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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 集成的平面-沟道栅极功率MOSFET
    集成的平面-沟道栅极功率MOSFET_万国半导体国际有限合伙公司_202210390724.6
    晶体管器件及其制造方法，包括重掺杂第一导电类型的衬底和在衬底顶部轻掺杂第一导电类型的外延层。在外延层中形成掺杂有第二导电类型的本体区域，其中第二导电类型与第一导电类型相对，并且在外延层的本体区域中形成掺杂有第一导电类型的源区域。具有平面栅极...
    2025-12-29
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
    绝缘栅双极型晶体管及其制作方法_吉林华微电子股份有限公司_202210719266.6
    本申请实施例提供的绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，涉及半导体功率器件及制造领域。为有效降低导通压降，N型电荷存储层中空穴浓度会显著上升，这会导致绝缘栅双极型晶体管在反向阻断时N型电荷存储层内的场强会指数级上升，集电极‑发射极反向阻断电压下降...
    2025-12-29
  • 一种聚醚改性磷酸酯分散剂及其应用
    一种聚醚改性磷酸酯分散剂及其应用_东莞市里迪科技有限公司_202510372602.8
    本发明涉及锂离子电池正极分散剂技术领域，具体为聚醚改性磷酸酯分散剂及其应用，其中聚醚改性磷酸酯分散剂与传统的磷酸酯分散剂相比，其用途更广泛，在锂离子电池正极浆料中的分散效果更佳、加工得到的正极片柔韧性更强；同时涉及该聚醚改性磷酸酯分散剂在锂...
    2025-12-29
  • 一种MOSFET结构及其制备方法
    一种MOSFET结构及其制备方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511233896.2
    本发明公开了一种MOSFET结构及其制备方法，属于半导体技术领域；包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；本发明通过在N漂移层中间设置轻掺杂N层，并配合两侧弧形侧对称P‑层的设计，有效优化了器...
    2025-12-29
  • 小型挖掘机用装载拖车
    小型挖掘机用装载拖车_青岛博世恩特种车辆制造有限公司_202423079716.3
    本实用新型公开一种小型挖掘机用装载拖车，包括车体框架，所述车体框架的前端固定连接有牵引架，所述车体框架的底部两侧均等距设置有移动轮，所述车体框架远离牵引架的一端设置有下斜框架，所述下斜框架远离车体框架的一端两侧均转动连接有尾板框架，所述车体...
    2025-12-29
  • 电池单体、电池装置、用电装置和储能装置
    电池单体、电池装置、用电装置和储能装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202511353236.8
    本公开提供一种电池单体、电池装置、用电装置和储能装置，电池单体包括正极极片、负极极片和电解质，所述正极极片包括正极集流体和设置在所述正极集流体表面至少一侧的正极膜层，所述正极膜层的截面图中，基于所述正极膜层中颗粒的总面积计，所述正极膜层中圆...
    2025-12-29
  • 电压生成电路
    电压生成电路_三美电机株式会社_202510822724.2
    一种电压生成电路，具备：第一端子，被供给第一电压；第二端子，被供给第二电压；多个扩散电阻，设置在半导体基板上，串联连接在第一端子与第二端子之间，具有第一导电型；多个区域，设置在半导体基板上，分别包围多个扩散电阻，具有与第二导电型；第一晶体管...
    2025-12-29
  • 车辆增程器的控制方法、计算机设备和存储介质
    车辆增程器的控制方法、计算机设备和存储介质_赛力斯汽车有限公司_202511402591.X
    本申请涉及一种车辆增程器的控制方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取车辆的增程器的当前工作状态；若检测到当前工作状态表征启动，则获取增程器的各候选控制参数对应的总燃油消耗数据，以及根据车辆的实际电池荷电状态，得...
    2025-12-29
  • 一种风力发电用电箱安装设备
    一种风力发电用电箱安装设备_兰西晟晖发电有限公司_202511728575.X
    本发明涉及风力发电配件领域，公开了一种风力发电用电箱安装设备，包括支撑辅助机构位于对置铰接机构上，配合悬置台架与悬置底台用于电箱户外安装时的缓冲作业；对置支撑机构位于对置铰接机构上，配合悬置底台形成户外电箱安装支撑结构，并可进行同步位移；悬...
    2025-12-29
  • 一种可全向移动的轻薄无人车底盘
    一种可全向移动的轻薄无人车底盘_中兵智能创新研究院有限公司_202511403037.3
    本发明公开了一种可全向移动的轻薄无人车底盘，包括壳体，壳体内设有T字形安装架，安装架内设有感知避障模块，驱动装置包括分布于安装架左右两端的第一驱动模块和第二驱动模块呈T字形设于安装架内，安装架可通过驱动装置全方位移动。第二驱动模块包括固定板...
