Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种在多晶硅还原炉内壁制备镜面节能涂层的装置及方法
    一种在多晶硅还原炉内壁制备镜面节能涂层的装置及方法_青海亚洲硅业多晶硅有限公司_202510617367.6
    本发明涉及多晶硅材料制备技术领域，具体涉及一种在多晶硅还原炉内壁制备镜面节能涂层的装置及方法。所述的装置包括：喷枪(1)、激光器(2)、成型机(3)、冷却系统(4)、抛光器(5)、机械臂(6)和安装轴(7)；所述的喷枪(1)、激光器(2)、...
    2025-12-01
  • 一种CGDS成型毛细结构均温板的制备工艺及均温板
    一种CGDS成型毛细结构均温板的制备工艺及均温板_飞荣达科技(江苏)有限公司_202511200988.0
    本发明涉及均温板技术领域，特别是一种CGDS成型毛细结构均温板的制备工艺，具体步骤如下：气体加热‌，将高压气体引入气体加热器，使其加热膨胀，提高气流速度；粉末引入‌，加热后的气流进入喷枪，同时粉末通过送粉器被引入喷枪；上下盖沉积，加速后的粉...
    2025-12-01
  • 一种耐高温防变色水基铜保护剂、使用方法及铜工件
    一种耐高温防变色水基铜保护剂、使用方法及铜工件_上海应用技术大学_202511222577.1
    本发明涉及一种耐高温防变色水基铜保护剂、使用方法及铜工件，所述铜保护剂由成膜物质(30％‑65.5％)、溶液稳定剂(0.1％‑3％)、增稠剂(0.1％‑1％)、流平剂(0.1％‑1％)、润湿剂(0.1％‑1％)及去离子水(30％‑69％)组...
    2025-12-01
  • 用于无镍磷化金属表面的改进方法
    用于无镍磷化金属表面的改进方法_凯密特尔有限责任公司_202511101614.3
    本发明涉及一种用于基本无镍磷化金属表面的方法，其中用以下组合物依次处理金属表面：i)包含至少一种水溶性硅酸盐的碱性含水清洁剂组合物，和ii)包含锌离子、锰离子和磷酸根离子的酸性含水且基本无镍的磷化组合物。本发明还涉及上述清洁剂组合物本身，并...
    2025-12-01
  • 一种印刷线路板无镍化金工艺
    一种印刷线路板无镍化金工艺_恒赫鼎富(苏州)电子有限公司_202511175409.1
    本发明公开了一种印刷线路板无镍化金工艺，包括如下步骤：S1.微蚀；S2.水洗；S3.铜阻隔层沉积：使用缓蚀药水沉积形成铜阻隔层保护铜面，代替化学镍层，阻隔化金时金离子对铜离子的电位迁移，实现对基底铜层的抗老化保护；S4.水洗；S5.无镍化金...
    2025-12-01
  • 一种密度诱导自分层的复合薄膜及其制备方法和应用
    一种密度诱导自分层的复合薄膜及其制备方法和应用_南京航空航天大学_202511154723.1
    本发明提供了一种密度诱导自分层的复合薄膜及其制备方法和应用，属于复合材料薄膜技术领域。本发明的复合薄膜的制备方法包括以下步骤：将空心Fe3O4、Ti3C2Tx纳米片和分散剂混合，得到分散液；将所述分散液进行溶剂热反应，得到磁性填料；将ZnO...
    2025-12-01
  • 一种用于复合防护导电端子表面处理的化学镀镍液、复合防护导电端子表面处理的方法及其产品
    一种用于复合防护导电端子表面处理的化学镀镍液、复合防护导电端子表面处理的方法及其产品_永进达科技(惠州)有限公司_202511137241.5
    本申请涉及导电端子表面处理技术领域，更具体地说，涉及一种用于复合防护导电端子表面处理的化学镀镍液、复合防护导电端子表面处理的方法及其产品，该镀镍液以水为溶剂，包含镍盐、硫脲、还原剂、甲基磺酸、络合剂、亚氨基二琥珀酸四钠、稳定剂、润湿剂、界面...
    2025-12-01
  • 一种铝硅合金材料及其制备方法和应用
    一种铝硅合金材料及其制备方法和应用_海思光电子有限公司_202411134936.3
    本发明提供一种铝硅合金材料及其制备方法和应用，所述铝硅合金材料包括铝硅合金基材、以及存在于所述铝硅合金基材的表面的复合层，所述复合层包括镍磷层、以及存在于所述镍磷层与所述铝硅合金基材之间的镍粒子层；所述铝硅合金材料的表面粗糙度小于或等于0....
    2025-12-01
  • 一种复合镀银铜箔及其制备方法
    一种复合镀银铜箔及其制备方法_山东金宝电子有限公司_202511139130.8
    本发明涉及铜箔制备技术领域，特别涉及一种复合镀银铜箔及其制备方法。复合镀银铜箔的制备方法，包括如下步骤：步骤一：铜箔表面进行酸洗预处理；步骤二：酸洗后的铜箔进行粗化和固化处理；步骤三：光催化沉积法沉积银纳米颗粒；步骤四：合金化处理；步骤五：...
    2025-12-01
  • 薄膜及其制备方法、电子器件及电子设备
    薄膜及其制备方法、电子器件及电子设备_华为技术有限公司_202410663062.4
    本申请实施例提供一种薄膜及其制备方法、电子器件及电子设备，涉及通信技术领域，用于降低薄膜的制备温度，从而降低薄膜的制备温度和制备成本。该薄膜的制备方法包括：制备前驱体溶液；利用前驱体溶液制备干膜；在压强大于或等于1.5MPa，温度小于或等于...
