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最新专利技术
  • 一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用
    一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用_福源(中山)光电科技有限公司_202510759189.0
    本发明涉及光学镀膜技术领域，且公开了一种高折射非导低应力镀膜材料制备方法及其在光效薄膜的应用，该制备方法在柔性基材表面涂覆UV胶，通过压印机在UV胶层表面压印微纳结构，将压印纹理后的基材置于真空镀膜机中进行真空镀膜；采用后氧化溅射镀膜技术，...
    2026-03-20
  • 用于事故耐受核燃料、粒子加速器、和航空航天前沿的金属和陶瓷纳米涂层的方法和设备
    用于事故耐受核燃料、粒子加速器、和航空航天前沿的金属和陶瓷纳米涂层的方法和设备_星火工业有限公司_202510863955.8
    本发明涉及用于事故耐受核燃料、粒子加速器、和航空航天前沿的金属和陶瓷纳米涂层的方法和设备，其中设备系统包括：溅射靶；磁元件阵列，其包括多组磁体，所述多组磁体被布置为具有沿所述溅射靶的长度延伸的霍耳效应区域。细长的溅射电极材料管介于所述磁阵列...
    2026-03-20
  • 衬底薄膜制备方法及制备设备
    衬底薄膜制备方法及制备设备_苏州实验室_202510881827.6
    本发明提供了一种衬底薄膜制备方法，涉及半导体制造技术领域。包括以下步骤：将衬底放置在反应腔内的加工工位上；采用等离子体轰击靶材表面，使靶材材料粒子脱离，溅射至所述反应腔内；控制所述材料粒子向所述衬底表面移动，以在所述衬底表面形成初始沉积层；...
    2026-03-20
  • 一种磁控溅射镀膜机防颗粒物污染挡板结构
    一种磁控溅射镀膜机防颗粒物污染挡板结构_德州金奈尔新材料科技有限公司_202511361605.8
    本发明公开了一种磁控溅射镀膜机防颗粒物污染挡板结构，属于磁控溅射镀膜领域，包括内安装板和固接在内安装板一侧的靶材，还包括连接在内安装板一侧的转动部、与转动部相连的第二挡板、位于第二挡板下端的第一挡板、开设在第一挡板内部的镂空腔体、固接在第一...
    2026-03-20
  • 一种高折射率光学涂层及其制备方法
    一种高折射率光学涂层及其制备方法_陕西澳威激光科技有限公司_202511374801.9
    本发明提供一种高折射率光学涂层及其制备方法，属于光学涂层技术领域，包括以下步骤：将聚偏氟乙烯经硅烷化和稀土修饰制得改性聚偏氟乙烯；将二氧化锆喷涂到光学基板上形成基底层；遮挡基底层的边缘部分，将改性聚偏氟乙烯旋涂到基底层的中间部分制得功能区；...
    2026-03-20
  • 一种对基底表面修饰进行改性的氮掺杂碳薄膜制备工艺
    一种对基底表面修饰进行改性的氮掺杂碳薄膜制备工艺_长春师范大学_202511393411.6
    本发明涉及薄膜制备技术领域，具体为一种对基底表面修饰进行改性的氮掺杂碳薄膜制备工艺，包括以下制备步骤：S1.基底预处理；S2.复合蚀刻处理；S3.动态表面修饰；S4.磁控共溅射沉积；S5.梯度退火处理。本发明通过引入电活性单体并调节沉积过程...
    2026-03-20
  • 翻转工装装置及镀膜机
    翻转工装装置及镀膜机_上海集迦电子科技有限公司_202510952564.3
    本发明提供了一种翻转工装装置及镀膜机，包括：限位组件，设于镀膜机的外筒上；行程底座，设于镀膜机的内筒上，内筒可相对外筒转动，行程底座的顶面具有至少两个挡位部；集成座，可转动地设于行程底座上且用于可拆卸地安装基材，集成座具有一对止挡部；一对滑...
    2026-03-20
  • 工件转架及真空腔室
    工件转架及真空腔室_光驰科技(上海)有限公司_202511175135.6
    本发明属于真空镀膜技术领域，公开了一种工件转架及真空腔室。工件转架包括若干个沿周向分布的镀膜区域，镀膜区域内设置用于支撑工件的回转轴，回转轴的自转轴方向与镀膜区域的中心对称线呈夹角设置。真空腔室包括工件转架，工件转架设置于真空腔室的腔体内，...
    2026-03-20
  • 一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法
    一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法_欧昊新能源电力(甘肃)有限责任公司_202510933181.1
    本发明涉及PVD镀膜技术领域，具体公开了一种基于膜厚补偿板的PVD镀膜均匀性提升方法，通过以下步骤实现突破：基准调试：在标准设备上优化磁场至均匀性极限；镀率分析：根据实测膜厚与靶材长度计算各点镀率；补偿设计；根据镀率、膜厚、最低膜厚计算膜厚...
    2026-03-20
  • 一种卫浴龙头PVD镀膜设备的LAB值实时检测与智能调控装置
    一种卫浴龙头PVD镀膜设备的LAB值实时检测与智能调控装置_杭州泛亚卫浴股份有限公司_202510962792.9
    本发明公开了一种卫浴龙头PVD镀膜设备的LAB值实时检测与智能调控装置，包括镀膜腔室，所述镀膜腔室一侧安装有腔室观察窗，所述镀膜腔室内部集成安装有LAB值实时检测模块，所述LAB值实时检测模块一侧设有智能调控模块，所述智能调控模块一侧设有主...
