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最新专利技术
  • 电路推挤布线的处理方法、装置、设备、介质和程序
    电路推挤布线的处理方法、装置、设备、介质和程序_上海概伦电子股份有限公司_202511583907.X
    本发明涉及电子设计自动化技术领域，提供一种电路推挤布线的处理方法、装置、设备、介质和程序，该方法包括：获取信号线的起点和终点，生成初始路径，并对路径上的可推挤障碍物执行正向推挤操作；当某一推挤对象在正向推挤过程中与不可推挤障碍物发生碰撞且无...
    2026-01-20
  • 差分对线路耦合方法、装置、设备、介质和程序
    差分对线路耦合方法、装置、设备、介质和程序_上海概伦电子股份有限公司_202511583906.5
    本发明涉及EDA技术领域，提供一种差分对线路耦合方法、装置、设备、介质和程序，该方法包括：基于至少2个元器件的布局位置，依次采用多种预设方式规划2条走线路径；每条走线路径具有各自的起点和终点；对每种预设方式，判断其规划的走线路径是否满足布线...
    2026-01-20
  • 印刷电路板布线方法、装置、设备、介质和程序
    印刷电路板布线方法、装置、设备、介质和程序_上海概伦电子股份有限公司_202511583905.0
    本发明涉及电子设计自动化技术领域，提供一种印刷电路板布线方法、装置、设备、介质和程序，该方法包括：障碍物分类为可推挤对象或不可推挤对象；基于初始路径与可推挤对象的相对位置关系，构建可推挤对象的几何占位区域，并根据几何占位区域对可推挤对象进行...
    2026-01-20
  • 硅基板中介层金属布线开销计算方法和装置
    硅基板中介层金属布线开销计算方法和装置_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511391832.5
    本申请涉及一种硅基板中介层金属布线开销计算方法和装置。所述方法包括：根据硅中介层的电源地网络对应的第一凸点数和单层金属层的凸点承载能力值，确定电源地网络布线所需的第一金属层数；根据硅中介层所属芯片的尺寸参数和硅中介层的信号网络的布线模式，确...
    2026-01-20
  • 一种半导体器件的布局优化方法及系统
    一种半导体器件的布局优化方法及系统_无锡惠芯半导体有限公司_202511882394.2
    本发明提供了一种半导体器件的布局优化方法及系统，涉及数据处理技术领域，方法包括：获取待布局的半导体器件设计数据；根据所述半导体器件设计数据生成初始布局；根据所述初始布局，计算所述半导体器件的几何环境参数；将所述几何环境参数输入至WPE模型和...
    2026-01-20
  • 一种面积预测方法、装置、电子设备、存储介质及产品
    一种面积预测方法、装置、电子设备、存储介质及产品_紫金山实验室_202511519301.X
    本发明公开了一种面积预测方法、装置、电子设备、存储介质及产品，涉及数据处理技术领域。该面积预测方法，包括基于目标层次化分析规则和基带电路的硬件实现描述信息确定所述基带电路中的基础单元，获取所述基础单元的参数属性信息；根据所述参数属性信息确定...
    2026-01-20
  • 存储电路的自动化设计方法及设备、存储介质
    存储电路的自动化设计方法及设备、存储介质_上海概伦电子股份有限公司_202511487823.6
    本申请提出一种存储电路的自动化设计方法及设备、存储介质。该方法包括：获取用户在编译器中输入的需求参数；将标准存储器电路拆解后的多个电路单元导入编译器；根据需求参数确定目标电路架构；根据需求参数从编译器中调用对应的若干电路单元；将调用的若干电...
    2026-01-20
  • 标准单元位置预分配方法、计算机设备、存储介质及产品
    标准单元位置预分配方法、计算机设备、存储介质及产品_华芯巨数(杭州)微电子有限公司_202511469514.6
    本发明涉及一种标准单元位置预分配方法、计算机设备、存储介质及产品。标准单元位置预分配方法，应用于集成电路设计的合法化阶段，包括以下步骤：输入集成电路设计的全局布局，获取与全局布局相对应的集成电路布图，集成电路布图具有若干个形状为矩形的标准单...
    2026-01-20
  • 一种电机控制器液冷板翅柱布局方式的设计方法
    一种电机控制器液冷板翅柱布局方式的设计方法_重庆青山工业有限责任公司_202511405982.7
    本发明涉及一种液冷板翅柱的布局方式设计方法，包括以下步骤：根据液冷板安装空间几何参数、以及热源产生的热通量参数，确定孔隙率的范围；根据冷却液循环泵的最大输出功率，得到冷却液入口最大流速，并得到质量流量；在确定的孔隙率的范围内，选取若干个孔隙...
    2026-01-20
  • 基于大尺寸硅基板的芯片系统架构可行性评估方法
    基于大尺寸硅基板的芯片系统架构可行性评估方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511381904.8
    本申请涉及一种基于大尺寸硅基板的芯片系统架构可行性评估方法。该方法包括：获取待封装的晶圆级芯片架构配置；基于待封装的晶圆级芯片架构配置和晶圆级跨层映射关系，获取晶圆级芯片架构在封装过程中所需的预测基板架构；晶圆级跨层映射关系表示芯片架构配置...
