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最新专利技术
  • 一种伯努利吸盘的控制系统及方法
    一种伯努利吸盘的控制系统及方法_重庆芯联微电子有限公司_202510777727.9
    本发明提供一种伯努利吸盘的控制系统及方法， 伯努利吸盘的控制系统包括吸盘、压力传感器、位移传感器、支撑柱、卡盘、比例阀及控制器， 其中， 吸盘的内部设有主气腔， 吸盘的顶部设有沿第一圆周均匀分布的多个与主气腔连通的主喷射孔， 压力传感器设置...
    2025-11-27
  • 半导体器件精准定位往复快速取晶固晶装置及其固晶工艺
    半导体器件精准定位往复快速取晶固晶装置及其固晶工艺_先之科半导体科技(东莞)有限公司_202510977763.X
    本发明涉及固晶设备领域， 具体是涉及半导体器件精准定位往复快速取晶固晶装置及其固晶工艺， 包括摆臂和拆装更换机构， 拆装更换机构包括吊装板、储存机构、转移机构、升降机构和水平移动机构；储存机构包括吊装移动结构和储存结构， 吊装移动结构设置在...
    2025-11-27
  • 承载装置及半导体加工设备
    承载装置及半导体加工设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511127353.2
    本发明提供一种承载装置及半导体加工设备， 该承载装置包括基座本体， 基座本体承载晶圆所在平面为基准面， 基座本体具有环形凸部， 环形凸部的顶面与基准面平齐， 用于支撑并密封晶圆的边缘区域；基座本体还具有低于基准面的第一表面和第二表面， 第一...
    2025-11-27
  • 一种晶圆承载装置及其支撑高度调整方法
    一种晶圆承载装置及其支撑高度调整方法_上海光通信有限公司_202410381837.9
    本发明提供一种晶圆承载装置及其支撑高度调整方法， 晶圆承载装置包括载台和多个支撑销， 所有支撑销用以支撑晶圆， 支撑销包括第一支撑组件、第二支撑组件和高度调节组件， 第一支撑组件固定在载台上， 高度调节组件和第二支撑组件设置在第一支撑组件上...
    2025-11-27
  • 用于刻蚀的晶圆承载组合件及刻蚀设备
    用于刻蚀的晶圆承载组合件及刻蚀设备_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884877.X
    本发明涉及半导体制造技术领域， 提供了一种用于刻蚀的晶圆承载组合件及刻蚀设备， 用于刻蚀的晶圆承载组合件包括：承载件和第一环体；所述承载件用于承载晶圆， 所述承载件内套于所述第一环体， 所述承载件的外壁与所述第一环体的内壁适形贴合；所述承载...
    2025-11-27
  • 一种旋转升降摆臂装置及单晶圆处理设备
    一种旋转升降摆臂装置及单晶圆处理设备_北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)_202510941192.4
    本申请涉及一种旋转升降摆臂装置及单晶圆处理设备。该旋转升降摆臂装置包括主板、升降驱动部件、旋转驱动部件和摆臂部件；旋转驱动部件的旋转驱动机构和直线导轨并列设置于主板上， 且直线导轨与主板间为转动连接；旋转轴插入直线导轨中， 旋转驱动机构能够...
    2025-11-27
  • 一种晶圆载台和晶圆移载装置
    一种晶圆载台和晶圆移载装置_苏州矽行半导体技术有限公司_202511185019.2
    本发明提供了一种晶圆载台和晶圆移载装置， 属于半导体晶圆机台技术， 晶圆载台包括载盘基座、载盘侧气浮导向模块、支撑模块、升降调平模块、旋转驱动模块、重力平衡模块和气吸载盘；底部气浮支撑的载盘基座包括内侧的横向驱动支撑区和外侧的载盘区；在横向...
    2025-11-27
  • 沟槽的形成方法
    沟槽的形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510811728.0
    本申请公开了一种沟槽的形成方法， 其应用于半导体器件集成电路制造工艺中， 该方法包括：提供一晶片， 晶片上形成有氧化物层， 氧化物层上形成有硬掩模层， 硬掩模层包括氮化物层；通过光刻工艺在晶片中形成沟槽， 该沟槽用于形成STI结构；通过湿法...
    2025-11-27
  • 深沟槽隔离结构及其制造方法
    深沟槽隔离结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818448.2
    本申请公开了一种深沟槽隔离结构及其制造方法。该DTI结构应用于半导体衬底， 包括沟槽(含界定角区的沟槽段)、隔离介质层和填充材料。在角区， 所述沟槽段的相邻端部之间保留有一由半导体衬底构成的衬底材料部分， 且隔离介质层包括由该保留的衬底材料...
