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最新专利技术
  • 音视频传输的控制方法、装置及电子设备
    音视频传输的控制方法、装置及电子设备_淘宝(中国)软件有限公司_202510749865.6
    本申请公开了音视频传输的控制方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，音视频传输的控制方法包括：获取当前帧的相邻上一帧的第一控制数据以及在决策第一控制数据过程中的第一中间状态信息；根据第一控制数据以及第一中间状态信息生成热启动信息；将所述热...
    2026-01-20
  • 一种基于大数据的短剧推荐方法及系统
    一种基于大数据的短剧推荐方法及系统_易尚(深圳)网络科技有限公司_202510745061.9
    本发明涉及短剧的领域，公开了一种基于大数据的短剧推荐方法与系统，方法包括：采集用户的多维度行为数据以形成初始行为数据集；基于初始行为数据集计算用户对不同类别的短剧内容的偏好分数以得到用户兴趣分布矩阵；划分用户群体并标注用户类别标签；形成初始...
    2026-01-20
  • 一种基于阿尔法波的智能脑电波训练耳机
    一种基于阿尔法波的智能脑电波训练耳机_无锡大教无痕信息技术有限公司_202510742373.4
    本发明提供一种基于阿尔法波的智能脑电波训练耳机，涉及脑电波训练耳机技术领域，包括第一安装板、第二安装板、调节组件、音源、中央处理模组、脑电波识别模组、音乐处理模组和调频模组；所述第一安装板和第二安装板的外端卡合连接有安装框，所述第一安装板和...
    2026-01-20
  • 电压控制方法、控制装置、高压发生器和电压控制系统
    电压控制方法、控制装置、高压发生器和电压控制系统_同方威视技术股份有限公司_202510748831.5
    本公开提供一种电压控制方法、控制装置、高压发生器和电压控制系统。电压控制方法包括：向高压发生器中的第一驱动电路发送用于控制X射线管的栅控电极电压的第一驱动参数，以便第一驱动电路根据第一驱动参数，驱动高压发生器中与X射线管对应的电源电路，生成...
    2026-01-20
  • 一种厚铜印制电路板的蚀刻方法及印制电路板
    一种厚铜印制电路板的蚀刻方法及印制电路板_深南电路股份有限公司_202510753018.7
    本申请公开了一种厚铜印制电路板的蚀刻方法及印制电路板，其中，所述厚铜印制电路板的蚀刻方法包括：提供一种厚铜印制电路板；对所述厚铜印制电路板的第一蚀刻区域的铜层进行第一次蚀刻；在所述厚铜印制电路板的表面镀锡层；对所述厚铜印制电路板的锡层进行烧...
    2026-01-20
  • 一种FPC整版贴胶装置及其工艺
    一种FPC整版贴胶装置及其工艺_江西楚岳电子科技有限公司_202510742231.8
    本公开提供了一种FPC整版贴胶装置，包括：外壳，其的内部相对转动装设有圆管一和圆管二，其的一侧设有驱动机构，用于分别驱动圆管一和圆管二转动，其的另一侧设有抽气机构，用于分别抽取圆管一和圆管二内的气体；所述圆管一和圆管二的外周壁上分别等距开设...
    2026-01-20
  • 沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法
    沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法_瑞能半导体科技股份有限公司_202510744947.1
    本申请公开了一种沟槽型绝缘栅双极晶体管及制造方法，沟槽型绝缘栅双极晶体管包括第一电极层；漂移层，设于第一电极层在第一方向的一侧；多个栅极沟槽区，沿第二方向间隔排布于漂移层内，且各栅极沟槽区由漂移层的第一表面朝向第一电极层延伸；多个基区，相邻...
    2026-01-20
  • 利用AlN介质实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法
    利用AlN介质实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法_西安电子科技大学_202510746787.4
    本发明公开了一种利用AlN介质层实现的GaN双沟强耦合结构及其制备方法，该结构包括：衬底；位于衬底之上的第一GaN层；位于第一GaN层之上的第一势垒层；位于第一势垒层之上的含Al介质层；位于含Al介质层之上的第二GaN层；位于第二GaN层之...
    2026-01-20
  • 场效应晶体管及其制造方法
    场效应晶体管及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510751969.0
    本发明公开了一种场效应晶体管，第一JFET形成于第一外延层中，第二MOSFET形成于第二外延层中，第一外延层的材料的禁带宽度大于第二外延层的材料的禁带宽度第二外延层形成于第一外延层的顶部表面上且第一外延层和第二外延层的接触面呈异质结，第一J...
    2026-01-20
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746839.8
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部形成有平面栅以及在平面栅的两侧分别形成有第三掺...
    2026-01-20
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746840.0
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，在沟槽栅的第一侧形成有第一阱区和位于第一阱区顶部表面的源区，在沟槽栅的第二侧形成有第二掺杂区且部分第二掺杂区延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的表面区域形成有第三掺杂区，各第三掺杂区的第二侧面延...
