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最新专利技术
  • 基板搬送装置的监视方法和基板处理装置
    基板搬送装置的监视方法和基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480023209.1
    本发明提供能够适当监视基板搬送装置的技术。一种基板搬送装置的监视方法，其中，所述基板搬送装置的监视方法具有：拍摄工序，在基板搬送装置的手直线移动时，用相机拍摄保持于手的基板，获取包括3个以上的基板以圆形状或椭圆形状出现的帧数据的拍摄数据；评...
    2025-11-18
  • 辐射分离系统
    辐射分离系统_应用材料公司_202480024990.4
    本公开案大致涉及一种用于热处理基板的灯加热的设备。具体而言，本公开案的实施方式涉及使用基板及屏蔽部件而将在迅速热处理(RTP)腔室中的加热区域分离。在一个实施方式中，一种处理基板的方法包括将基板放置于处理腔室中在多个升降杆上，以多个升降杆将...
    2025-11-18
  • 计量装置
    计量装置_美特拉斯有限公司_202480021151.7
    本发明提供了一种计量装置。计量装置包含用于测量晶圆的质量和/或质量变化的质量计量站，以及用于对晶圆的至少一部分执行光谱成像的光谱成像系统。
    2025-11-18
  • 用于压缩成形的密封树脂的形成装置
    用于压缩成形的密封树脂的形成装置_雅马哈智能机器株式会社_202480025423.0
    本发明的课题在于提供一种可形成密封树脂且可防止产生形成过程中的密封树脂的割损的形成装置，所述密封树脂能够实现可防止产生成形不良的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，本发明的密封树脂的形成装置(100)为形成用于工件(W)的压缩成形的密...
    2025-11-18
  • 氧化银颗粒、氧化银粉末、接合用组合物、氧化银糊、使用该接合用组合物或该氧化银糊的半导体器件的制造方法、氧化银颗粒或氧化银粉末的制造方法
    氧化银颗粒、氧化银粉末、接合用组合物、氧化银糊、使用该接合用组合物或该氧化银糊的半导体器件的制造方法、氧化银颗粒或氧化银粉末的制造方法_中央硝子株式会社_202480021658.2
    本发明提供一种即使在低温的接合中也能够得到良好的接合强度的接合材料。本发明提供一种具有薄片形状的氧化银颗粒或含有其的氧化银粉末。该具有薄片形状的氧化银颗粒的平均厚度为10～100nm，D50为100～350nm。此外，具有薄片形状的氧化银颗...
    2025-11-18
  • 等离子处理装置
    等离子处理装置_株式会社日立高新技术_202480006022.0
    本发明的目的在于，提供能够按每个区域推定晶片的温度并高精度地进行控制的技术。代表性的本发明的等离子处理装置之一具备：处理室，形成用于对处理对象的晶片进行处理的等离子；样品台，配置于处理室内，在上表面载置晶片；多个加热器，在覆盖样品台内部的基...
    2025-11-18
  • 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序
    基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序_株式会社国际电气_202380095977.3
    具备：处理容器，其收容基板并对所述基板进行处理；等离子体生成单元，其在所述处理容器内产生等离子体；计算部，其在所述基板的处理中，计算所述等离子体生成单元输出的电力的累积量；存储部，其存储所述基板的处理结果为正常时的处理结束时间点的所述累积量...
    2025-11-18
  • 计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置
    计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202480019962.3
    本发明提供用于对使用学习完毕模型的预测的精度进行评价的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。使用模拟模型或者学习完毕模型来调整多个参数，以使得预测形状成为特定的形状，其中，该模拟模型使用与基板处理的条件相关的多个参数模拟基板处理，该学习...
    2025-11-18
  • 学习装置、信息处理装置、基板处理装置、学习方法以及处理条件决定方法
    学习装置、信息处理装置、基板处理装置、学习方法以及处理条件决定方法_株式会社斯库林集团_202480021078.3
    学习装置具有：实验数据获取部，获取第一数据集，该第一数据集包括在基板处理装置中执行的处理的处理条件以及该处理的处理结果；事前学习部，使学习模型机器学习第二数据集；以及学习模型生成部，使通过事前学习部机器学习过的学习完毕的学习模型机器学习第一...
    2025-11-18
  • 研磨剂、研磨方法、半导体部件的制造方法和研磨剂用添加液
    研磨剂、研磨方法、半导体部件的制造方法和研磨剂用添加液_AGC株式会社_202480024746.8
    本发明提供一种在维持氧化硅膜的研磨速度的同时得到氧化硅膜与阻挡膜的高选择比、且保存稳定性也优异的研磨剂。该研磨剂是包含磨粒、阴离子性聚合物、选自磷酸化合物和有机酸化合物的酸性化合物、以及水的研磨剂，上述阴离子性聚合物是包含疏水性单体和阴离子...