    2026-03-20
  • 用于红外金属化窗片的镀膜控制方法及系统
    用于红外金属化窗片的镀膜控制方法及系统_唐山斯腾光电科技有限公司_202511113468.6
    本发明涉及金属镀膜控制相关技术领域，具体包括用于红外金属化窗片的镀膜控制方法及系统，所述方法包括：获取基底与膜层参数，经动态关联分析配工艺适配评估向量；基于此向量，结合膜层厚度增长曲线、膜层均匀性评价指标，以模糊控制得到参数调整指令；满足条...
    2026-03-20
  • 一种蒸镀设备的蒸镀速率采集系统
    一种蒸镀设备的蒸镀速率采集系统_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511157977.9
    本发明公开了一种蒸镀设备的蒸镀速率采集系统，包括加热源，所述加热源和可编程电源相连调节加热功率；石英晶体微天平：利用石英晶体的压电效应，将石英晶体电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化；可编程逻辑控制器：接受上位机下发的...
    2026-03-20
  • 一种热蒸发镀膜设备
    一种热蒸发镀膜设备_蒙城繁枫真空科技有限公司_202510789470.9
    本发明公开了一种热蒸发镀膜设备，涉及蒸发镀膜技术领域，包括真空箱，所述真空箱的底部位置固定安装有底座，所述真空箱的表面位置固定安装有控制面板，所述真空箱的内部固定安装有一对支架，一对所述支架上开设有卡槽，所述卡槽的内部转动连接有收卷辊；还包...
    2026-03-20
  • 真空腔室内单双层输送转换机构及其输送镀膜系统和工艺
    真空腔室内单双层输送转换机构及其输送镀膜系统和工艺_福建金石能源有限公司_202511216664.6
    本发明涉及真空镀膜设备领域，公开了一种真空腔室内单双层输送转换机构及其输送镀膜系统和工艺，其中，转换机构包括两组双层输送升降机构。双层输送升降机构主要通过控制双层水平输送轮组件对上下层载板进行独立运输，以及相对真空腔体进行升降移动，从而实现...
    2026-03-20
  • 一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用
    一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用_中国科学院上海技术物理研究所_202511396381.4
    本发明名称为一种硒碲化钒材料的制备方法、制备系统、产品和应用，属于材料制备技术领域。本发明提供一种制备大面积单层硒碲化钒三元拓扑复合材料的方法，包括以下步骤：S1、在衬底上沉积钒氧化物，得钒氧化物薄膜；S2、在含有惰性气体和氢气的环境中，使...
    2026-03-20
  • 基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用
    基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用_上海圣永丞半导体科技有限公司_202511383512.5
    本发明涉及超硬材料加工领域，公开了一种基于LCVD法制备石墨烯金刚石空心钻头的方法、钻头及应用。该方法包括以下步骤：基体预处理；催化剂负载：将预处理后的基体浸入硝酸镍溶液中，超声处理使镍离子均匀吸附在基体表面；然后将基体取出；石墨烯生长：将...
    2026-03-20
  • 一种制备碳化硅涂层的方法
    一种制备碳化硅涂层的方法_湖南德智新材料股份有限公司_202510888275.1
    本发明涉及半导体材料制备的技术领域，提供了一种制备碳化硅涂层的方法。该方法采用化学气相沉积工艺，控制第一沉积温度为1150℃‑1250℃，第二沉积温度为1300℃‑1400℃，第三沉积温度为1150℃‑1250℃，并结合降温工艺，以及第二沉...
    2026-03-20
  • 一种曲面型内表面异质层级涂层及制备方法
    一种曲面型内表面异质层级涂层及制备方法_西安交通大学_202511071210.4
    本发明公开了一种曲面型内表面异质层级涂层及制备方法，制备方法包括在基体表面逐层制备第一Cr涂层、第一CrN涂层、CrAlN涂层、第二CrN涂层与第二Cr涂层，得到CrAlN复合过渡层；在镀有Cr/Al/N复合过渡层的基体表面制备TiO2涂层...
    2026-03-20
  • 一种制备碳化硅涂层石墨基座的方法及碳化硅涂层石墨基座
    一种制备碳化硅涂层石墨基座的方法及碳化硅涂层石墨基座_湖南德智新材料股份有限公司_202511190155.0
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种制备碳化硅涂层石墨基座的方法及碳化硅涂层石墨基座。该方法包括：(1)将石墨基体放置于化学气相沉积设备中(2)将化学气相沉积设备抽真空至10‑1Pa‑10‑2Pa，以5℃/min‑10℃/min的速率升温...
    2026-03-20
  • 一种气相沉积法硅碳负极生产设备
    一种气相沉积法硅碳负极生产设备_商聚粉_202511106129.5
    本发明涉及一种气相沉积法硅碳负极生产设备。目的是解决可控硅碳、碳硅包覆、单套设备产能低、能耗高的技术问题。技术方案为：它包括气体燃烧器、反应室、气体返混装置、流化板组件、中心气体流化装置、气固过滤分离装置；反应器壳体固设于反应室内，气体燃烧...
    2026-03-20
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