    2025-12-01
  • 立式热处理设备及其保温装置
    立式热处理设备及其保温装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410658505.0
    本发明提供一种立式热处理设备及其保温装置，保温装置用于设置在立式热处理设备的工艺管的底部，并与立式热处理设备的进气部件连通，保温装置包括支撑结构和保温结构，保温结构设置在支撑结构的用于支撑晶舟的支撑面的下方，且保温结构具有呈螺旋状的内部空间...
    2025-12-01
  • 采用PECVD沉积成膜的方法及其应用
    采用PECVD沉积成膜的方法及其应用_通威太阳能(彭山)有限公司_202411778439.7
    本发明公开了采用PECVD沉积成膜的方法及其应用，其中，采用PECVD沉积成膜的方法包括：采用PECVD设备在基体表面沉积成膜，所述PECVD设备的射频功率脉冲为梯形波，沉积步骤的射频功率为16000W‑22000W；所述梯形波包括第一上升...
    2025-12-01
  • 管式PECVD沉积方法及管式PECVD沉积装置
    管式PECVD沉积方法及管式PECVD沉积装置_通威太阳能(彭山)有限公司_202411844590.6
    本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种管式PECVD沉积方法及管式PECVD沉积装置，该管式PECVD沉积方法包括以下步骤：按照设定温度条件，对反应腔室中承载区域的不同位置设定不同的加热温度；其中，承载区域中放置装有基片的载舟，设定温度...
    2025-12-01
  • 一种耐冲蚀高温下低摩擦固体润滑的低内应力厚纳米涂层制备工艺
    一种耐冲蚀高温下低摩擦固体润滑的低内应力厚纳米涂层制备工艺_深圳市弘和富科技有限公司_202511143966.5
    本发明公开了一种耐冲蚀高温下低摩擦固体润滑的低内应力厚纳米涂层制备工艺，包括以下步骤：基体预处理；抽真空加热；基体表面Ar离子刻蚀清洗；启动装有Ti、Cr等金属靶材或TiAl、TiZr等合金靶材的旋转阴极或平面阴极并通入N2气进行磁控反应溅...
    2025-12-01
  • 一种饰品表面着色的方法
    一种饰品表面着色的方法_广州职业技术大学_202511216596.3
    本发明公开了一种饰品表面着色的方法，包括前处理；沉积底膜层；沉积二氧化硅膜层；蒸镀防指纹膜层。上述方法采用ALD原子层沉积技术在黄铜饰品表面预沉积氧化钌或氧化铱薄膜形成底膜层，再在底膜层基础上沉积SiO2功能膜层，最后再采用全氟改性硅烷通过...
    2025-12-01
  • 一种采用等离子体技术的原子层沉积装置
    一种采用等离子体技术的原子层沉积装置_盐城工学院_202511211276.9
    本发明涉及原子层沉积装置技术领域，且公开了一种采用等离子体技术的原子层沉积装置，包括支撑座，所述支撑座的顶部固定装配有反应腔体，所述反应腔体的顶部设有切换组件，所述反应腔体的外壁转动连接有侧门，所述反应腔体的内壁开设有滑槽。该采用等离子体技...
    2025-12-01
  • 一种带混气结构的MTS输送装置
    一种带混气结构的MTS输送装置_中电科工环境技术(武汉)有限公司_202511190997.6
    本发明涉及碳化硅制造技术领域，尤其涉及一种带混气结构的MTS输送装置。包括：混气罐、混气输送管路；混气罐通过混气输送管路与CVD工艺炉相连通；混气罐内设置有挡板；挡板的数量为多个；挡板由混气罐的一端排布至另一端；挡板上开设有溢流孔；溢流孔贯...
    2025-12-01
  • 氧化锡膜的制备方法及氧化锡膜、太阳电池、光伏组件
    氧化锡膜的制备方法及氧化锡膜、太阳电池、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410872931.4
    本申请公开了一种氧化锡膜的制备方法及氧化锡膜、太阳电池、光伏组件，氧化锡膜的制备方法包括：采用原子层沉积法，以锡源和氧源作用反应物，在基底表面沉积得到氧化锡膜，锡源包括式Ⅰ化合物：式Ⅰ化合物中，n＝1，2，3或4中的任意一种，通过在锡源中加...
    2025-12-01
  • 一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法
    一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法_柔电(武汉)科技有限公司_202511545845.3
    本发明公开了一种基于分阶段参数优化在多孔碳中多批次负压沉积硅的方法，涉及多孔材料表面与孔隙内气相沉积技术领域。本发明提出在负压条件下，根据沉积进程调整单批气量、惰性气比例、压力及温度控制沉积速率，分阶段优化通入硅烷。工艺流程为：前期通入低气...
    2025-12-01
  • 成膜装置和成膜方法
    成膜装置和成膜方法_东京毅力科创株式会社_202511188296.9
    本发明涉及一种成膜装置和成膜方法，能够以大流量稳定地供给由低蒸气压原料产生的原料气体。本公开的一个方式的成膜装置通过载气来向处理容器输送由低蒸气压原料产生的原料气体，来在基板上形成膜，所述成膜装置具备：原料容器，其用于收容所述低蒸气压原料，...
    2025-12-01
首页 上一页 16 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证