依赖溶剂处理，不可避免地导致金属电极或功能层转移至目标基底时出现界面污染、溶剂残留及材料损伤等问题。具体表现为：有机溶剂或去胶剂会在电极/半导体...
    2026-03-22
  • 一种双向半导体器件及其制备方法
    一种双向半导体器件及其制备方法_广东致能半导体有限公司_202511621759.6
    本发明涉及一种双向半导体器件及其制备方法，所述双向半导体器件包括：功能区，其中包括二维载流子气；电极组，其的第一电极和第一控制电极分别与第二电极和第二控制电极对称分布在所述功能区中，第一电极和第二电极分别能够与二维载流子气电气连接；电极场板...
    2026-03-22
  • SiC外延晶片
    SiC外延晶片_株式会社力森诺科_202511288248.7
    本公开涉及SiC外延晶片。目的在于提供定位槽附近的SiC外延层的膜厚偏差小的SiC外延晶片。该SiC外延晶片具有定位槽。所述定位槽具有将所述定位槽的最内侧点与所述晶片的外周相连的第1边和第2边。所述第1边相比于所述最内侧点位于[‑1‑120...
    2026-03-22
  • 一种提高功率器件短路耐受能力的平面结构及其器件
    一种提高功率器件短路耐受能力的平面结构及其器件_电子科技大学_202511857405.1
    本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种槽栅功率器件表面集成反偏二极管的栅极保护结构及其器件。反偏二极管阴极接多晶硅栅(7)、阳极导体接源极金属(12)，通过电热反馈栅极电压调节机制，实现对短路事件的主动防护显著提升器件的短路耐受能力，同...
    2026-03-22
  • 碳化硅器件、制备方法及新能源设备
    碳化硅器件、制备方法及新能源设备_珠海格力电子元器件有限公司_202511840611.1
    本申请提供了一种碳化硅器件、制备方法及新能源设备，可广泛应用于新能源技术领域，该碳化硅器件包括：包括碳化硅本体，所述碳化硅本体的表面设置有：多个管芯区；各个所述管芯区具有多个顶角；划片道，位于所述多个管芯区之外的区域形成所述划片道，所述划片...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411912734.7
    本实施方式的半导体装置具备：基板；氮化物半导体层，设置在基板上，具有第一层和设置在第一层上且带隙比第一层宽的第二层；源极电极；漏极电极；栅极电极，在第一方向上位于源极电极与漏极电极之间；以及绝缘膜，设置在栅极电极与氮化物半导体层之间，氮化物...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411246731.4
    本发明实施例提供一种半导体器件及其形成方法，其中，所述半导体器件包括：基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的支撑结构以及位于所述支撑结构上的鳍部；浅沟槽隔离结构，位于所述衬底上和所述支撑结构、所述鳍部底部以及所述衬底顶面之间形成的刻蚀空腔...
    2026-03-22
  • 一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构
    一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构_安建科技有限公司_202411224631.1
    一种提高功率器件芯片可靠性的外围结构，本发明涉及功率半导体技术领域，一种防止污染物离子入侵芯片内部的器件外围结构，本发明通过在所述的器件区域和电场截止区域之间设置防止外部污染物离子进入芯片内部的防离子入侵区域的方式，该防离子入侵区域和相邻的...
    2026-03-22
  • 新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件
    新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件_杭州镓仁半导体有限公司_202511958834.8
    本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件，通过准备衬底；在所述衬底上生长铟镓氧外延层；在所述铟镓氧外延层上生长铝镓氧外延层，使所述铟镓氧外延层与所述铝镓氧外延层的界面处形成二维电子气，形成铟镓...
    2026-03-22
  • 半导体装置
    半导体装置_台湾中山大学_202411829102.4
    一种半导体装置包括基板、半导体层、源极电极、漏极电极以及栅极电极。半导体层设置于基板上。源极电极直接接触半导体层。漏极电极直接接触半导体层。栅极电极位于源极电极与漏极电极之间，其中栅极电极直接接触半导体层。通过设计此半导体装置为击穿式N型金...
    2026-03-22
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