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最新专利技术
  • 阵列基板及其制备方法、显示面板
    阵列基板及其制备方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410564867.3
    本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，该阵列基板包括衬底以及沿远离衬底方向层叠设置的第一导电层、第一绝缘层、第一半导体层和第二绝缘层，第一导电层包括第一信号线；第一半导体层包括第一半导体区；还包括第一过孔和第二过孔，第一过孔贯穿第...
    2025-11-24
  • 显示面板
    显示面板_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202410558113.7
    本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板通过改变连接走线上的通孔与氧化物半导体晶体管的有源图案的相对位置，通过使源漏极层包括遮光图案，使得氧化物半导体晶体管的有源图案被连接走线、遮光图案中的一者或者多者完全覆盖，从而可以防止外界光线照射到氧...
    2025-11-24
  • LTPO显示面板及电子设备
    LTPO显示面板及电子设备_信利(惠州)智能显示有限公司_202510901749.1
    本申请涉及一种LTPO显示面板及电子设备。该LTPO显示面板包括衬底基板、遮光层、第一晶体管、第二晶体管、金属走线层、平坦化层及发光层，遮光层设置于衬底基板上，第一晶体管及第二晶体管分别位于遮光层的上方，金属走线层与遮光层电连接，平坦化层位...
    2025-11-24
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511111596.7
    一种半导体器件及其制造方法，方法包括：提供衬底，在所述衬底上设置有埋氧层，在所述埋氧层上形成有晶体管以及覆盖所述晶体管的介质层；形成第一导电连接结构，所述第一导电连接结构从所述介质层背离所述衬底的一面朝向所述衬底延伸，依次贯穿所述介质层、所...
    2025-11-24
  • 显示装置与主动元件基板的制造方法
    显示装置与主动元件基板的制造方法_友达光电股份有限公司_202511096388.4
    一种显示装置与主动元件基板的制造方法，显示装置包括基板、遮光层、缓冲层、半导体层、绝缘层、第一导电层、第二导电层、第一源极及一第一漏极。基板具有显示区及位于显示区外的周边区。显示区具有第一主动元件区，周边区具有校正标记区。缓冲层位于基板上，...
    2025-11-24
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510002332.1
    提供一种半导体器件，包括：衬底；下电力线，设置在衬底下方；源/漏图案，在衬底上；沟道图案，在源/漏图案的侧表面上，包括彼此堆叠的多个半导体图案；栅电极，在多个半导体图案之间；背侧有源接触部，穿透衬底以将下电力线和源/漏图案电连接；以及背侧隔...
    2025-11-24
  • 半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备
    半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511069604.6
    本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备；半导体结构包括：第一晶体管；第二晶体管；第一晶体管和第二晶体管为垂直场效应晶体管；栅极引出结构；栅极引出结构连接半导体结构的栅极和半导体结构的正面后道互连层，或，栅极引出结构连...
    2025-11-24
  • 基于多层布线工艺的金刚石-氮化镓反相器及其制备方法
    基于多层布线工艺的金刚石-氮化镓反相器及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511051813.8
    本发明公开了一种基于多层布线工艺的金刚石‑氮化镓反相器及其制备方法，该反相器包括金刚石‑氮化镓复合衬底、形成于复合衬底正面的氮化镓HEMT器件、形成于复合衬底背面的金刚石MOSFET器件以及多层互连布线结构；其中，多层互连布线结构包括设置在...
    2025-11-24
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_三星电子株式会社_202510613350.3
    提供了一种半导体装置，包括：衬底；位于衬底的上面上的有源图案；位于有源图案上并与有源图案交叉的栅极结构；位于栅极结构的侧表面上并连接到有源图案的源极/漏极图案；沿着衬底的上面和源极/漏极图案的外表面延伸的蚀刻停止层；位于衬底中的背面源极/漏...
    2025-11-24
  • 一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法
    一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法_广州市艾佛光通科技有限公司_202511486707.2
    本发明提供了一种用于射频能量传输系统的肖特基二极管及其制备方法，涉及肖特基势垒二极管技术领域。包括分别设置在多层结构左右两侧的阳极金属电极和阴极金属电极，阳极金属电极和阴极金属电极均按照预设的等效电路分别与缓冲层及其之上的层结构电连接，且阳...
