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最新专利技术
  • 制造集成电路装置的方法
    制造集成电路装置的方法_三星电子株式会社_202510278512.2
    一种制造集成电路装置的方法包括：提供包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；在单元阵列区域和外围电路区域中形成导电层；在导电层上形成覆盖绝缘层；通过使用覆盖绝缘层作为第一蚀刻掩模，在单元阵列区域中形成直接接触和位线；在直接接触的侧壁和位线的侧...
    2025-11-30
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510446165.X
    一种半导体器件可以包括：字线，在衬底上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开；沟道层，在字线上；位线，接触沟道层的上表面并且沿第二方向延伸；第一导电划分线，在沟道层上并且在第一方向上彼此间隔开；接触插塞，接触沟道层的上表面并且在第一方向和...
    2025-11-30
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_深圳市新凯来工业机器有限公司_202510788802.1
    本申请提供一种半导体器件的制备方法和半导体器件，涉及半导体技术领域，用以解决如何改善在制备半导体器件的过程中衬底发生翘曲的技术问题。该制备方法包括提供衬底；在衬底的第一侧形成叠层结构，在形成叠层结构的过程中，在衬底的第二侧形成应力层，第一侧...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202511014236.5
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；叠层结构包括沿第一方向间隔排布的多个存储单元，存储单元包括有源层以及沿第一方向设置于有源层上的栅极层和设置于有源层与栅极层之间的衬垫层，有源层包括沿第二方向...
    2025-11-30
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511386596.8
    本公开涉及半导体技术领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，用于改善栅诱导漏极泄露(GIDL)以及行锤效应的问题。该半导体结构包括：衬底；字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的第一字线层、第二字线层以及位...
    2025-11-30
  • 形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置
    形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410530828.1
    本申请公开了形成半导体结构的方法、半导体结构、存储器及电子装置，该方法通过提供包括衬底和隔离结构的基底，该隔离结构形成在隔离区且包括凸出于衬底表面的第一隔离部，接着对该第一隔离部沿垂直于隔离区延伸方向的第二方向进行部分刻蚀，从而将第一隔离部...
    2025-11-30
  • Nord闪存器件的形成方法
    Nord闪存器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510888209.4
    本发明提供了一种Nord闪存器件的形成方法，包括：有源区的表面形成多个间隔的栅极结构和多个间隔的栅极；在多个栅极结构两侧的有源区上均形成第一源线侧墙，同时在多个栅极两侧的有源区上均形成第二源线侧墙；使用第一源线侧墙和第二源线侧墙为掩膜向有源...
    2025-11-30
  • 一种多次可编程存储器件及其制备方法
    一种多次可编程存储器件及其制备方法_江苏稻源科技集团有限公司_202511031798.0
    本发明公开了一种多次可编程存储器件及其制备方法，涉及半导体领域，该存储器件包括：衬底，衬底的内部设置有埋氧化层，衬底的顶端开设有第一凹槽；衬底的顶端与第一凹槽的内壁均设置有氧化层，位于第一凹槽内壁的氧化层的顶端设置有浮栅区，浮栅区的顶端设置...
    2025-11-30
  • 一种控制短路的多次可编程存储器件及其制备方法
    一种控制短路的多次可编程存储器件及其制备方法_江苏稻源科技集团有限公司_202511031799.5
    本发明公开了一种控制短路的多次可编程存储器件及其制备方法，涉及半导体领域，包括：衬底，衬底的表面设置有外延层，且衬底与外延层之间设置有埋氧化层；外延层远离埋氧化层的一端依次设置有隧穿层和浮栅区，浮栅区的表面淀积有绝缘层；浮栅区的两侧分别设置...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其形成方法、存储系统
    半导体器件及其形成方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410534453.6
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其形成方法、存储系统，其中，该半导体器件包括：多条导电线，沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；第一方向与第二方向相互交叉；以及接触结构，沿第三方向延伸并至少连接至多条导电线中的第一导电线，接触结构包括与第一...
