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最新专利技术
  • 邻苯二甲酰亚胺杀真菌剂的悬浮液浓缩物
    邻苯二甲酰亚胺杀真菌剂的悬浮液浓缩物_安道麦马克西姆有限公司_202480017696.0
    本发明提供了一种农用化学品悬浮液浓缩物组合物， 该组合物包含i)一定量的邻苯二甲酰亚胺杀真菌剂， ii)一定量的共杀真菌剂， iii)稳定化体系， 该稳定化体系包含：a)阴离子芳香族表面活性剂；b)非离子芳香族表面活性剂；c)pH调节剂；以...
    2025-11-07
  • 多倍体杂交育种
    多倍体杂交育种_奥禾乐遗传学公司_202380090429.1
    本发明涉及一种用于产生多倍体种子、植物或植物部分的育种系统， 其中减数分裂、配子配合和选择的循环用于祖系的群体间改良， 并且有性多倍化在杂种产生期间通过诱导待杂交的亲本中的克隆配子形成而发生。相互轮回选择能够用于通知候选品系的选择， 所述候...
    2025-11-07
  • 树木修剪装置
    树木修剪装置_菲斯卡斯芬兰有限公司_202480015638.4
    一种树木修剪装置， 包括：修剪装置本体， 其包括沿修剪装置本体的纵向方向间隔开的第一本体区段(11)和第二本体区段(12)；刀片系统， 连接至第一本体区段(11)， 包括适于相互配合以切断枝条的第一刀片(21)和第二刀片(22)， 第一刀片...
    2025-11-07
  • 沟槽电容器及其制作方法
    沟槽电容器及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410533786.7
    本发明公开一种沟槽电容器及其制作方法， 其中该沟槽电容器包含半导体基底， 包含向上突出结构和在向上突出结构之间的第一沟槽， 其中， 各该向上突出结构具有增大头部和位于增大头部下方的主体部分；介电模板层， 覆盖向上突出结构和第一沟槽的底面， ...
    2025-11-07
  • 一种电容器结构及其形成方法
    一种电容器结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410459074.5
    本申请提供一种电容器结构及其形成方法， 所述电容器结构的形成方法包括：在半导体基底上形成掺杂氧化硅层；刻蚀所述掺杂氧化硅层至所述半导体基底， 形成贯穿所述掺杂氧化硅层的多个深沟槽；在所述掺杂氧化硅层的表面以及所述深沟槽的侧壁和底部形成电容介...
    2025-11-07
  • 一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法
    一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511343784.2
    本发明涉及忆阻器技术领域， 尤其涉及一种宽禁带半导体钙钛矿异质结忆阻器及其制备方法。忆阻器自下而上包括依次紧密堆叠的衬底、宽禁带薄膜层、钙钛矿薄膜层及金属薄膜电极；钙钛矿薄膜层与宽禁带薄膜层形成异质结；钙钛矿薄膜层的材料为准二维金属卤化物钙...
    2025-11-07
  • 一种紫外光电忆阻器及其制备方法
    一种紫外光电忆阻器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511343618.2
    本发明涉及半导体紫外光电忆阻技术领域， 具体提供了一种紫外光电忆阻器及其制备方法。本发明的紫外光电忆阻器， 包括衬底、AlGaN光敏沟道层、源电极、漏电极、AlScN电忆阻层、顶电极；AlGaN光敏沟道层作为探测器的光吸收区， 形成空间电荷...
    2025-11-07
  • 半导体器件及半导体器件的制造方法
    半导体器件及半导体器件的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411190588.1
    本公开涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。一种半导体器件可以包括：第一电极， 其包括交替堆叠的至少一个第一材料层和至少一个第二材料层， 第一材料层和第二材料层具有不同的功函数；第二电极；以及可变电阻层， 其位于第一电极和第二电极之间。
    2025-11-07
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410460569.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法， 所述半导体结构包括：基底， 所述基底包括第一区域和第二区域， 所述基底中形成有若干第一金属层， 所述基底和第一金属层表面形成有掩膜层， 所述掩膜层中形成有暴露所述第一区域中的第一金属层的第一开口；底电极，...
    2025-11-07
  • 双通道多模态神经网络单元及神经网络
    双通道多模态神经网络单元及神经网络_北京航空航天大学_202510951237.6
    本申请提供了一种双通道多模态神经网络单元及神经网络， 双通道多模态神经网络单元包括自旋轨道矩层及设置在所述自旋轨道矩层上的至少一个磁性器件；所述自旋轨道矩层至少包括第一信号通道和第二信号通道， 分别用于输入第一信号和第二信号；所述磁性器件包...