    2025-11-27
  • 改善硅残留的方法
    改善硅残留的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510818464.1
    本发明公开了一种改善硅残留的方法， 包含：步骤一， 提供一半导体衬底， 在所述的半导体衬底上进行刻蚀形成深槽隔离结构的深沟槽；步骤二， 进行深槽隔离结构的深沟槽填充工艺， 在所述的深沟槽中填充满氧化物；步骤三， 去除所述的隔离区硬掩模层， ...
    2025-11-27
  • 通孔的制作方法
    通孔的制作方法_杭州富芯半导体有限公司_202510640620.X
    本发明提供一种通孔的制作方法， 所述方法包括：提供衬底， 在衬底内形成金属层， 在衬底上依次形成阻挡层和介质层；在介质层上形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜， 对介质层与阻挡层进行第一次刻蚀， 至剩余部分厚度的阻挡层；去除图形化...
    2025-11-27
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202510642370.3
    本发明提供一种互连结构的形成方法， 先执行第一刻蚀工艺， 同时刻蚀第一区域和第二区域的第N+2介质层；接着执行第二刻蚀工艺， 继续刻蚀第二区域的第N+1刻蚀停止层和第N+1介质层；最后执行第三刻蚀工艺， 在第一区域继续刻蚀第N+1刻蚀停止层...
    2025-11-27
  • 刻蚀方法
    刻蚀方法_重庆芯联微电子有限公司_202510776896.0
    本发明提供一种刻蚀方法， 通过提供由下向上形成有刻蚀停止层、层间介质层及图形化的硬掩膜层的半导体结构， 并采用光刻工艺并结合图形化的硬掩膜层刻蚀层间介质层， 形成贯穿层间介质层并裸露出刻蚀停止层的通孔， 后续通过两步灰化工艺， 先在不施加偏...
    2025-11-27
  • 改善不同图形研磨缺陷的方法
    改善不同图形研磨缺陷的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510821419.1
    本发明公开了一种改善不同图形研磨缺陷的方法， 包括步骤：提供具有多个图形结构的半导体衬底， 各图形结构之间为图形间隔区；半导体衬底上的图形结构的宽度包括多个以及图形间隔区的宽度包括多个。形成第零层层间膜， 包括分步骤：采用HARP工艺形成第...
    2025-11-27
  • 金属互连结构的形成方法及金属互连结构
    金属互连结构的形成方法及金属互连结构_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884098.X
    本发明提供了一种金属互连结构的形成方法及金属互连结构， 通过预沉积保护层， 防止在刻蚀接触孔的过程中， 接触孔附近用于填充金属材料的沟槽结构产生刻蚀穿通及过刻现象， 导致暴露金属材料， 从而产生短路问题影响良率。在沟槽结构刻蚀完成后， 通过...
    2025-11-27
  • 半导体器件的制作方法及半导体器件结构
    半导体器件的制作方法及半导体器件结构_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202510947602.6
    本发明公开了一种半导体器件的制作方法及半导体器件结构， 通过第三沟槽的设置， 使得第三沟槽内第三沟槽隔离结构在填充满第三沟槽的过程中产生外扩应力， 挤压隔离沟槽以减小隔离沟槽的缝隙宽度， 从而在适量增加隔离沟槽宽度(能够增加隔离沟槽的深度)...
    2025-11-27
  • 一种金属通孔的制造方法及半导体结构
    一种金属通孔的制造方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511279222.6
    本申请公开了一种金属通孔的制造方法及半导体结构， 方法包括：执行有掩膜的第一等离子体刻蚀工艺， 对衬底表面进行周期性循环刻蚀形成第一通孔；执行无掩膜的第二等离子体刻蚀工艺， 将第一通孔刻蚀成第二通孔， 第二等离子体刻蚀工艺依次包括第一刻蚀阶...
    2025-11-27
  • 一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构
    一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511279273.9
    本申请公开了一种改善高深宽比刻蚀结构填充性能的方法及半导体结构， 方法依次包括：提供一侧表面上具有高深宽比刻蚀结构的衬底， 高深宽比刻蚀结构的侧壁具有88度～90度的第一倾斜角；对侧壁的顶部进行第一处理， 形成倒角；对侧壁进行第二处理， 使...
    2025-11-27
  • 一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备
    一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备_江苏浦上精密制造科技有限公司_202511272348.0
    本发明提供一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备， 涉及半导体零件加工技术领域。包括加工台和透明防护罩， 所述加工台上端面一侧开设有加工槽， 所述加工槽内底部设置有活动基盘， 所述加工台一侧壁固定设置有连接座， 所述连接座一侧壁中间固定设置...
    2025-11-27
  • 一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用
    一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用_中国人民解放军国防科技大学_202511247745.2
    本发明公开了一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用， 复合薄膜包括：PUF熵源层， 包括掺杂介电层以及设在所述掺杂介电层上、下表面的电容阵列层， 用于生成芯片的唯一密钥， 并检测薄膜形态变化及侵入式攻击；绝缘层， 包裹在所述PUF熵源层上， ...
    2025-11-27
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