    2025-11-24
  • 一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件
    一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件_华东光电集成器件研究所_202511064732.1
    本发明涉及一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件，在外延层上两侧分别制作环形的隔离浅槽(10)，在外延层(6)和顶层硅(3)中分别制作环绕N型埋层(4)和P型埋层(5)的隔离深槽(11)；在一侧外延层中注入硼和扩散形成P型基区(12)，...
    2025-11-24
  • 静电放电保护结构、形成静电放电保护结构的方法及光罩
    静电放电保护结构、形成静电放电保护结构的方法及光罩_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511107335.8
    本发明提供了一种静电放电保护结构、形成静电放电保护结构的方法及光罩，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成拾取区及若干MOS晶体管，每个MOS晶体管包括栅极、源极和漏极；形成图形化的光刻胶层，漏极包括依次远离拾取区的第一区、第二区及第三区，第...
    2025-11-24
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202511106260.1
    本申请特别涉及一种半导体器件结构及其形成方法。本申请的方法移除部分的所述栅氧化层，露出所述第一材质外延层作为异质结二极管结构的阴极材料；形成第二材质层，其中，形成在露出的所述第一材质外延层上的所述第二材质层作为所述异质结二极管结构的阳极材料...
    2025-11-24
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202511106248.0
    本申请特别涉及一种半导体器件结构及其形成方法。本申请的方法移除部分沟槽结构的表面的所述栅氧化层，露出所述第一材质外延层作为异质结二极管结构的阴极材料；在所述多个沟槽结构内形成第二材质层，其中，形成在露出的所述第一材质外延层上的所述第二材质层...
    2025-11-24
  • 一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件制备方法
    一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件制备方法_华东光电集成器件研究所_202511064735.5
    本发明涉及一种基于双介质隔离的CB互补双极晶体管器件制备方法，在外延层上两侧分别制作环形的隔离浅槽(10)，在外延层(6)和顶层硅(3)中，分别制作环绕N型埋层(4)和P型埋层(5)的隔离深槽(11)；在一侧外延层(6)中注入硼和扩散形成P...
    2025-11-24
  • 级联封装结构及其封装方法
    级联封装结构及其封装方法_上海新微半导体有限公司_202511110031.7
    本发明提供一种级联封装结构及其封装方法，通过于高压D Mode HEMT芯片内部或者封装体内形成金属连接柱，将HEMT芯片的源极引至芯片背面，且将HEMT芯片和低压MOS芯片直接设置于金属框架上，以使得HEMT芯片的源极以及MOS芯片的漏极...
    2025-11-24
  • 具有反铁电间隔层的半导体元件及其制造方法
    具有反铁电间隔层的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510671651.1
    本申请案公开一种半导体元件及一种半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一栅极结构，位于该基板上；一内部间隔层，位于该基板上且覆盖该栅极结构；以及多个反铁电间隔层，位于该内部间隔层的两个侧面上且位于该基板上，其中该栅极结构位于该内部...
    2025-11-24
  • 一种屏蔽栅沟槽型器件及其制作方法
    一种屏蔽栅沟槽型器件及其制作方法_重庆平伟实业股份有限公司_202510340780.2
    本申请提供一种屏蔽栅沟槽型器件及其制作方法，所述屏蔽栅沟槽结构的第一栅氧化层覆盖沟槽的底部并部分延伸至屏蔽栅沟槽的侧壁，第二栅氧化层与第一栅氧化层相接并覆盖沟槽侧壁靠近顶部区域；第一绝缘介质层设置于第一栅氧化层上，且第一栅氧化层在所述屏蔽栅...
    2025-11-24
  • 半导体功率器件及其制作方法
    半导体功率器件及其制作方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511110029.X
    本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法。该半导体功率器件的制作方法包括：提供衬底，衬底具有相对的正面和背面；在衬底的背面形成位于衬底中的多个凹槽；以及在衬底的背面上形成背面金属层，背面金属层覆盖衬底的背面且填充多个凹槽。这样可以改善半导体...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410564576.4
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法，在该半导体结构及其制作方法中，栅氧化层由第一栅氧化层与第二栅氧化层叠加而成，其中，在第一栅氧化层所在区域生长第二栅氧化层之前，先形成碗状凹陷部于第一栅氧化层中，碗状凹陷部两端具有凸起部，凸起部的顶面高于...
    2025-11-24
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