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最新专利技术
  • 一种On-DNA芳甲硫基化合物与芳胺构建C-N偶联的方法
    一种On-DNA芳甲硫基化合物与芳胺构建C-N偶联的方法_成都先导药物开发股份有限公司_202410822878.7
    本发明涉及一种DNA编码化合物库中On‑DNA芳甲硫基化合物与芳胺构建C‑N偶联的方法。该方法以On‑DNA芳甲硫基化合物为原料，在碱、配体、还原剂、钯催化剂存在条件下发生C‑N偶联得到On‑DNA芳胺取代甲硫基化合物。本发明提供的On‑D...
    2026-01-04
  • 生物合成芯片以及生物合成装置
    生物合成芯片以及生物合成装置_北京京东方技术开发有限公司_202410832123.5
    本公开的至少一个实施例提供一种生物合成芯片以及生物合成装置，包括基底、多个电极单元以及多个修饰结构，多个电极单元位于基底上，电极单元被配置为提供用于单体合成的电压；多个修饰结构位于基底上，修饰结构被配置为提供用于单体合成的活性基团，每个电极...
    2026-01-04
  • 改质对象及其制造方法
    改质对象及其制造方法_环球晶圆股份有限公司_202510753476.0
    本发明提供一种改质对象及其制造方法，所述改质对象包括单晶基板、内部改质痕迹及表面加工痕迹。单晶基板具有第一表面及背向第一表面的第二表面。单晶基板的第一表面及第二表面在单晶基板的厚度方向上排列。内部改质痕迹形成于单晶基板的第一表面与第二表面之...
    2026-01-04
  • 压力处理半导体材料结构永久改变性能提高的方法及材料
    压力处理半导体材料结构永久改变性能提高的方法及材料_中国科学院大连化学物理研究所_202410827685.0
    本发明提供一种压力处理半导体材料结构永久改变及性能提高的方法和该方法处理后半导体材料，具体为将对压力的时间效应考虑到具体的半导体材料改性中，具体方法为，将半导体材料至于压力产生系统中，当产生一定高压时，在高压下维持一定时间，然后在卸压至常压...
    2026-01-04
  • 一种氟磺酸三聚氰胺非线性光学晶体及其生长方法和应用
    一种氟磺酸三聚氰胺非线性光学晶体及其生长方法和应用_河北大学_202511458222.2
    本发明属于光学晶体材料技术领域，具体涉及一种氟磺酸三聚氰胺非线性光学晶体及其生长方法和应用。本发明以C3N6H6和HSO3F作为原料，制备氟磺酸三聚氰胺化合物；采用顶部籽晶法，以使氟磺酸三聚氰胺晶体在籽晶表面定向生长，得到氟磺酸三聚氰胺非线...
    2026-01-04
  • 一种三阶NLO晶态材料及其制备方法和应用
    一种三阶NLO晶态材料及其制备方法和应用_中国科学院福建物质结构研究所_202410839625.0
    本发明提供了[Ag2(phen)2(dppm)]3&Ti4L6三阶NLO晶态材料及其制备方法和应用。所述[Ag2(phen)2(dppm)]3&Ti4L6晶态物是笼基离子对结构，结构中存在较强的π‑π堆积作用力，有效提高了[Ag2(phen...
    2026-01-04
  • 一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法
    一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法_青海大学_202511725351.3
    本发明公开了一种电化学制备碱式硫酸镁晶须的方法，属于镁盐晶须制备技术领域。该方法以含钙矿物的硫酸镁乳液为阳极液、硫酸镁溶液为阴极液，采用阳离子交换膜作为隔膜，石墨电极为阳极，改性铜电极为阴极，构建隔膜电解系统。在直流电作用下进行电化学反应，...
    2026-01-04
  • 多单晶插入层的金刚石氮化镓复合材料结构及其制备方法
    多单晶插入层的金刚石氮化镓复合材料结构及其制备方法_西安电子科技大学_202511330516.7
    本发明提供的多单晶插入层的金刚石氮化镓复合材料结构及其制备方法，涉及半导体材料技术领域。包括：单晶金刚石衬底；多层单晶插入层，形成于所述单晶金刚石衬底上；氮化镓层，形成于所述多层单晶插入层上，所述氮化镓层是利用分子束外延生长形成的。这样，在...
    2026-01-04
  • 具有反常霍尔效应的反钙钛矿薄膜材料及其制备与应用
    具有反常霍尔效应的反钙钛矿薄膜材料及其制备与应用_北京航空航天大学_202511350291.1
    本发明提供一种具有反常霍尔效应的反钙钛矿薄膜材料，其化学式为Mn3CuN；其中：所述反钙钛矿薄膜材料为单晶。本发明还提供本发明的具有反常霍尔效应的反钙钛矿薄膜材料的制备方法和应用。本发明提供反钙钛矿结构薄膜材料Mn3CuN在宽温区具有明显的...
    2026-01-04
  • 一种外延反应室及其控制方法
    一种外延反应室及其控制方法_季华实验室_202511745365.1
    本发明涉及外延生长技术领域，公开了一种外延反应室及其控制方法，外延反应室包括反应室主体、上半月保温毡、下半月保温毡和气体流量控制装置，其中反应室主体包括上半月结构、下半月结构以及两个侧面挡块，其围合构成气体反应腔；上半月结构包括上半月主体和...