    2026-01-20
  • 沟槽型MOSFET及其制造方法
    沟槽型MOSFET及其制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202510746841.5
    本发明公开了一种沟槽型MOSFET，作为MOSFET的第一沟道区的第二导电类型的第一阱区形成于栅极沟槽的第一侧面处，栅极沟槽的第二侧面处形成有第二导电类型的第二掺杂区且第二掺杂区还会延伸到栅极沟槽的底部表面正下方，在第二掺杂区的顶部表面上形...
    2026-01-20
  • 双向静电放电保护电路
    双向静电放电保护电路_芯联集成电路制造股份有限公司_202510745661.5
    本发明提供一种双向静电放电保护电路，包括电流泄放管、正触发保护电路以及负触发保护电路。通过电流泄放管和正触发保护电路的配合，可以保证功率开关管的控制端出现较高的电压时电流泄放管导通，且电流通过第一电流通路流向电流泄放管的控制端，从而泄放至电...
    2026-01-20
  • 红外探测器硫化镉n型缓冲层薄膜的界面优化方法与应用
    红外探测器硫化镉n型缓冲层薄膜的界面优化方法与应用_中国科学院深圳先进技术研究院_202510743031.4
    本申请涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种红外探测器硫化镉n型缓冲层薄膜的界面优化方法与应用，该方法包括以下步骤：在吸收层上形成硫化镉n型缓冲层薄膜；对硫化镉n型缓冲层薄膜进行清洗后吹干；对吹干后的硫化镉n型缓冲层薄膜进行热处理；将热处理后...
    2026-01-20
  • 一种基于银掺杂的ACCZTSe短波红外光电探测器及其制备方法
    一种基于银掺杂的ACCZTSe短波红外光电探测器及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202510744280.5
    本申请涉及光电探测器技术领域，特别涉及一种基于银掺杂的ACCZTSe短波红外光电探测器及其制备方法，该探测器包括：衬底以及依次层叠设置在衬底上的钼背电极、吸收层、n型层、窗口层和表面电极；其中，吸收层为ACCZTSe吸收层；吸收层的材料成分...
    2026-01-20
  • 近红外LED器件及其制备方法
    近红外LED器件及其制备方法_中国科学院深圳先进技术研究院_202510746908.5
    本申请提供了近红外LED器件及其制备方法。制备方法包括：在透明导电衬底层制作形成P型发光层，所述P型发光层采用铜镉锌锡硒作为原材料和采用氟化钠作为添加剂，通过共蒸发法和低温退火工艺制作形成；在所述P型发光层上制作形成N型缓冲层；在所述N型缓...
    2026-01-20
  • 一种通过环氧树脂填充Micro-LED器件的键合翘曲抑制方法
    一种通过环氧树脂填充Micro-LED器件的键合翘曲抑制方法_上海大学_202510745275.6
    本发明公开一种通过环氧树脂填充Micro‑LED器件的键合翘曲抑制方法，涉及微显示封装技术领域。所述制备方法包括：先用丙酮溶液超声清洗Micro‑LED芯片和基板，之后采用多步旋涂的方式在所述Micro‑LED芯片的间隙中填充环氧树脂胶，再...
    2026-01-20
  • 显示基板及其制备方法和显示装置
    显示基板及其制备方法和显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202510749963.X
    本申请提供一种显示基板及其制备方法和显示装置，显示基板包括基底；设于基底上的驱动层，驱动层包括至少两个驱动芯片以及连接相邻两个驱动芯片的信号走线，信号走线包括第一区域和第二区域；设于驱动层上的保护层，保护层包括第一保护区域，第一保护区域覆盖...
    2026-01-20
  • 一种盐碱地改良车及其使用方法
    一种盐碱地改良车及其使用方法_内蒙古自治区农牧业科学院_202510732784.5
    本发明公开了一种盐碱地改良车及其使用方法，涉及盐碱地治理领域。一种盐碱地改良车，包括车厢，所述车厢的一侧设置有用于与驱动设备进行连接的连接件，所述车厢靠近连接件的一侧下端转动连接有前轮轴，所述前轮轴的两端对称固定连接有前车轮；本发明在车辆行...
    2026-01-20
  • 一种竹笋垂直扦插装置及扦插方法
    一种竹笋垂直扦插装置及扦插方法_云南生机湾农业有限公司_202510733273.5
    本发明公开了一种竹笋垂直扦插装置及扦插方法，属于农业种植技术领域，装置包括工作平台、移动轮、扦插槽及对称设置的扦插单元，扦插单元通过立柱、连接架、感应校准单元(含环形壳体、PLC控制器、红外距离感应器及带橡胶涂层的夹具)和伺服电机驱动的丝杆...
    2026-01-20
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