    2025-11-18
  • 针对改善的间隙填充的混合式沉积和蚀刻工艺
    针对改善的间隙填充的混合式沉积和蚀刻工艺_朗姆研究公司_202480024796.6
    提供在低于400°C的工艺温度下利用金属卤化物前体且将还原剂和含卤素蚀刻剂同时引入处理室中来执行衬底的特征的由下而上的间隙填充的方法。选择性间隙填充工艺可用于对特征填充以包含钼或钨的过渡金属。一些方法涉及金属卤化物前体和含卤素蚀刻剂的使用，...
    2025-11-18
  • 形成钌氧化物膜的方法及制造包括钌氧化物膜的半导体装置的方法
    形成钌氧化物膜的方法及制造包括钌氧化物膜的半导体装置的方法_周星工程股份有限公司_202480025270.X
    根据本发明的实施例的形成钌氧化物膜的方法可以包括：朝向基板喷射含钌(Ru)前体以形成钌膜；向钌膜上喷射含氧气体以形成钌氧化物膜；以及形成等离子体以使钌氧化物膜暴露于等离子体。因此，根据本发明的示例性实施例，可以形成具有较高氧含量的钌氧化物膜...
    2025-11-18
  • 处理液供给装置和处理液供给方法
    处理液供给装置和处理液供给方法_东京毅力科创株式会社_202480024346.7
    一种用于供给处理液的处理液供给装置，包括：处理液供给源、隔膜泵、向所述隔膜泵供给流体以使所述处理液吐出的流体供给机构、控制部，所述隔膜泵包括泵室、作动室和隔膜，所述泵室包括：用于导入所述处理液的导入口；用于吐出所述处理液的吐出口；和用于排出...
    2025-11-18
  • 用于提高集成电路良率的系统和方法
    用于提高集成电路良率的系统和方法_任耐特公司_202480019953.4
    一种用于通过提供补救性电路元件来提高制造的集成电路的良率的系统和方法，这些补救性电路元件包括通过中道工艺和/或后道工艺制造的交替平面晶体管，以根据由集成电路的制造后测试和/或由电路操作的操作中监测，在需要时启用和禁用提供附加电路功能的补救性...
    2025-11-18
  • 用于制备材料以将其转移到质谱仪中的接口和方法
    用于制备材料以将其转移到质谱仪中的接口和方法_里尔大学_202480020487.1
    本公开涉及一种用于制备生物材料以将其转移到质谱仪中的接口。所述接口包括用于气溶胶形式的生物材料的引导管、具有两个入口和一个出口的文丘里系统、筒式加热器、用于电离气溶胶形式的生物材料的电晕放电针、用于产生雾气的雾化器以及连接至文丘里系统出口的...
    2025-11-18
  • 可调整出口角度的离子与中性粒子源
    可调整出口角度的离子与中性粒子源_应用材料股份有限公司_202480025339.9
    揭示一种具有可调出射孔的等离子体源。等离子体源具有圆柱形本体和两个端部，其中外壳孔沿圆柱形本体形成。可调输出板设置在圆柱形本体上并覆盖外壳孔。可调输出板具有小于外壳孔的出射孔。可调输出板能够在圆周方向上旋转，从而相对于工件固持器移动出射孔位...
    2025-11-18
  • 等离子体加工方法和设备
    等离子体加工方法和设备_东京毅力科创株式会社_202480025283.7
    一种实施例等离子体加工设备包括：等离子体产生源；在等离子体室中的喷嘴，该喷嘴能够将等离子体从该等离子体产生源引导到待加工的晶片，该等离子体在该喷嘴的出口处具有等离子体束的形式；布置在该等离子体室中并且在该晶片上方的外环体，该外环体环绕该喷嘴...
    2025-11-18
  • 等离子体处理容器及等离子体处理装置
    等离子体处理容器及等离子体处理装置_株式会社普拉斯_202480022146.8
    本发明提供等离子体处理容器及等离子体处理装置，所述等离子体处理容器可以包括：外壳，形成有用于收容被处理物收纳容器的内部空间；连接电极，配置于所述外壳的一端，且一部分裸露于所述内部空间；以及磁场形成部，配置于所述外壳，在所述内部空间形成磁场。
    2025-11-18
  • 电子束装置、箔或栅格透镜，以及操作电子束装置的方法
    电子束装置、箔或栅格透镜，以及操作电子束装置的方法_ICT半导体集成电路测试有限公司_202480025015.5
    本文描述了一种电子束装置(100)，所述电子束装置包括被配置成产生沿光轴(A)传播的一次电子束的电子源(105)、被配置成支撑样品的样品台(108)、被配置成将一次电子束聚焦在样品上以引起信号电子束的发射的物镜(120)以及用于影响信号电子...
    2025-11-18
  • 烟火断路器
    烟火断路器_奥托立夫开发公司_202480025517.8
    本发明涉及一种烟火断路器，该烟火断路器至少包括：‑壳体(10)，‑待切割的电导体(20)，‑切割活塞(30)，该切割活塞能够在静止位置与激活位置之间移动，该切割活塞(30)被布置成在其从静止位置移动到激活位置期间切割电导体(20)，‑烟火致...
    2025-11-18
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