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最新专利技术
  • 一种新型高压熔断器
    一种新型高压熔断器_保定华森电力设备制造有限公司_202610096227.3
    本发明涉及熔断器技术领域，具体是一种新型高压熔断器，两个所述安装外筒之间转动连接有熔断外筒，所述熔断外筒的内侧螺纹连接有两个螺纹连接环，所述螺纹连接环的内侧固定连接有导电盘，两个所述导电盘之间固定连接有熔断柱，所述安装外筒的内侧固定连接有限...
    2026-03-22
  • 一种跌落式熔断器的快速脱扣传动装置及使用方法
    一种跌落式熔断器的快速脱扣传动装置及使用方法_平高集团有限公司_202610016420.1
    本发明公开一种跌落式熔断器的快速脱扣传动装置及使用方法，涉及配电网电力设备技术领域。该装置包括支架、传动齿轮、传动臂、约束部件和驱动机构。传动齿轮可转动地设于支架，传动臂一端与传动齿轮固定，约束部件与传动臂另一端固定，用于支撑熔断管并约束其...
    2026-03-22
  • 一种便于拆装维护的熔断器
    一种便于拆装维护的熔断器_福建省金传电力科技有限公司_202610172396.0
    本发明涉及熔断器技术领域，具体涉及一种便于拆装维护的熔断器，包括固定底座、设于固定底座上的两个绝缘子、固定设在两个绝缘子上的上触头和下固定座、设于上触头与下固定座之间的熔断器本体，熔断器本体包括熔管、设于熔管右端的触头铜件、设于熔管左端周侧...
    2026-03-22
  • 一种具有同轴Z字形交替连接结构的跌落式阻断器
    一种具有同轴Z字形交替连接结构的跌落式阻断器_广西电网能源科技有限责任公司_202610056475.5
    本发明公开了一种具有同轴Z字形交替连接结构的跌落式阻断器，涉及高压限流熔断器技术领域，多个所述环形电容模组首尾连接，且两端的环形电容模组分别与第一接头和第二接头连接，所述过渡连接件安装在环形电容模组之间，使得环形电容模组之间电性连接，多个所...
    2026-03-22
  • 组合键及电子设备
    组合键及电子设备_中兴通讯股份有限公司_202411268304.6
    本申请公开一种组合键及电子设备，属于电子设备技术领域。组合键用于设置于电子设备的中框上，组合键包括拨动键模组以及按压键模组，拨动键模组用于设于中框；按压键模组和拨动键模组沿按压方向叠加设于中框，按压键模组沿拨动方向滑动连接于拨动键模组，且按...
    2026-03-22
  • 一种场发射电子源及其电子源的制备方法
    一种场发射电子源及其电子源的制备方法_纳瑞科学仪器(江苏)有限公司_202511936014.9
    本申请涉及电子光学设备与微纳加工技术领域且公开了一种场发射电子源，主要由灯丝座、接线柱、焊接柱、焊接槽、钨片和发射钨针等构成。本发明在焊接时，利用钨片与焊接槽的侧壁直接接触，使得原先钨丝与焊接柱的点接触被钨片与焊接槽的侧壁接触替代为面接触，...
    2026-03-22
  • 一种磁控管管芯、磁控管及微波炉
    一种磁控管管芯、磁控管及微波炉_西华大学_202512044449.9
    本发明提供了一种磁控管管芯、磁控管及微波炉，所述磁控管管芯包括阳极部件、阴极部件、磁极部件和输入输出部件，所述阴极部件沿所述阳极部件的纵向轴心方向从所述阳极部件的底端穿插于所述阳极部件内，所述阳极部件包括阳极筒、隔离部件和角向均匀分布的叶片...
    2026-03-22
  • 电子枪以及电子枪的制造方法
    电子枪以及电子枪的制造方法_日清纺微电子株式会社_202511877802.5
    本发明涉及电子枪及电子枪的制造方法，该电子枪具备：阴极，其具有电子发射面，平面形状为圆形，并发射电子；加热器，其使该阴极升温；以及阳极，其对阴极施加正电位，并将电子向一定方向引出。阴极在其中心部具有沿着阴极的中心轴的通孔，在通孔的电子发射面...
    2026-03-22
  • 一种并行电子束检测调校装置及方法
    一种并行电子束检测调校装置及方法_广州光电存算芯片融合创新中心_202511798087.6
    本申请属于电子束检测技术领域，公开了一种并行电子束检测调校装置及方法，该方法包括：并行电子束模块，用于发射并行电子束；束闸微阵列，用于控制并行电子束各束的通断；电子光学透镜组模块，用于控制并行电子束的偏转与聚焦；根据检测结果完成并行电子束水...
    2026-03-22
  • 一种光谱仪适配大功率端窗X射线管
    一种光谱仪适配大功率端窗X射线管_丹东深博电子仪器有限公司_202610169779.2
    本发明涉及x射线管领域，具体而言，涉及一种光谱仪适配大功率端窗X射线管，包括管件、阳极靶材、阴极灯丝和降温机构；阳极靶材同轴设置在管件内部一端，阴极灯丝呈环形形状，管件上设置有用于供射线穿过的射线端窗，管件内部还注入有绝缘油；管件远离端窗的...
