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最新专利技术
  • 一种光芯片及显示设备
    一种光芯片及显示设备_华为技术有限公司_202411198062.8
    本申请提供一种光芯片及显示设备，光芯片可以包括衬底、以及分别设于衬底之上的多个半导体叠层结构、多个第一电极、第二电极和第一绝缘层；第一电极位于半导体叠层结构与衬底之间，任意相邻两个半导体叠层结构之间具有沟槽；第二电极包括至少一个本体和多个延...
    2026-03-21
  • 一种基于氮化硅与氮化镁复合结构的GaN基P型欧姆接触结构及其制备方法
    一种基于氮化硅与氮化镁复合结构的GaN基P型欧姆接触结构及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511694913.2
    本发明公开了一种基于氮化硅与氮化镁复合结构的GaN基P型欧姆接触结构及其制备方法，该欧姆接触结构设置于P型GaN层之上，包括一个SiN/MgN复合结构。所述SiN/MgN复合结构由1‑3个周期的SiN层和MgN层堆叠而成；其中SiN层厚度为...
    2026-03-21
  • 发光二极管及其制备方法、发光基板及其驱动方法、驱动装置和发光设备
    发光二极管及其制备方法、发光基板及其驱动方法、驱动装置和发光设备_京东方科技集团股份有限公司_202411216704.2
    本公开实施例提供一种发光二极管及其制备方法、发光基板及其驱动方法、驱动装置和发光设备。发光二极管包括：第一外延结构，包括依次叠层设置的第一N型掺杂半导体层、第一多量子阱层和第一P型掺杂半导体层，还包括第一金属层，第一N型掺杂半导体层包括叠层...
    2026-03-21
  • 一种提高亮度和抗静电能力的LED外延结构及其制备方法
    一种提高亮度和抗静电能力的LED外延结构及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511883693.8
    本发明涉及发光二极管的技术领域，公开了一种提高亮度和抗静电能力的LED外延结构及其制备方法。提高亮度和抗静电能力的LED外延结构包括依次设置的缓冲层、N型AlGaN层、N型GaN层、多量子阱层、末量子阱层、末量子垒层、P型InAlGaN层、...
    2026-03-21
  • GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法、GaN基蓝绿光LED
    GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法、GaN基蓝绿光LED_佛山市国星半导体技术有限公司_202511868178.2
    本发明公开了一种GaN基蓝绿光LED外延结构及其制备方法、GaN基蓝绿光LED，GaN基蓝绿光LED外延结构包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、3D层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P‑GaN层；其中，所述多量子阱...
    2026-03-21
  • 一种高发光效率LED外延结构及其制备方法
    一种高发光效率LED外延结构及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511847132.2
    一种高发光效率LED外延结构及其制备方法，该LED外延结构包括衬底，以及在衬底上依次层叠的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、复合多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层；复合多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的N型多量子阱发光层、混...
    2026-03-21
  • 高抗水解LED外延片及其制备方法
    高抗水解LED外延片及其制备方法_佛山市国星半导体技术有限公司_202511721538.6
    本发明公开了一种高抗水解LED外延片及其制备方法，所述高抗水解LED外延片包括衬底和依次层叠于所述衬底上的缓冲层、3D GaN层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，所述U型GaN层包括依次层...
    2026-03-21
  • 一种改进的AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法
    一种改进的AlGaN/h-BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法_深圳市湾众亿鑫科技有限公司_202511695679.5
    本发明公开了一种改进的AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED及其制备方法，涉及半导体光电子器件制备技术领域，深紫外LED包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n‑型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p‑型A...
    2026-03-21
  • 一种薄膜微型二极管的制备方法及薄膜微型二极管
    一种薄膜微型二极管的制备方法及薄膜微型二极管_厦门大学_202511954042.3
    本发明公开了一种薄膜微型二极管的制备方法及薄膜微型二极管，应用于微型二极管技术领域，包括：设置纳米图形衬底；纳米图形衬底基于设置的纳米柱形成有顶层部和底层部，基于激光剥离工艺的激光照射至顶层部的能量密度与照射至底层部的能量密度之间的差值，不...
    2026-03-21
  • 一种倒装封装支架制作方法
    一种倒装封装支架制作方法_东莞市春瑞电子科技有限公司_202511926054.5
    本发明公开了一种倒装封装支架制作方法，包括基板和一体成型的碗杯片；第一步，在基板的表面形成若干焊盘单元，每个焊盘单元中包含有若干功能焊盘，位于焊盘单元的底部形成若干引脚与功能焊盘连通；第二步，制作碗杯片，每个碗杯片中包含有若干杯体；第三步，...
