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  • 本发明涉及光电探测器领域,具体公开了一种光电探测器;本发明通过将电路板和光敏板等电子元器件设置在安装壳内部,再使用第一密封板和第二密封板对安装壳进行双重密封,在安装壳内部形成稳定的密封工作环境,能够有效避免安装壳内部在长时间使用后进入杂质,...
  • 本发明公开了高表面光提取效率的微型发光二极管的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:提供一LED外延片;其中,所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层;对所述GaN半导体层的N面进行退火处理,使所述GaN半导体层...
  • 本发明公开了一种微型发光二极管的制备方法,包括如下步骤:提供一LED外延片;其中,所述LED外延片包括层叠设置的GaN半导体层、量子阱层以及p‑GaN层;对所述GaN半导体层的N面进行退火处理,使所述GaN半导体层表面的GaN转化为GaO,...
  • 本申请公开了一种提升AlGaInP红光Micro LED发光性能的方法,包括如下步骤:S1,外延结构制备:衬底与缓冲层处理、刻蚀阻挡层与欧姆接触层生长、功能层堆叠外延;S2,硅基衬底图形化;S3, 外延片预处理与Mesa刻蚀;S4,侧壁修复...
  • 本公开提供了一种发光二极管和发光二极管的制作方法,属于发光器件领域。该发光二极管包括:依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第二半导体层和有源层开设有延伸到第一半导体层的凹槽;透明导电层,透明导电层位于第二半导体层上,透明导电层具有...
  • 本发明涉及发光二极管技术领域,公开一种多波段LED外延结构及其制备方法,多波段LED外延结构包括多量子阱发光层,多量子阱发光层包括长波蓝光多量子阱层、短波蓝光多量子阱层、长波紫光多量子阱层和短波紫光末量子阱层,均为周期结构,单个周期均包括N...
  • 本发明涉及发光二极管技术领域,公开了一种基于选区自组装纳米结构的发光二极管及其制备方法,包括:衬底层;主缓冲层,设置在衬底层的一侧表面上;分布式布拉格反射器结构,包括多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层,多个多孔n型掺杂层和多个n型掺杂层自下...
  • 本发明公开一种半导体元件,包括外延结构、第一电极、绝缘结构、阻挡层以及第二电极。外延结构包含第一半导体层、第二半导体层以及位于第一半导体层及第二半导体层间的活性区。第二半导体层具有第一部分及第二部分。第二部分的宽度小于第一部分的宽度,且第一...
  • 本发明公开了一种微型发光二极管,依次包括多面微锥镜图案层、外延层、电极和驱动基板,外延层依次包括GaN‑GaO半导体层、应力释放层、量子阱层、电子阻挡层和p‑GaN层,多面微锥镜图案层设置在GaN‑GaO半导体层上;所述多面微锥镜图案层通过...
  • 本申请公开了一种基于隧道结的高性能红光Micro LED外延结构及制备方法,结构包括:GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀截止层、隧道结结构、n型AlInP限制层、InGaP/AlInP多量子阱发光层、p型AlInP限制...
  • 本公开提供了一种实时调节出光角度的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:外延层和超表面层,所述超表面层位于所述外延层的表面上;所述超表面层包括多个柱状结构,多个所述柱状结构阵列排布在所述外延层的表面上;所述超表面...
  • 本发明公开了一种柔性可拉伸封装结构及光疗贴,涉及柔性可拉伸电子技术领域领域。封装结构,包括:可拉伸基底;设于可拉伸基底上的弹性导电线路,包括相连的第一走线、第二走线和焊盘;设于可拉伸基底上的可拉伸封装,覆盖第一走线,其上设有用以露出弹性导电...
  • 本发明涉及光电转换器件技术领域,尤其涉及一种迭代循环触发的半导体发光装置及其制备方法。装置包括半导体发光二极管,以及设置于所述半导体发光二极管的四周的石英衬底;所述石英衬底上涂覆上转换发光薄膜;所述上转换发光薄膜中的上转换发光材料包括NaY...
  • 本申请公开了一种内置匀光微结构的小角度LED灯珠及其制备方法,小角度LED灯珠包括一多层封装体,多层封装体覆盖在LED芯片上,并且包括第一封装层和第二封装层,第一封装层包含荧光粉并直接覆盖在LED芯片上;第二封装层设置在第一封装层的第一上表...
  • 本发明涉及一种基于双层半固化胶膜的高透光COB封装方法,包括如下步骤:S1:低透光底膜压合处理:将底膜膜材贴合到待封装组件的芯片面上,进行第一次真空热压处理,形成底膜,得到一级组件;S2:低透光底膜固化处理:对一级组件进行第一次固化处理,得...
  • 本发明涉及激光剥离技术领域,具体为一种掩膜版、承载装置及激光剥离方法,掩膜版包括透光区、遮光区,透光区用于激光透射,遮光区用于遮挡激光,承载装置包括上述掩膜版、承载板本体、开设于承载板本体中的放置区;激光剥离时,将显示屏放置于放置区中,将掩...
  • 本申请公开一种用于全彩显示器的微型发光二极管巨量转移方法。其是用以巨量将红、蓝及绿色彩的微型发光二极管转移至一驱动电路板上,该转移方法包括下列步骤:提供一第一黏着基材,其包括有一第一载体及设于该第一载体上的第一黏着片;提供一二甲基硅氧烷拾取...
  • 本发明公开一种芯片固晶方法,包括如下步骤:提供临时载体,临时载体上排列有若干LED芯片,LED芯片包括电极面,电极面上设有第一电极及第二电极,第一电极和第二电极的厚度为第一厚度;提供目标基板,目标基板上设有若干焊盘单元,焊盘单元包括第一焊盘...
  • 本公开提供了一种发光二极管的激光剥离装置和激光剥离方法,属于光电子制造技术领域。该激光剥离装置包括:安装平台、下压载板、第一驱动机构和第二驱动机构;所述安装平台的承载面用于安装待剥离产品,所述下压载板位于所述安装平台的上方,且与所述承载面平...
  • 本发明实施例提供一种显示模组和显示装置。显示模组包括:相对设置的第一基板和第二基板,显示模组的出光面位于第一基板的远离第二基板一侧;第一信号线和第二信号线;第一信号线由第一基板的远离第二基板一侧经第一基板的侧面延伸至第一基板靠近第二基板一侧...
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