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最新专利技术
  • 存储器装置
    存储器装置_爱思开海力士有限公司_202411768888.3
    本公开涉及存储器装置。一种存储器装置包括存储单元和写电路。存储单元被耦接到第一访问线和第二访问线。写电路在第一时段内向第一访问线施加第一正电压，在第二时段内向第一访问线施加第二正电压，第二时段在第一时段之后，以及在第一时段和第二时段内向第二...
    2025-11-29
  • 存储器电路的接口及其存储器系统
    存储器电路的接口及其存储器系统_爱普科技股份有限公司_202510843946.2
    存储器电路的接口包含一芯片使能端、至少一数据端以及一数据选通端。芯片使能端接收可在第一高电压与低电压间变化及用以使能存储器电路的芯片使能信号。至少一数据端在指令阶段接收可在第二高电压与所述低电压间变化的至少一第一数据信号，并在数据阶段接收或...
    2025-11-29
  • 一种存储器的操作方法、存储器及介质
    一种存储器的操作方法、存储器及介质_新存科技(武汉)有限责任公司_202511012655.5
    本申请实施例提供一种存储器的操作方法、存储器及介质，其中，存储器包括存储阵列，存储阵列包括待操作存储组，待操作存储组包括若干相邻的存储单元，操作方法包括：获取待操作存储组的当前逻辑值；在当前逻辑值与目标逻辑值不一致的情况下，对待操作存储组的...
    2025-11-29
  • 执行同时双向通信的半导体装置和半导体系统
    执行同时双向通信的半导体装置和半导体系统_爱思开海力士有限公司_202411614709.0
    本公开涉及执行同时双向通信的半导体装置和半导体系统。一种半导体装置包括串行器、发送电路和接收电路。串行器被配置为基于第一传输时钟信号和第二传输时钟信号从第一输出数据信号和第二输出数据信号生成传输数据。发送电路被配置为基于传输数据来驱动电耦接...
    2025-11-29
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510135142.7
    提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一层，包括第一子单元阵列，第一子单元阵列包括存储器单元；第二层，包括第二子单元阵列；以及第三层，包括子字线驱动器和感测放大器，其中，第一层、第二层和第三层在与第一层垂直的第一方向上堆叠...
    2025-11-29
  • 具有动态干扰减少的存储器单元
    具有动态干扰减少的存储器单元_美商新思科技有限公司_202510641595.7
    本公开涉及具有动态干扰减少的存储器单元。一种具有动态干扰减小的存储器单元包括以交叉耦合布置的第一和第二反相器，用于对所述存储器单元进行写入的写入电路，用于对所述存储器单元进行读取的读取电路，以及用于在所述读取电路读取所述存储器单元时禁用所述...
    2025-11-29
  • 基于DRAM电荷共享的存内计算方法及电路
    基于DRAM电荷共享的存内计算方法及电路_中国科学技术大学_202511109289.5
    本申请提供一种基于DRAM电荷共享的存内计算方法及电路，涉及计算机存内计算技术领域，解决了现有技术在提高存内计算性能的同时带来的能耗较大的技术问题。该方法包括：同时激活DRAM阵列中的第一行和第二行，通过电荷共享生成中间结果；激活DRAM阵...
    2025-11-29
  • 预充电电路、异步SRAM存储器及电子芯片
    预充电电路、异步SRAM存储器及电子芯片_深圳市国微电子有限公司_202511044538.7
    本申请属于集成电路技术领域，提供了一种预充电电路、异步SRAM存储器及电子芯片。预充电电路包括预充电模块、写使能控制模块和读使能控制模块，预充电模块分别与写使能控制模块、读使能控制模块和存储阵列连接，写使能控制模块还用于与写电路连接，读使能...
    2025-11-29
  • 基于MRAM的内容可寻址存储器电路和流水线搜索方法
    基于MRAM的内容可寻址存储器电路和流水线搜索方法_南方科技大学_202510876314.6
    本发明公开了基于MRAM的内容可寻址存储器电路和流水线搜索方法，电路包括：第一节点；第二节点；差分比较电路，与第一节点和第二节点连接，用于连接搜索线和搜索互补线，以及存储互补数据，差分比较电路还用于根据搜索线和搜索互补线的电压，分别对第一节...
    2025-11-29
  • 一种TCAM单元、分段搜索电路及分段搜索方法
    一种TCAM单元、分段搜索电路及分段搜索方法_宁波大学_202510930253.7
    本发明公开了一种TCAM单元、分段搜索电路及分段搜索方法，特点是TCAM单元包括写入模块、搜索模块和控制模块，写入模块包括第一N型铁电场效应晶体管、第二N型铁电场效应晶体管和字线，搜索模块包括第一NMOS管、第二NMOS管、反相器和匹配线，...