    2026-01-20
  • 一种三相表计接线方法及系统
    一种三相表计接线方法及系统_国网浙江省电力有限公司海盐县供电公司_202411661764.5
    本发明公开了一种三相表计接线方法及系统，克服了现有技术中三相表计接线效率低、耗材高的问题，方法包括：采集三相表计与待接线装置图片，从采集的图片中提取接线端子，建立二维坐标；获取各接线端子之间的电气连接关系，利用参数自适应鸽群算法规划出导线最...
    2026-01-20
  • 一种适用于功放芯片集成的Class-F输出匹配电路设计方法
    一种适用于功放芯片集成的Class-F输出匹配电路设计方法_骛空(嘉兴)科技有限公司_202511881232.7
    本发明公开了一种适用于功放芯片集成的Class‑F输出匹配电路设计方法，涉及电路设计领域，包括基于理论参数构建输出匹配电路模型，获取理想S参数；基于理论参数构建三维电磁模型，并将微带线与电容参数设置为优化变量；以三维电磁模型的S参数与理想S...
    2026-01-20
  • 一种SiC MOSFET芯片建模方法和系统
    一种SiC MOSFET芯片建模方法和系统_西安交通大学_202511626320.2
    本发明公开了一种SiC MOSFET芯片建模方法和系统，涉及芯片建模技术领域，获取SiC MOSFET芯片的静态特性数据和动态特性数据，根据静态特性数据构建对应的沟道电流模型，根据动态特性数据构建对应的动态模型，根据SiC MOSFET芯片...
    2026-01-20
  • 一种支持导电丝历史状态记忆的PMC阻变存储单元模型
    一种支持导电丝历史状态记忆的PMC阻变存储单元模型_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511593234.6
    本发明属于阻变存储器技术领域，特别涉及一种支持导电丝历史状态记忆的PMC阻变存储单元模型。包括阳极和阴极，分别作为端口an和端口ca；导电丝动态模块，通过以导电丝高度h和导电丝半径r为核心状态变量，并使用积分器实时跟踪导电丝生长SET或导电...
    2026-01-20
  • 送端交流故障清除后暂态过电压的计算方法及装置
    送端交流故障清除后暂态过电压的计算方法及装置_南方电网科学研究院有限责任公司_202511497251.X
    本发明公开了一种送端交流故障清除后暂态过电压的计算方法及装置，用于解决系统经柔性直流送出与经高压直流送出故障后故障特性有较大差异，当前所采用的交流侧暂态过电压计算方法不再适用的问题。获取送出系统在送端交流故障清除后的故障清除恢复数据；基于P...
    2026-01-20
  • 一种MOSFET模型参数提取方法、装置及相关设备
    一种MOSFET模型参数提取方法、装置及相关设备_达客智数(广州)科技有限公司_202511469654.3
    本申请公开了一种MOSFET模型参数提取方法、装置及相关设备，包括：接收用户选择的MOSFET器件类型并获取器件的宏观电学行为参数，构建自动返求方程计算得到跨导系数，依据相关核心参数，建立电流函数和MOSFET等效模型，利用迭代算法对电流函...
    2026-01-20
  • 一种芯片设计中互联延迟的预测方法、装置、电子设备
    一种芯片设计中互联延迟的预测方法、装置、电子设备_杭州芯堆科技有限公司_202511886626.1
    本申请涉及一种芯片设计中互联延迟的预测方法、装置、电子设备，方法包括：接收待测芯片的目标走线层的第一走线布局信息；根据第一走线布局信息中的至少两类第一走线布局特性，通过训练好的预测模型预测待测芯片的互联延迟信息，以供分析所述待测芯片的设计是...
    2026-01-20
  • 一种时钟电路以及包含该时钟电路的CLB模块
    一种时钟电路以及包含该时钟电路的CLB模块_成都华微电子科技股份有限公司_202511421372.6
    本申请涉及集成电路技术领域。本申请公开了一种时钟电路以及包含该时钟电路的CLB模块。本申请的时钟电路，包括输入信号，所述输入信号经过门电路处理后输出两路时钟信号，分别控制触发器的第一环路和第二环路。本申请的时钟电路集成了置位、复位功能，有利...
    2026-01-20
  • 一种改进的DDR类动态存储器写训练的电路设计方法
    一种改进的DDR类动态存储器写训练的电路设计方法_博越微电子(江苏)有限公司_202511804170.X
    本发明公开了一种改进的DDR类动态存储器写训练的电路设计方法，涉及半导体存储器技术领域。该方法包括：在动态存储器颗粒内部集成计数器与数据比较模块，实现训练数据的实时比对与正确次数统计。通过动态设置写训练序列长度，并基于历史统计窗口内多次训练...
    2026-01-20
  • 扫描时序深度检测方法、电子设备及存储介质
    扫描时序深度检测方法、电子设备及存储介质_英诺达(成都)电子科技有限公司_202511496894.2
    本发明属于电子设计自动化技术领域，并提出了扫描时序深度检测方法、电子设备及存储介质，该方法包括：获取待检测的电路设计，设置电路设计的检测起点和检测终点，并创建检测起点对应的起始点和扫描时序深度，起始点用于指代检测起点，检测起点对应的扫描时序...
    2026-01-20
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