    2026-01-04
  • 蓝宝石长晶与退火设备
    蓝宝石长晶与退火设备_天通银厦新材料有限公司_202511471219.4
    本发明公开了一种蓝宝石长晶与退火设备，包括炉体、水平移动装置、垂直升降装置、籽晶轴挂载装置及籽晶轴压紧装置。炉体包括下炉腔、炉台外腔及炉台内腔，炉台内腔的下侧连接支撑底腔；水平移动装置包括上平移轨道、下平移轨道及设于其上的平移固定板；垂直升...
    2026-01-04
  • 一种低位错密度的氧化镓晶体及其生长方法
    一种低位错密度的氧化镓晶体及其生长方法_山东国镓晶谷半导体科技有限公司_202511590990.3
    本发明涉及一种低位错密度的氧化镓晶体的生长方法，涉及半导体材料技术领域，其中，所述生长方法包括以下步骤：(1)将(001)取向的β‑Ga2O3籽晶固定在生长装置中铱坩埚的底部，保护气氛条件下，升温至β‑Ga2O3籽晶熔点；(2)启动籽晶匀速...
    2026-01-04
  • 掺钍四硼酸锶晶体及其制备方法和应用
    掺钍四硼酸锶晶体及其制备方法和应用_中国科学院上海光学精密机械研究所_202511369262.X
    一种掺钍四硼酸锶晶体及其制备方法和应用，掺钍四硼酸锶晶体的化学分子式ThxSr1‑xB4+yO7(Th : SBO)，采用溶体法生长。本发明的Th : SBO晶体熔点低、组分简单，有利于实现高品质晶体生长；带隙宽，在真空紫外波段具有高的透过...
    2026-01-04
  • 一种单晶炉加料装置
    一种单晶炉加料装置_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511697486.3
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种单晶炉加料装置。该单晶炉加料装置包括储料筒、封盖、第一翻板组件、连接筒和投料筒，储料筒内具有至少两个储料仓，每个储料仓均开设有进料口和出料口；封盖包括盖体和上仓盖，上仓盖能封盖或者打开对应的进料口，...
    2026-01-04
  • 一种单晶硅炉垂直提拉装置
    一种单晶硅炉垂直提拉装置_连城凯克斯科技有限公司_202511523296.X
    本发明属于单晶硅制造技术领域，具体地说是一种单晶硅炉垂直提拉装置，包括主炉体；所述主炉体的顶面通过隔离阀连接有副炉体；所述主炉体的一侧设置有底座；所述底座的顶面转动连接有支撑柱，且支撑柱由伺服电机一驱动；所述副炉体与支撑柱滑动连接，且副炉体...
    2026-01-04
  • 一种改善多晶硅薄膜翘曲的装置、方法及多晶硅片
    一种改善多晶硅薄膜翘曲的装置、方法及多晶硅片_中环领先半导体科技股份有限公司_202511255347.5
    本发明提供了一种改善多晶硅薄膜翘曲的装置、方法及多晶硅片，涉及半导体制造技术领域，该装置包括：沉积炉炉体和设置于所述沉积炉炉体的炉腔内的石英舟，石英舟为一体成型结构，石英舟上设置有多个用于承载待沉积硅片的槽位，石英舟内的空档区域的所有槽位均...
    2026-01-04
  • 单晶炉旋流布风装置、单晶炉及炉内保护气流动优化方法
    单晶炉旋流布风装置、单晶炉及炉内保护气流动优化方法_南京理工大学_202511548289.5
    本发明提供了一种单晶炉旋流布风装置、单晶炉及炉内保护气流动优化方法，属于单晶生产设备领域。所述装置设置在单晶炉的气流入口处，位于炉内单晶棒位置的正上方；旋流筒设置在单晶炉的最上侧，呈圆环柱形，在圆环柱形的内壁上，设置有气体导流结构，引导保护...
    2026-01-04
  • 一种拼接单晶金刚石结构及其制备方法
    一种拼接单晶金刚石结构及其制备方法_深圳平湖实验室_202511743407.8
    本公开实施例提供了一种拼接单晶金刚石结构及其制备方法，通过在相邻两个第一单晶金刚石籽晶的拼接缝上方叠放第二单晶金刚石籽晶，垂直方向上无拼接缝，这样可以获得大尺寸、无拼接缝的拼接金刚石衬底，在外延后可以获得大尺寸、无拼接缝的单晶金刚石外延层，...
    2026-01-04
  • 立式外延设备及外延方法
    立式外延设备及外延方法_上海微釜半导体设备有限公司_202511758806.1
    本申请涉及半导体设备技术领域，提供一种立式外延设备及外延方法。设备包括：立式反应腔；晶舟，用于竖向间隔装载多个晶片；驱动装置，用于驱动晶舟进/出立式反应腔；材料供应组件包括工艺供应管路以及切换单元；工艺材料源包括用于去除晶片表面的氧化物层的...
    2026-01-04
  • 一种硅掺氮化镓晶碇及其生长方法
    一种硅掺氮化镓晶碇及其生长方法_镓特半导体科技(铜陵)有限公司_202511333447.5
    本发明公开了一种硅掺氮化镓晶碇及其生长方法，包括以下步骤：(1)、提供一自支撑衬底；(2)、用HVPE技术在该自支撑衬底上生长碳掺氮化镓；(3)、将生长的碳掺氮化镓进行处理；(4)、利用HVPE技术在碳掺氮化镓衬底上生长厚度达到5mm以上的...
    2026-01-04
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