    2026-03-22
  • 一种具有WRe纤维结构的旋转阳极靶盘及其制备方法
    一种具有WRe纤维结构的旋转阳极靶盘及其制备方法_厦门虹鹭钨钼工业有限公司_202511890492.0
    本发明公开了一种具有WRe纤维结构的旋转阳极靶盘及其制备方法。所述旋转阳极靶盘包括由上至下依次设置的钨铼合金层、TZM合金层，且二者呈层状结构结合为一体。其通过高致密度钨铼丝垂直环形槽的结构设计，提升了旋转阳极靶盘在冷热交替环境下应对热膨胀...
    2026-03-22
  • 针对电子显微镜的磁放大控制
    针对电子显微镜的磁放大控制_FEI公司_202511287724.3
    本文提供了针对电子显微镜的磁放大控制的系统或技术。在各种实施例中，系统可包括电子显微镜，该电子显微镜使电子衍射穿过分析样品，并使用一个或多个磁浸没场来修改电子到电子检测器上的轨迹。
    2026-03-22
  • 用于样品保持器的功能化套筒
    用于样品保持器的功能化套筒_FEI公司_202511235025.4
    提供了针对用于支撑样品的系统的方法和系统。在一个实施方案中，一种系统包括：带电粒子样品保持器，该带电粒子样品保持器被配置为保持用于分析的样品；和功能化套筒，该功能化套筒被配置为将带电粒子样品保持器接收到沿着功能化套筒的轴线延伸的开口中。当插...
    2026-03-22
  • 一种离子束系统及其栅网装置与控制方法
    一种离子束系统及其栅网装置与控制方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411271584.6
    本申请公开一种离子束系统及其栅网装置与控制方法，离子束系统包括：离子源，离子源用于生成并出射离子束；栅网装置，栅网装置至少用于调节离子束的出射速度；栅网装置包括多个在离子束出射方向上依次层叠的栅网；传感器，传感器固定在栅网上，用于实时获取目...
    2026-03-22
  • 用于射频高能离子注入机的谐振聚束装置及离子注入机
    用于射频高能离子注入机的谐振聚束装置及离子注入机_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511637653.5
    本发明公开了一种用于射频高能离子注入机的谐振聚束装置及离子注入机，谐振聚束装置包括具有双间隙非对称电极结构的谐振聚束器，所述谐振聚束器设置于射频加速段的入口处，用于将直流离子束纵向聚束为微束团；所述双间隙非对称电极结构包括一个射频电极和两个...
    2026-03-22
  • 一种锂离子电池硅碳负极复合材料的制备装置及制备方法
    一种锂离子电池硅碳负极复合材料的制备装置及制备方法_伊尔(成都)新材料科技有限公司_202511882337.4
    本发明公开了一种锂离子电池硅碳负极复合材料的制备装置，包括从上到下依次顺序安装的：等离子体发生器，超音速喷射管，高温反应腔，所述等离子体发生器上部通入氢气与氩气混合气体，或者直接通入氩气，在等离子体下部设置有进料口，用于通入硅粉，在高温反应...
    2026-03-22
  • 半导体工艺腔室、半导体工艺设备及介质窗的温控方法
    半导体工艺腔室、半导体工艺设备及介质窗的温控方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411215168.4
    本申请公开一种半导体工艺腔室、半导体工艺设备及介质窗的温度方法，属于半导体技术领域。半导体工艺腔室包括腔室本体、介质窗和冷却装置，介质窗设置于工艺腔室的上方，冷却装置包括冷却腔室，冷却腔室设置于介质窗的上表面，且沿介质窗的周向延伸，冷却腔室...
    2026-03-22
  • 上电极结构及半导体工艺设备
    上电极结构及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411223158.5
    本发明提供一种上电极结构及半导体工艺设备，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴向上与射频线圈相对设置，且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导电感...
    2026-03-22
  • 一种等离子体处理设备及其使用方法
    一种等离子体处理设备及其使用方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411237865.X
    本发明提供了一种等离子体处理设备，包括反应腔、等离子体约束环和移动环。反应腔内设有用于承载晶圆的基座；等离子体约束环设于基座与反应腔的侧壁之间，其上开设有多个贯穿其厚度的第一气道；等离子体约束环的下表面与反应腔围成一第一空间，第一气道与第一...
    2026-03-22
  • 等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法
    等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510261541.8
    本发明涉及等离子体处理装置以及半导体装置的制造方法，在基板面内更均匀地进行等离子体处理。实施方式的等离子体处理装置具备：处理腔室，能够对基板进行处理；工作台，设置于处理腔室内，能够载置基板；等离子体生成部，使得在载置有基板的工作台的上方产生...
    2026-03-22
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