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最新专利技术
  • 一种基于双共反应剂增强金纳米团簇的电化学发光体系
    一种基于双共反应剂增强金纳米团簇的电化学发光体系_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202511753160.8
    本发明涉及一种基于双共反应剂增强金纳米团簇的电化学发光体系，属于电化学发光技术领域。该方法首先以氯金酸为金源，乙酸锌为锌源，采用11‑巯基十一烷酸和D‑青霉胺作为短/长链搭配的双稳定剂，甲硼烷‑叔丁胺络合物为还原剂，制得水溶性金纳米团簇。所...
    2026-04-13
  • 一种近红外电化学发光辐射的Zn2+聚集诱导双配体稳定金纳米团簇及制备方法
    一种近红外电化学发光辐射的Zn2+聚集诱导双配体稳定金纳米团簇及制备方法_齐鲁工业大学(山东省科学院)_202511753588.2
    本发明涉及一种近红外电化学发光辐射的Zn2+聚集诱导双配体稳定金纳米团簇及制备方法，该方法以氯金酸为金源，乙酸锌为锌源，采用11‑巯基十一烷酸和D‑青霉胺作为短/长链搭配的双稳定剂，甲硼烷‑叔丁胺络合物为还原剂，成功制得水溶性金纳米团簇。本...
    2026-04-13
  • 一种高效和超稳定性的无铅钙钛矿铯锌氯/氧化硅纳米复合材料及制备方法
    一种高效和超稳定性的无铅钙钛矿铯锌氯/氧化硅纳米复合材料及制备方法_长春理工大学_202610236948.X
    本发明公开了一种高光致发光量子产率和超稳定的无铅Cs2ZnCl4/SiO2纳米复合材料及制备方法。采用负载方法，解决了配体辅助再沉淀法合成的Cs2ZnCl4胶体量子点发光效率低且稳定性差的问题。选用介孔纳米SiO2作为载体，将Cs2ZnCl...
    2026-04-13
  • 一种多模态动态发光材料及其制备方法与应用
    一种多模态动态发光材料及其制备方法与应用_郑州大学_202512001373.1
    本发明公开一种多模态动态光致发光材料及其制备方法与应用。所述材料的化学组成为SrGa2O4 : xDy3+，其中x=0.01‑0.05(优选x=0.025，即Dy3+与Sr2+原子比为2.5%)。该材料在254 nm紫外光激发下，随照射时间...
    2026-04-13
  • 一种Al3+取代改性的Fe3+掺杂锗酸盐的宽带近红外荧光粉及其制备方法与近红外光源
    一种Al3+取代改性的Fe3+掺杂锗酸盐的宽带近红外荧光粉及其制备方法与近红外光源_安庆师范大学_202511883143.6
    本发明公开了一种Al3+取代改性的Fe3+掺杂锗酸盐的宽带近红外荧光粉及其制备方法与近红外光源，属于发光材料技术领域。该宽带近红外荧光粉的化学组成为：A3Ga2‑yAlyGeO8 : xFe3+，其中，A为Mg、Ca、Sr、Ba中的一种或多...
    2026-04-13
  • 基于MXene的量子点及其制备方法和应用
    基于MXene的量子点及其制备方法和应用_兰州理工大学_202512001490.8
    本发明涉及量子点技术领域，具体涉及基于MXene的量子点及其制备方法和应用。本发明通过H2O2分解产生•OH和氮原子的引入来切割MXene量子点，分别获得小尺寸氧化态MXene量子点和氮掺杂MXene量子点，并提高了相对量子产率；通过合成方...
    2026-04-13
  • 近红外锑酸盐荧光材料及其制备方法
    近红外锑酸盐荧光材料及其制备方法_渤海大学_202511653372.9
    本发明提供了一种近红外锑酸盐荧光材料及其制备方法，属于荧光材料技术领域。该近红外锑酸盐荧光材料的化学通式为BaAl4‑4xFe4xSb2O12‑yFy，且0.25%≤x≤2%，0%≤y≤20%。本发明通过采用BaAl4Sb2O12为基质，引...
    2026-04-13
  • 一种复合基质应力发光材料及其制备方法
    一种复合基质应力发光材料及其制备方法_河北大学_202511998668.4
    本发明公开了一种复合基质应力发光材料及其制备方法，具体涉及应力发光材料领域。本发明涉及材料按重量份由复合基质应力发光粉体30~40份，海藻酸钠10~15份，ZnCl22~5份，聚二甲基硅氧烷预聚体40~55份，采用海藻酸钠的羧基与Zn2+的...
    2026-04-13
  • 铝离子共掺杂锑酸基深红外荧光粉体及其制备方法与应用
    铝离子共掺杂锑酸基深红外荧光粉体及其制备方法与应用_南昌大学_202610039723.5
    一种铝离子共掺杂锑酸基深红外荧光粉体及其制备方法与应用。所述荧光粉体的化学式为La₃Li₅Sb₁.₉₉₈₋xO₁₂ : 0.002Mn⁴⁺, xAl³⁺，其中0＜x≤0.005。通过采用高温固相法，将镧、锂、锑、锰、铝的化合物原料按金属元素...