    2025-11-30
  • 组对结构的单管闪存阵列
    组对结构的单管闪存阵列_上海领耐半导体技术有限公司_202511403639.9
    本发明提供一种组对结构的单管闪存阵列。该组对结构的单管闪存阵列中，基底包括多个有源区以及隔离结构，一个有源区包括沿第一方向延伸的多个第一段以及沿第二方向延伸的多个第二段，第一段和第二段在有源区的延伸方向上交替排布且均相对于有源区的延伸方向倾...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410533365.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：分布于不同层、沿着垂直于衬底的方向堆叠的多个存储单元和多条位线；每条位线与位于同一层的多个存储单元连接；沿着垂直于衬底的方向堆叠并间隔分布的多条第一公共位线和多条...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410533836.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层、沿垂直于衬底的方向堆叠分布；贯穿不同层的存储单元的读字线和写字线；沿垂直于衬底的方向延伸的第一半导体层和多个第二半导体层，第一半导体层...
    2025-11-30
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202511032724.9
    本申请涉及半导体装置。一种用于制造半导体装置的方法包括：形成包括互连件的下部结构；形成联接到互连件的第一接触插塞；在第一接触插塞和下部结构之上形成介电层和牺牲层的交替层叠物。该方法还包括：形成贯穿交替层叠物并暴露第一接触插塞的开口；在开口中...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410533640.2
    本申请实施方式提供一种半导体器件及其制备方法、存储器系统，半导体器件包括叠层结构和多个接触结构。叠层结构包括沿第一方向层叠设置的多个栅极层。多个接触结构分别与多个位于不同层叠高度处的栅极层连接，其中栅极层沿第二方向由叠层结构的第一区延伸至叠...
    2025-11-30
  • 存储器件及其形成方法
    存储器件及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511073683.8
    一种存储器件及其形成方法，衬底；位于衬底上的有源条形柱，有源条形柱包括第一区和第二区，两者之间具有隔离间隙；位于有源条形柱内的隔离柱，隔离柱将第二区分割为第一沟道部和第二沟道部，隔离间隙暴露出隔离柱；位于衬底上的隔离层，隔离层填充满有源条形...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件、制造方法及存储器系统
    一种半导体器件、制造方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410469729.7
    本公开实施例提供一种半导体器件、制造方法及存储器系统。半导体器件包括：叠层结构，所述叠层结构包括交替堆叠的层间绝缘层和导电层；沟道结构，所述沟道结构沿堆叠方向贯穿所述叠层结构；所述沟道结构包括存储功能层和沟道层，其中，沿垂直于所述堆叠方向的...
    2025-11-30
  • 具有结晶薄膜铁电层的半导体器件及其制造方法
    具有结晶薄膜铁电层的半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510114832.4
    本公开涉及具有结晶薄膜铁电层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一互连线，其在第一水平方向上延伸；第二互连线，其在第二水平方向上延伸，第一水平方向和第二水平方向彼此相交；以及存储单元，其设置在第一互连线和第二互连线之间。存储单元...
    2025-11-30
  • 基于应力调控的低工作电压AlScN铁电电容存储器及制备方法
    基于应力调控的低工作电压AlScN铁电电容存储器及制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511369587.8
    本方案提供了一种基于应力调控的低工作电压AlScN铁电电容存储器及制备方法，包括以下步骤：S1：清洗并干燥硅片衬底；S2：在硅片衬底上沉积第一厚度的底层金属薄膜；S3：在底层金属薄膜上生长第二厚度的AlScN薄膜，且第一厚度的底层金属薄膜诱...
    2025-11-30
  • 阻变存储器的制备方法及阻变存储器
    阻变存储器的制备方法及阻变存储器_复旦大学_202511048613.7
    本发明提供了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，通过在衬底上形成N层底电极复合层，N层底电极复合层中第i层底电极复合层包括第i底电极以及重叠在第i底电极上的第i绝缘层；在衬底上形成图形化的第i光刻胶层，在第i光刻胶层的开口区内选择性生长第...
    2025-11-30
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