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最新专利技术
  • 一种屏蔽室的电磁波屏蔽系统
    一种屏蔽室的电磁波屏蔽系统_重庆德生鼎盛实业发展有限公司_202510233749.9
    本发明涉及电磁波屏蔽技术领域，公开了一种屏蔽室的电磁波屏蔽系统，包括多个侧墙体，一处侧墙体拐角处呈内陷，内陷的侧墙体包括前侧内嵌墙与右侧内嵌墙，所述屏蔽门设置于前侧内嵌墙上；所述屏蔽门包括门框、门扇和铰链组件，所述铰链组件位于门框靠近右侧内...
    2026-01-20
  • 屏蔽罩、电路板组件以及电子设备
    屏蔽罩、电路板组件以及电子设备_OPPO广东移动通信有限公司_202510243034.1
    本申请提供了一种屏蔽罩、电路板组件以及电子设备；该屏蔽罩包括第一封装片、第二封装片、支撑件以及压电微泵，支撑件设于第一封装片和第二封装片形成的容纳腔内并形成有流道，流道内填充有导热介质，压电微泵与所述流道连通，并用于驱动导热介质沿流道流动；...
    2026-01-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510232122.1
    一种半导体装置的制造方法，包括:形成虚设通道结构；形成围绕虚设通道结构的栅极电极；形成围绕栅极电极的字元线；移除虚设通道结构以形成开口；在开口中形成栅极介电层；以及在开口中形成通道结构。基于此配置，半导体装置的稳定性和效率可以被提升。
    2026-01-20
  • 薄膜晶体管及其制作方法及显示器
    薄膜晶体管及其制作方法及显示器_惠科股份有限公司_202510238712.5
    本公开提供一种薄膜晶体管及其制作方法及显示器。其中，薄膜晶体管的源漏电极层与驱动电极层通过连接孔连接。在薄膜晶体管的制作过程中，在第一绝缘层制作完成后，便可在第一绝缘层上制作有机平坦层和公共电压层，并使得有机平坦层在驱动电极绝缘层的投影位于...
    2026-01-20
  • 一种基于ZnO薄膜异质结的结型场效应晶体管及其制备方法
    一种基于ZnO薄膜异质结的结型场效应晶体管及其制备方法_华中科技大学_202510234204.X
    本发明属于微电子及压电电子技术领域，具体涉及一种基于ZnO薄膜异质结的结型场效应晶体管及其制备方法。所述晶体管包括P型硅衬底、N型氧化锌薄膜、源电极、漏电极和栅电极；所述P型硅衬底的上表面和下表面分别对称设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹...
    2026-01-20
  • 一种利用离子型范德华单晶Sb4O5Cl2调控二维半导体材料载流子的方法
    一种利用离子型范德华单晶Sb<Sub>4</Sub>O<Sub>5</Sub>Cl<Sub>2</Sub>调控二维半导体材料载流子的方法_华中科技大学_202510229875.7
    本发明涉及一种利用离子型范德华单晶Sb4O5Cl2调控二维半导体材料载流子的方法，属于二维材料制备领域。利用热释放胶将剥离得到的单晶纳米片Sb4O
    2026-01-20
  • 一种半导体结构的制作方法和半导体结构
    一种半导体结构的制作方法和半导体结构_广州增芯科技有限公司_202510232679.5
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法和半导体结构，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成N型掩埋层，并在衬底和N型掩埋层表面形成外延层，部分N型掩埋层位于衬底内；在外延层内形成暴露表面的第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构位于N型掩埋层上方；...
    2026-01-20
  • 阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法
    阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法_昆山国显光电有限公司_202510230424.5
    本申请提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，阵列基板包括第一类型晶体管和第二类型晶体管，第一类晶体管为垂直沟道晶体管，第二类晶体管为水平沟道晶体管，第一类晶体管包括第一有源结构，第二类晶体管包括第二有源结构，第一有源结构与第二有...
    2026-01-20
  • 单探测器光谱仪的原型器件、其制备方法、探测器和应用
    单探测器光谱仪的原型器件、其制备方法、探测器和应用_中国科学院物理研究所_202510230162.2
    本发明提供了一种单探测器光谱仪的原型器件、其制备方法、探测器和应用。所述原型器件包括自下而上依次设置的：衬底、p型金属电极、p型缓冲层、p型电子势垒层、n型组分渐变层、n型接触层、n型金属电极和钝化层。本发明将基于材料的带隙渐变PN结，具有...