    2026-04-13
  • 一种降低Ce离子掺杂硅酸钇荧光材料荧光寿命的技术
    一种降低Ce离子掺杂硅酸钇荧光材料荧光寿命的技术_长春理工大学_202610236829.4
    本发明公开了一种降低Y2SiO5 : Ce3+荧光寿命的技术。为了降低Y2SiO5 : Ce3+的响应时间，引入稀土离子Ho3+，该方法通过创建一个额外的激发通道来提高从激发态到基态的跃迁几率，并且嵌入一个额外的受主中心来实现的，受体能够在...
    2026-04-13
  • 一种环境光调控的上转换紫外发光材料及其制备方法和在防伪中的应用
    一种环境光调控的上转换紫外发光材料及其制备方法和在防伪中的应用_东北师范大学_202512014831.5
    本发明属于发光材料领域，尤其涉及其在防伪技术中的应用。具体涉及一种环境光调控的上转换紫外发光材料及其制备方法和在防伪中的应用。本发明提供的环境光调控的上转换紫外发光材料，包括无机发光基质和掺杂在所述无机发光基质中的稀土离子；所述稀土离子包括...
    2026-04-13
  • 一种基于等离激元效应的上转换发光温度传感器及其制备与应用
    一种基于等离激元效应的上转换发光温度传感器及其制备与应用_佛山大学_202511909285.5
    本发明属于温度传感器技术领域，具体涉及一种基于等离激元效应的上转换发光温度传感器及其制备与应用。本发明提供的传感器，其核心为金纳米柱阵列与Er3+、Yb3+共掺杂NaYF4上转换纳米颗粒形成的复合结构，其中金纳米柱阵列采用双通氧化铝模板法制...
    2026-04-13
  • 面向X射线延时成像的余晖闪烁体材料
    面向X射线延时成像的余晖闪烁体材料_云南大学_202511976084.7
    本申请公开了一种面向X射线延时成像的余晖闪烁体材料，为高温固相法制备得到的：NaCa3Y1‑x(PO4)3F : xTb3+，0
    2026-04-13
  • 一种用于不同锗含量SiGe叠层的高选择比蚀刻液及使用方法
    一种用于不同锗含量SiGe叠层的高选择比蚀刻液及使用方法_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511703434.2
    本发明提供了一种用于不同锗含量SiGe叠层的高选择比蚀刻液及使用方法，该高选择比蚀刻液，按质量分数计，包括氢氧化季铵0.1‑20wt％，氧化剂0.00001‑1wt％，抑制剂0.0001‑10wt％，溶剂0.5‑40wt％，余量为水。本发明...
    2026-04-13
  • 一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液
    一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511712181.5
    本发明提供了一种氮化硅和氧化硅的选择性蚀刻液，按质量分数计，该蚀刻液包括三(2‑氨基乙基)胺60‑70%，氧化硅蚀刻抑制剂1.0‑2.0%，硅烷分散剂4.0‑5.0%，蚀刻稳定剂0.2‑0.3%，氧气牺牲剂0.1‑0.2%，余量为去离子水。...
    2026-04-13
  • 高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法
    高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511703236.6
    本发明涉及蚀刻液技术领域，具体公开了一种高温选择性刻蚀氮化硅的蚀刻液及其制备方法，该蚀刻液包含按质量分数计的以下原料：84~88%酸性物质，4~6%复合缓蚀剂，余量为水；复合缓蚀剂含有钨酸盐类化合物、羟基膦酸基化合物和环氧基硅烷类化合物。本...
    2026-04-13
  • 一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用
    一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511711837.1
    本发明公开了一种3D NAND深孔结构蚀刻液及其制备方法与应用，所述蚀刻液按照质量百分数包括如下原料组成：1‑5%多元酸二甲酯，58‑80%磷酸，1‑7%深宽比改进剂，1‑8%稳定剂，余量为水；所述深宽比改进剂为依替膦酸、羟乙膦酸、伊班膦酸...
    2026-04-13
  • 石英蚀刻液及其蚀刻方法
    石英蚀刻液及其蚀刻方法_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511703242.1
    本发明涉及蚀刻液技术领域，具体公开了一种石英蚀刻液及其蚀刻方法，该蚀刻液包括按质量百分比计的以下原料18‑23%的氢氟酸、10‑12%的氟化氢铵、1.5%的添加剂，其余为水；其中添加剂中含有表面活性剂和阳离子聚合物。本发明提供的蚀刻液，其中...
    2026-04-13
  • 一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用
    一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液及其应用_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511820211.4
    本发明公开了一种具有PSPI侧壁保护功能的选择性BOE蚀刻液。该蚀刻液主要成分为氢氟酸、氟化铵、有机缓蚀剂、表面保护剂以及超纯水。本发明的蚀刻液用于微结构孔内选择性去除底部氮化硅薄膜并保护侧壁光敏聚酰亚胺(PSPI)。本发明通过有机缓蚀剂与...
    2026-04-13
  • 一种无机高分子土壤固化剂及其制备方法
    一种无机高分子土壤固化剂及其制备方法_广州朝烨环保科技有限公司_202511965928.8
    本发明涉及岩土工程与建筑材料技术领域，尤其涉及一种无机高分子土壤固化剂及其制备方法。无机高分子土壤固化剂的制备原料按照质量份数计，包括90‑97份基料，0.5‑1.5份NaCl，2.5‑3.5份CaSiO3, 0.1‑0.8份无机高分子聚合...
    2026-04-13
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