    2026-03-21
  • 一种高晶体质量发光二极管外延片及其制备方法
    一种高晶体质量发光二极管外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511853349.4
    本发明公开了一种高晶体质量发光二极管外延片及其制备方法，该方法包括：在衬底上沉积缓冲层后、沉积三维成核层之前，对所述缓冲层在包含H2和NH3且不含N2的气氛中，于低压及高温条件下进行高温重结晶处理；随后，在同样不含N2的气氛中依次沉积低温三...
    2026-03-21
  • 一种蓝绿双波外延结构及其生长方法
    一种蓝绿双波外延结构及其生长方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511853320.6
    本发明公开了一种蓝绿双波外延结构及其生长方法，该方法旨在解决现有技术中蓝光阱晶体质量差、整体发光强度低及蓝绿峰强比不可控的问题。该方法包括：在N型GaN层上生长高温前级阱；在高温前级阱上生长第一有源区；在第一有源区上生长应力释放层；在应力释...
    2026-03-21
  • LED的制作方法、LED的制作设备和显示面板
    LED的制作方法、LED的制作设备和显示面板_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202511784113.X
    本申请公开了一种LED的制作方法、LED的制作设备和显示面板，主要涉及LED的制作技术领域，LED的制作方法包括步骤：提供生长基板和暂态基板，所述暂态基板包括暂态衬底和第一粘胶层；在所述生长基板上形成第一牺牲层；在所述生长基板上所述第一牺牲...
    2026-03-21
  • 一种低位错密度的锌掺杂氮化镓缓冲层制备方法及相应的缓冲层结构和半导体器件
    一种低位错密度的锌掺杂氮化镓缓冲层制备方法及相应的缓冲层结构和半导体器件_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511694914.7
    本发明公开了一种低位错密度的锌掺杂氮化镓缓冲层制备方法及相应的缓冲层结构和半导体器件。所述方法包括：在衬底上依次生长第一非掺杂GaN子层、第二Zn掺杂GaN子层和第三非掺杂GaN子层以形成缓冲层；其中，所述第二Zn掺杂GaN子层的DEZn流...
    2026-03-21
  • 一种LED灯丝封装工艺
    一种LED灯丝封装工艺_江苏般若电子工业有限公司_202511498172.0
    本发明涉及灯丝封装技术领域，具体为一种LED灯丝封装工艺，包括以下步骤：采用超临界二氧化碳流体辅助等离子体处理技术对柔性基板表面进行预活化，在预活化基板上通过飞秒激光直写技术制备具有双曲率仿生蛾眼结构的微纳阵列，在微纳阵列表面通过脉冲激光沉...
    2026-03-21
  • 一种抗硫化LED封装工艺
    一种抗硫化LED封装工艺_江苏般若电子工业有限公司_202511465409.5
    本发明涉及灯具封装技术领域，具体为一种抗硫化LED封装工艺，包括以下步骤：在LED芯片表面制备具有梯度硫阻隔结构的复合保护层，采用脉冲激光沉积技术制备所述复合保护层，使用含动态硫阻隔网络的有机硅封装材料进行整体封装；有益效果为：通过梯度硫阻...
    2026-03-21
  • 微型LED显示芯片及其粗化方法
    微型LED显示芯片及其粗化方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411142917.5
    一种微型LED显示芯片及其粗化方法，所述方法包括：提供具有发光台面的微型LED结构，所述发光台面的表面具有出光面；通过第一气体对所述出光面进行等离子体轰击，以及通过第二气体对所述出光面进行干法刻蚀处理，以在所述出光面形成粗化结构。本发明可以...
    2026-03-21
  • 微型LED显示芯片及其粗化方法
    微型LED显示芯片及其粗化方法_上海显耀显示科技股份有限公司_202411142854.3
    一种微型LED显示芯片及其粗化方法，所述方法包括：提供微型LED结构，所述微型LED结构包括发光台面，所述发光台面的表面具有出光面；在所述出光面上形成牺牲层；对所述牺牲层的表面进行第一粗化处理，以形成第一粗化结构；对具有所述第一粗化结构的所...
    2026-03-21
  • 一种次毫米发光二极管及其制备方法
    一种次毫米发光二极管及其制备方法_重庆翰博显示科技研发中心有限公司_202410964659.2
    本发明涉及Mini LED显示技术领域，具体涉及一种次毫米发光二极管及其制备方法，包括以下步骤：于覆盖有热解膜的基板上依次设置分布式布拉格反射镜、扩散层、量子点层及有机硅保护层；通过蓝膜将GaN芯片扩晶成特定的距离排列，并将GaN芯片与涂布...
    2026-03-21
  • 光伏电池及其制备方法
    光伏电池及其制备方法_晶科能源(上饶)有限公司_202610147998.0
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及光伏电池及其制备方法，其中，光伏电池包括具有相对设置的第一表面及第二表面的单晶硅衬底，以及沿依次设置于第一表面的第一掺杂半导体层、第一钝化层和第一电极；第一表面形成有绒面，绒面具有若干个第一金字塔结构，第一金...
    2026-03-21
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