    2025-12-29
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511408373.7
    一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：若干元胞单元，每个元胞单元包括：氮化镓层；位于氮化镓层内的第一势垒层和第二势垒层；调制氮化镓层，其内掺杂有P型离子；栅极电极，与调制氮化镓层电连接；位于栅极电极两侧的源极电极，分别与氮化镓层电连接；...
    2025-12-29
  • 信息系统和用于运行信息系统的方法
    信息系统和用于运行信息系统的方法_宝马股份公司_202480034944.2
    本发明涉及一种信息系统(100)，其包括：‑至少一个日志消息接收单元(10)，‑至少一个日志消息存储器(30)和‑至少一个加密系统(20)，所述日志消息接收单元(10)构造用于接收尤其是来自车辆(50)的日志消息(PN)，所述日志消息分别包...
    2025-12-29
  • 一种光伏逆变器包装箱
    一种光伏逆变器包装箱_苏州海鹏科技有限公司_202520323770.3
    本实用新型揭示了一种光伏逆变器包装箱，包括纸箱主体和内置在纸箱主体内的缓冲盒，缓冲盒包括相拼接的底部缓冲盒体和顶部缓冲盒体；底部缓冲盒体包括用于收容逆变器主体的底部型槽、用于插接接线防水罩的防水罩插接槽；顶部缓冲盒体包括用于与底部型槽相配合...
    2025-12-29
  • 一种房建施工的塔吊用防脱线导向轮装置
    一种房建施工的塔吊用防脱线导向轮装置_高晋晋_202520187893.9
    本实用新型公开了一种房建施工的塔吊用防脱线导向轮装置，涉及导向轮技术领域，该房建施工的塔吊用防脱线导向轮装置，包括导向轮，所述导向轮的两侧均开设有连接槽，所述连接槽的截面呈凸形，两个所述连接槽的内壁滑动连接有呈U形的安装板，所述安装板的表面...
    2025-12-29
  • 一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺
    一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺_杭州清芯微电子有限公司_202511205237.8
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种分段式碳化硅MOSFET结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、栅极和源极，所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、N阱层、P阱层和P+层，所述...
    2025-12-29
  • 一种锌基自修复防腐涂料及其制备方法
    一种锌基自修复防腐涂料及其制备方法_江苏申隆锌业有限公司_202511137983.8
    本发明公开了一种锌基自修复防腐涂料及其制备方法，属于金属涂料制备技术领域。所述制备方法包括以下步骤：有机硅改性锌粉灌封涂料、环氧树脂包裹导电炭黑涂料、消泡剂和流平剂混合并以800r/min的转速搅拌20min得到锌基自修复防腐涂料。本发明通...
    2025-12-29
  • 一种手推车驱动装置及电动手推车
    一种手推车驱动装置及电动手推车_东莞市精芯产品设计有限公司_202511448965.1
    本发明涉及手推车技术领域，尤其涉及一种手推车驱动装置及电动手推车，所述一种手推车驱动装置，包括动力输出轴、主动离合轮、动力输出齿轮、从动离合轮、旋转动力机构、限位弹片，所述旋转动力机构包括齿轮座、电机、一级太阳轮、一级行星架、至少三个一级行...
    2025-12-29
  • 权限管理方法、相关装置及系统
    权限管理方法、相关装置及系统_华为技术有限公司_202510779567.1
    本申请公开了权限管理方法、相关装置及系统。在该方法中，电子设备仅在接收到作用于系统控件的用户操作后，将对应的权限授予应用，然后基于该权限对应的业务。在用户通过用户操作触发业务时授权，可以避免应用在用户没有操作意图时获取到权限并利用该权限获取...
    2025-12-29
  • 一种临床护理患者信息监测录入方法及系统
    一种临床护理患者信息监测录入方法及系统_都汇康健(成都)医疗科技有限公司_202511716871.8
    本发明提出一种临床护理患者信息监测录入方法及系统，提高了数据准确性、数据录入效率和隐私保护的安全性；首先，通过多种生理传感器实时采集并预处理患者的生命体征数据；然后，采集护理记录图像，并通过OCR模型获取护理记录数据，采集护理信息语音，并通...
    2025-12-29
  • 一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法
    一种GaN HEMT器件、P-GaN延伸层的制备方法_江苏能华微电子科技发展有限公司_202511341047.9
    本发明提供了一种GaN HEMT器件、P‑GaN延伸层的制备方法，属于半导体领域。本发明提供了一种GaN HEMT器件，包括依次层叠的P‑GaN层和AlGaN垒势层；所述P‑GaN层的内部插入有插入层，水平方向上，所述插入层与P‑GaN层相...
    2025-12-29
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