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  • 本申请提供一种彩色液晶显示用蓝色光刻胶组合物,涉及光刻胶领域。彩色液晶显示用蓝色光刻胶组合物包括23‑26重量份的蓝色颜料液、8‑13重量份的碱溶性树脂、4‑6重量份的不饱和单体、0.3‑0.40重量份的添加剂、0.5‑0.7重量份的光敏剂...
  • 本发明的技术问题在于改善金属氧化物抗蚀剂图案的表面粗糙度。其解决方案在于一种基片处理方法,其包括:工序(A),准备基片;工序(B),将金属氧化物抗蚀剂材料和包含金属的抑制剂供给至上述基片,其中,上述金属氧化物抗蚀剂材料包含三维地结合有金属的...
  • 本公开涉及一种光刻胶涂布设备及光刻胶涂布方法。该光刻胶涂布设备包括:多光谱目标监测装置、控制装置和分区滴胶装置。多光谱目标监测装置配置为实时监测光刻胶涂布层,获取光刻胶涂布层的多维度数据。控制装置与多光谱目标监测装置连接,配置为:基于所述多...
  • 本申请提供了一种匀胶显影机台及匀胶显影方法,所述机台至少包括涂布装置和显影装置,该显影装置配置超声单元,以在显影阶段向晶圆施加频率可调的超声波;其中涂布装置和显影装置均具有喷嘴,喷嘴自其中心点沿侧壁呈环形阵列划分为若干个分区,每个分区均配置...
  • 本发明提供一种光刻胶涂布方法,包括以下步骤:建立晶圆翘曲度与光刻胶膜厚的物理模型;提供一晶圆,根据设计厚度对晶圆进行第一次光刻胶涂布,以形成光刻胶膜层;量测光刻胶膜层在晶圆各位置处的厚度,以得到光刻胶膜厚分布图;基于物理模型和光刻胶膜厚分布...
  • 本申请公开了一种套刻精度测量方法及套刻精度测量系统,该套刻精度测量方法包括如下步骤:提供一待测件,待测件包括衬底和层叠设于衬底的上层标记和下层标记;上层标记和下层标记均包括光栅结构;入射光照射至套刻标记;上层标记的光栅结构将入射光反射或透射...
  • 本发明公开了一种直写光刻系统、方法及装置,系统包括机械子系统、光学子系统和电控子系统;电控子系统,用于确定符合曝光点阵图像的曝光机制以及确定机械子系统的移动位置;光学子系统,用于提供光源、矫正光学畸变并在电控子系统的控制下产生曝光点阵图像;...
  • 一种用于全息衍射光栅双光束曝光系统的栅线垂直度调节方法及装置,在双光束曝光系统基础上,增设高侧垂度基片、角锥棱镜、直角棱镜、水平调节台和CCD;通过角锥棱镜、直角棱镜建立反射基准面,并结合带有高精度定位缺口的待曝光基片,实现了曝光光路的高精...
  • 本发明提供一种去除掩模的表面上的污染物颗粒的方法以及设备。去除掩模的表面上的污染物颗粒的方法包括采集在掩模的表面上有污染物颗粒的掩模的图像,并基于掩模的图像确定污染物颗粒的类型。方法还包括对掩模的表面进行与污染物颗粒的类型相对应的颗粒去除工...
  • 本申请公开了一种光刻机曝光菜单的建立方法、装置、设备和存储介质,其中方法包括:S1:获取光刻工艺文件;S2:验证所述光刻工艺文件的准确性和完整性;S3:运行装载有的脚本,并重置所述脚本中的参数;S4:通过所述脚本处理所述光刻工艺文件,从而提...
  • 本申请提供一种监控曝光机台漏光程度的方法,首先通过设计一具有遮光区和透光区相间的特殊光罩,然后根据预设的曝光条件,利用该特殊光罩对涂覆有光刻胶层的晶圆进行多次曝光,接着收集每次曝光后遮光区的光刻胶层厚度,最后根据曝光次数和每次曝光后收集的遮...
  • 本发明属于Liftoff光刻加工工艺技术领域,特别涉及一种改善厚金属行星式蒸发Liftoff工艺引起的图形色差异常的方法。包括:预处理;光刻胶涂布;曝光;使用NIKON光刻机,选择曝光时间为280ms~400ms进行曝光工艺;显影;使用显影...
  • 本发明提供一种高重频脉冲串超短脉冲激光还原直写方法,应用于激光加工技术领域,上述方法包括:制备前驱体油墨,前驱体油墨包括:金属盐或金属氧化物、多元醇、去离子水和分散剂;将前驱体油墨涂覆于透明基底表面形成液膜;按照目标金属图案,采用高重频脉冲...
  • 本申请提供一种金属掩膜版基材的曝光方法和曝光组件。所述曝光方法包括:将金属掩膜版基材放置在正对设置的移动侧光罩和基准侧光罩之间,在所述移动侧光罩表面上下两端、位于有效曝光区外分别设置断张组件。该断张组件采用柔软的材料制作、长度不短于该金属掩...
  • 本申请公开了一种快门装置、快门控制系统及光刻设备,属于半导体设备领域。本申请的快门装置包括:驱动单元,包括定子组件和动子组件,定子组件包括定子轭和磁铁阵列,磁铁阵列中的多个磁铁沿周向分布于定子轭且周向相邻的磁铁彼此紧贴,动子组件包括具有对称...
  • 本申请提供一种层间对准误差的测量方法、装置及电子设备,其方法包括:获取待测量的套刻标记图像;采用多级模板对套刻标记图像进行匹配定位,获得第一标记框对应的第一ROI区域和第二标记框对应的第二ROI区域;基于第一ROI区域和第二ROI区域,对第...
  • 本发明提供基于曲面拟合的工艺窗口预测方法,涉及光刻技术领域,包括预测系统,预测系统中包含控制模块、测量数据处理模块、模型仿真模块、工艺窗口分析模块和可视化模块,本技术方案通过曲面拟合预测工艺窗口,同时考虑Focus/Dose参数对CD的影响...
  • 本发明公开了一种抑制光敏材料聚合的显影液及方法,包含两种或两种以上无机碱性化合物以及一种或多种具有如下结构式的添加剂,所述显影液为将浓缩显影液按体积比1%‑4%稀释后得到的溶液;本发明采用混合无机碱性化合物及特定的添加剂及其组合制备显影液,...
  • 本发明公开一种光阻剥膜液及其使用方法。光阻剥膜液包括第一剥膜液与第二剥膜液。光阻剥膜液不包含有机碱,第一剥膜液包括30克/升至45克/升的无机碱、5重量百分比至15重量百分比的第一唑类化合物、2重量百分比至10重量百分比的界面活性剂及水。无...
  • 一种去除光刻胶残留物的方法、衬底,方法包括:在承载台上放置衬底,衬底上具有经显影处理的光刻胶层;通过第一喷嘴向衬底施加清洗液以去除光刻胶层经显影处理后的残留物;其中,在施加清洗液的过程中,控制承载台的旋转速度在最大值不大于1000rpm的预...
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