    2025-11-07
  • 存储单元及其制备方法、存储器及其操作方法、电子设备
    存储单元及其制备方法、存储器及其操作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410471009.4
    本申请公开了一种存储单元及其制备方法、存储器及其操作方法、电子设备， 属于半导体技术领域。该存储单元包括在垂直于基底的方向上依次排列的氧化物层、转化层和自由层；其中， 转化层用于将通入转化层的电流转化为第一自旋流， 氧化物层用于将电流中流经...
    2025-11-07
  • 磁性隧道结单元及其制备方法、存储器、访问方法及设备
    磁性隧道结单元及其制备方法、存储器、访问方法及设备_北京超弦存储器研究院_202410469866.0
    本申请公开了一种磁性隧道结单元及其制备方法、存储器、访问方法及设备， 属于半导体技术领域。该磁性隧道结单元包括在垂直于基底的方向上依次排列的轨道霍尔功能层和反铁磁自由层；其中， 轨道霍尔功能层用于将流经轨道霍尔功能层的电流转化为轨道流；反铁...
    2025-11-07
  • 磁性存储器件
    磁性存储器件_三星电子株式会社_202411598480.6
    提供了一种磁性存储器件。该器件包括：在基板的第一区域上的第一磁隧道结图案和在基板的第二区域上的第二磁隧道结图案。第一磁隧道结图案包括第一固定磁结构、第一自由磁结构以及在第一固定磁结构和第一自由磁结构之间的第一隧道势垒图案。第二磁隧道结图案包...
    2025-11-07
  • 磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器
    磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器_浙江驰拓科技有限公司_202410478595.5
    本申请提供了一种磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器， 该磁存储位元包括：包括：轨道层；间隔层， 位于轨道层的一侧， 间隔层的材料包含轻元素；磁性隧道结， 位于间隔层背离轨道层的一侧；通过在轨道层和磁性隧道结之间引入具有轻元素的间隔层， 使...
    2025-11-07
  • 磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器
    磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器_浙江驰拓科技有限公司_202410478593.6
    本申请提供了一种磁存储位元、及其制备方法和磁性存储器， 该磁存储位元包括：轨道层；磁性隧道结， 具有多层功能层， 多层功能层在轨道层上具有多个投影， 其中投影面积最小的功能层投影在第一方向上的具有第一长度， 在第二方向上具有第二长度， 第一...
    2025-11-07
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410545957.8
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法， 其中该制作半导体元件的方法为， 主要先形成一金属间介电层于基底上， 然后形成一第一开口于该金属间介电层内， 形成一金属层于该第一开口内， 平坦化该金属层以形成一第一金属内连线于该金属间介电层内以及一第...
    2025-11-07
  • SOT-MTJ器件的制备方法及SOT-MTJ器件
    SOT-MTJ器件的制备方法及SOT-MTJ器件_浙江驰拓科技有限公司_202410476878.6
    本发明提供一种SOT‑MTJ器件的制备方法及SOT‑MTJ器件， 包括：衬底；位于衬底上的层叠结构， 该层叠结构包括从下至上依次层叠的钉扎层、参考层、势垒层、自由层、SOT轨道层和缓冲层；其中， 钉扎层、参考层和自由层具有垂直磁各向异性；S...
    2025-11-07
  • 一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜及其制备方法
    一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜及其制备方法_宋健伟_202410464826.7
    本发明涉及一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜， 一种用于超声波振动除尘的氧化锌压电膜， 包括衬底和设于衬底中部镀覆区域上的氧化锌压电薄膜， 衬底采用PET材料， 氧化锌压电薄膜通过磁控溅射技术镀覆成型， 氧化锌压电薄膜中混合有MgO， 且...
    2025-11-07
  • 振动组件及电子设备
    振动组件及电子设备_荣成歌尔微电子有限公司_202510875463.0
    本申请提供了一种振动组件及电子设备。所述振动组件包括压电陶瓷和弹片， 所述弹片包括主体部和折弯部， 所述主体部与所述压电陶瓷连接；所述折弯部向着所述压电陶瓷弯折， 或者所述折弯部向着背离所述压电陶瓷的方向弯折；所述折弯部的宽度尺寸小于所述主...
    2025-11-07
  • 一种自组装的压电复合材料微结构传感器及其制备方法
    一种自组装的压电复合材料微结构传感器及其制备方法_宁波大学_202510963845.9
    本发明公开了一种自组装的压电复合材料微结构传感器及其制备方法， 属于柔性多功能传感器技术领域。自组装的压电复合材料微结构传感器包括含微结构的柔性压电复合材料薄膜和设置于所述含微结构的柔性压电复合材料薄膜上下表面的金电极；其中， 含微结构的柔...
    2025-11-07
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