    2026-01-20
  • 一种电池组件和光伏系统
    一种电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202510238756.8
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池组件和光伏系统。电池组件包括：若干电池串、第一胶膜、预固定膜和反光件，电池串包括电池片和焊带，焊带连接电池串中相邻两个电池片，相邻两个电池串之间形成间隙，第一胶膜和预固定膜分别位于电池片的两侧，...
    2026-01-20
  • 一种太阳能电池及其电极制备方法
    一种太阳能电池及其电极制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202510240708.2
    本发明公开了一种太阳能电池及其电极制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，该方法的具体实施包括：在电池载体的至少一侧主表面上制备间隔排列的多个导电位点；将设置有可焊性金属的导电条放置在导电位点上；其中，可焊性金属与导电位点接触；将导电条和电池...
    2026-01-20
  • 一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法
    一种级联降噪平面型雪崩光电二极管和制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202510231540.9
    本发明涉及红外光电器件领域，特别是一种级联降噪平面型雪崩光电二极管，在衬底和帽层之间包含级联倍增区。在级联倍增区中形成PN结，且该PN结是平面型PN结。本发明还包含级联降噪平面型雪崩光电二极管的制备方法。本发明对线性雪崩光电二极管结构进行改...
    2026-01-20
  • 一种背接触电池的电极金属化方法
    一种背接触电池的电极金属化方法_陕西众森电能科技有限公司_202510231793.6
    一种背接触电池的电极金属化方法，属于太阳电池技术领域，其特征在于：在背接触电池的背面印刷点状银浆并烘干烧结固化；在银浆上方印刷锡膏并烘干；在两锡膏间印刷胶水；将印刷有锡膏和胶水的背接触电池铺设在金属箔上，使金属箔与背接触电池紧密贴合；加热使...
    2026-01-20
  • 硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法和光伏组件
    硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202510232892.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法和光伏组件。本申请旨在解决现有硼扩散方法因扩散均匀性不佳，导致方阻的一致性较差，从而影响太阳能电池的光电转换效率的问题。为此目的，本申请的硼扩散方法包括在硅片的一面...
    2026-01-20
  • 太阳能电池的制造方法
    太阳能电池的制造方法_天合光能股份有限公司_202510232964.7
    本申请提供了一种太阳能电池的制造方法，涉及光伏技术领域。本申请通过在磷扩散工艺的降温处理过程中向扩散腔室内通入氧气和磷源，并控制所述氧气的流量为500‑1500sscm，所述磷源的流量为100‑1000sscm，然后使用激光照射至少部分区域...
    2026-01-20
  • 一种太阳电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳电池、电池组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202510237732.0
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统，该太阳电池包括：硅基底，硅基底包括第一区域和第二区域，第一区域内设置P型多晶硅层，第二区域内设置N型多晶硅层；P型多晶硅层包括若干P型晶粒，N型多晶硅层包括若干N型晶粒，第一...
    2026-01-20
  • 一种太阳电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳电池、电池组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202510238032.3
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统，该太阳电池包括：硅基底，硅基底包括第一区域和第二区域，第一区域内设置P型多晶硅层，第二区域内设置N型多晶硅层；P型多晶硅层包括若干P型晶粒，N型多晶硅层包括若干N型晶粒，P型...
    2026-01-20
  • 一种太阳电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳电池、电池组件及光伏系统_山东爱旭太阳能科技有限公司_202510238735.6
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统，该太阳电池包括：硅基底，硅基底包括第一区域和第二区域，第一区域内设置P型多晶硅层，第二区域内设置N型多晶硅层；P型多晶硅层包括若干P型晶粒，N型多晶硅层包括若干N型晶粒，第一...
    2026-01-20
  • 一种太阳电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202510239186.4
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳电池、电池组件及光伏系统，该太阳电池包括：硅基底，硅基底包括第一区域和第二区域，第一区域内设置P型多晶硅层，第二区域内设置N型多晶硅层；P型多晶硅层包括若干P型晶粒，相邻的P型晶粒之间具有第一晶界，N...
    2026-01-20
  • 钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池
    钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池_天合光能股份有限公司_202510232967.0
    本发明提供了一种钝化接触结构及其制备方法、太阳能电池，其中钝化接触结构包括硅衬底，在硅衬底一表面远离硅衬底方向依次具有缓冲层、钝化介质层和覆盖层，其中缓冲层的材质为氧化硅、氧化铝和掺杂氧化铝中的一种或多种，钝化介质层的材质为氧化锌和掺杂氧化...
    2026-01-20
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