    2025-11-29
  • 存储器系统
    存储器系统_铠侠股份有限公司_202511107732.5
    本发明的实施方式提供一种能提高处理能力的非易失性半导体存储装置及存储器系统。实施方式的存储器系统(1)包括第1非易失性半导体存储装置(10)与控制器(100)。第1非易失性半导体存储装置(10)包含：第1电路(60)，连接于接收第2信号RE...
    2025-11-29
  • 存储器、存储器的控制方法和存储器系统
    存储器、存储器的控制方法和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410658907.0
    本申请公开了一种存储器、存储器的控制方法和存储器系统，属于存储技术领域。其中控制方法包括：外围电路接收擦除指令，记录接收擦除指令的个数，擦除指令用于指示外围电路对存储单元阵列中的一个存储块进行擦除。外围电路响应于个数达到个数阈值，在存储单元...
    2025-11-29
  • 具有预充电金氧半电容以缩短延迟时间的追踪与保持电路
    具有预充电金氧半电容以缩短延迟时间的追踪与保持电路_原相科技股份有限公司_202411459655.5
    一种具有预充电金氧半电容以缩短延迟时间的追踪与保持电路。该追踪与保持电路包括一个充电泵电路和一个自举开关。充电泵电路将一个供应电压泵入高于供应电压的泵送电压，充电泵电路包括：一个根据时钟信号切换的MOSFET电容，以及一个用于基于与时钟信号...
    2025-11-29
  • 用于生成读取阈值电压的数据存储设备和方法
    用于生成读取阈值电压的数据存储设备和方法_桑迪士克科技股份有限公司_202411628660.4
    比特误码率(BER)估计扫描(BES)通常在扫描过程中使用静态读取阈值。这些固定阈值可能无法适应存储器单元特性的变化，从而导致BER估计和错误校正不理想。本文中所呈现的实施方案可用于通过提供BES与芯片上(例如，在控制器ASIC中)阈值电压...
    2025-11-29
  • NOR Flash芯片的预处理方法、系统及装置
    NOR Flash芯片的预处理方法、系统及装置_中国科学技术大学_202511109258.X
    本申请提供一种NOR Flash芯片的预处理方法、系统及装置，涉及存储器技术领域，解决了现有技术浮栅型NOR Flash在出厂状态下，由于隧穿氧化层中的陷阱电荷导致数据保持能力较低的技术问题。该方法包括：在出厂状态下，向存储单元施加特定电压...
    2025-11-29
  • 一种磁带存储三维交织硬件加速方法、系统及介质
    一种磁带存储三维交织硬件加速方法、系统及介质_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511545600.0
    本发明公开了一种磁带存储三维交织硬件加速方法、系统及介质，涉及磁带储存技术领域，加速方法具体为：通过交叉开关网络对所获取的逻辑块拆分成N个子块，并按最大磁道间距规则散映射至多条物理磁道，利用移位寄存器链生成的伪随机序列，动态分配物理帧地址，...
    2025-11-29
  • 一种内存读写测试系统及方法
    一种内存读写测试系统及方法_北京清微智能科技有限公司_202510863132.5
    本发明提供一种内存读写测试系统及方法，属于内存读写测试技术领域，内存读写测试系统包括：写数据产生模块用于产生写数据；第一多路选择器的第一输入端与AXI总线的写通道连接、第二输入端与写数据产生模块连接，输出端与内存子系统的写端口连接；期望数据...
    2025-11-29
  • 一种NAND Flash存储芯片的校验方法及系统
    一种NAND Flash存储芯片的校验方法及系统_深圳市晶封半导体有限公司_202510901329.3
    本发明涉及NAND Flash存储芯片的校验技术领域，具体公开一种NAND Flash存储芯片的校验方法及系统，包括：坏块扫描与标记、数据分片与分配、并行校验执行和校验频率自适应调整；本发明通过全片扫描检测并标记坏块，生成坏块分布图，根据坏...
    2025-11-29
  • 闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质
    闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质_浙江华忆芯科技有限公司_202511539912.0
    本申请公开了一种闪存颗粒测试方法、电子设备和计算机可读存储介质，该方法包括：获取多个擦写次数下瞬时退化速率随测试温度变化的关联关系；其中，在不同的测试温度下对作为样本的闪存颗粒进行擦写测试时得到误码率，瞬时退化速率与误码率随擦写次数增加时的...
    2025-11-29
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_三星电子株式会社_202510400524.8
    提供了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：包括第一存储器存储体和第二存储器存储体的存储器单元阵列、被配置为控制存储器单元阵列的操作并生成主启用信号和主禁用信号的控制逻辑、被配置为对第一存储器存储体的存储器单元执行修复操作的第一修复电...
    2025-11-29
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