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最新专利技术
  • 一种金属氧化物半导体晶体管
    一种金属氧化物半导体晶体管_伊诺菲(苏州)科技有限公司_202610028088.0
    本发明涉及半导体领域，提供一种金属氧化物半导体晶体管，包括：衬底层；沟道层，设置于所述衬底层顶部；源极层，用于电流的输入；漏极层，用于电流的输出；所述源极层和所述漏极层分别设置于所述沟道层的两端头；栅介质层，设置于所述沟道层顶部的中心位置；...
    2026-03-22
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511810997.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：有源区、环绕有源区的分压区和环绕分压区的截止区；其中截止区包括间隔设置的多个截止环，每个截止环包括沟槽和位于沟槽的底部的注入区；多个截止环中的任意两个截止环中...
    2026-03-22
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411784550.7
    根据一个实施方式，半导体装置具备：第一电极；半导体部，设置于所述第一电极之上，形成有沿着第一方向延伸的沟槽，所述半导体部具有：与所述第一电极连接的第一导电型的第一半导体层、设置于所述第一半导体层之上的第二导电型的第二半导体层、设置于所述第二...
    2026-03-22
  • 晶体管结构及其制作方法
    晶体管结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411284186.8
    本发明公开一种晶体管结构及其制作方法，其中该晶体管结构包含：一基底；一主动区域，由该基底上的一沟槽隔离区所定义，其中，该主动区域包含一源极区、与该源极区间隔开的一漏极区，以及位于该源极区和该漏极区之间的一通道区；一栅极，设置于该通道区上，其...
    2026-03-22
  • 半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备
    半导体器件、半导体器件的制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202411279253.7
    本申请提供一种半导体器件、电子设备以及半导体器件的制备方法。涉及半导体技术领域。该半导体器件包括P型晶体管，包括P型晶体管包括第一极、第二极和沟道，第一极包括硼；另外，该半导体器件还包括第一膜层和阻挡层，第一膜层位于第一极上，第一膜层包括硼...
    2026-03-22
  • 具有嵌入式外延层的半导体器件及其制造方法
    具有嵌入式外延层的半导体器件及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411215912.0
    本发明公开了一种具有嵌入式外延层的半导体器件，各半导体器件的栅极结构之间的区域为源漏形成区，源漏形成区的宽度为接触宽度。各源漏形成区中的源漏沟槽的各侧面具有尖端，尖端所在位置的平面和源漏沟槽的顶部表面之间具有第一间距。在源漏沟槽中填充有嵌入...
    2026-03-22
  • 一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用
    一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用_中国科学院国家空间科学中心_202610179227.X
    本发明涉及一种包含垂直型结构的晶体管、制备方法及应用。包含垂直型结构的晶体管中栅极为垂直型结构；所述栅极的一部分，覆盖在经过高空穴浓度结构层加工形成的第一图形的上方；另一部分，垂直于器件表面向下延伸至势垒层。本发明，直接通过设计特殊的栅极电...
    2026-03-22
  • 一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法
    一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610155585.7
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种氮化镓器件堆叠结构及其制造方法，包括位于底部的基层氮化镓结构和位于顶部的顶层氮化镓结构；所述基层氮化镓结构的内部从下向上依次包括：基层衬底、基层缓冲层、基层GaN层、基层AlGaN层；所述基层氮化...
    2026-03-22
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_住友电工光电子器件创新株式会社_202511250112.7
    涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一面和与所述第一面相对的第二面；第一氮化物半导体层，具有与所述第二面接触的第三面和与所述第三面相对的第四面，在所述第四面形成有凹部；以及第二氮化物半导体层，设于所述凹部，在所...
    2026-03-22
  • 一种沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种沟槽MOSFET器件及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610174708.1
    本申请公开了一种沟槽MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括：通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以至少在器件外延层的终端区蚀刻出若干终端环沟槽，进而在终端区定义出多个第一平台和一个第二平台；通过第二预设工艺在所有第一平台和第...
    2026-03-22
  • 一种MOSFET器件及其制造方法
    一种MOSFET器件及其制造方法_厦门芯达茂微电子有限公司_202511924896.7
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，特别涉及一种MOSFET器件及其制造方法，其包括以下步骤：在衬底上依次生长第一外延层和第二外延层；在第二外延层表面依据沟槽图案沉积掩膜，并进行首次蚀刻形成第一沟槽，在第一沟槽内进行P型掺杂的离子注入，形成第...
    2026-03-22
  • 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法
    垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管及制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511912745.X
    本申请公开了一种垂直双扩散金属‑氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法在外延层的一侧依次形成栅氧化层、栅极和第一介质层，利用第一介质层具有较大的密度(结构疏松)，在有氧条件下，氧能够穿透第一介质层与外延层中的硅反...
    2026-03-22
  • 一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法
    一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法_浙江炎黄民芯科技有限公司_202511895311.3
    本发明涉及VDMOS技术领域，并公开了一种沟槽型VDMOS器件及其制造方法，包括以下步骤：衬底准备与初始氧化、有源区与沟槽图形定义、双台阶沟槽刻蚀与成形、栅介质与多晶硅栅集成、自对准体区与源区构建、层间介质沉积与接触孔刻蚀、正面金属化与合金...
    2026-03-22
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511819275.2
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该制造方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；在半导体本体形成阱区和第一区域，第一区域位于第一表面，阱区位于第一区域远离第一表面的一侧；在第一表面形成栅...
    2026-03-22
  • 降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法
    降低导通电阻的SGT-MOSFET的制造方法_重庆万国半导体科技有限公司_202511704732.3
    本发明公开了一种降低导通电阻的SGT‑MOSFET的制造方法，包括：取一具有外延层的硅衬底；在所述外延层上刻蚀形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的槽壁上形成栅氧化层，并在所述栅极沟槽中从下至上依次形成底部多晶硅、第一隔离氧化层、中部多晶硅、第二隔...
    2026-03-22
  • 晶体管及形成和操作晶体管的方法
    晶体管及形成和操作晶体管的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511671163.7
    本发明提供一种晶体管，其栅极电介质层包括中央区域和一个或多个边缘区域。中央区域的厚度小于多个边缘区域的厚度。这增加了角落氧化物厚度并减少了双峰现象，在不需要额外掩模的情况下改善了性能。
    2026-03-22
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411263604.5
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有至少一个沟槽型栅极结构；形成覆盖所述衬底和所述沟槽型栅极结构的层间介质层；在所述层间介质层上形成具有预设角度的图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩膜刻蚀所述层间介质层，...
    2026-03-22
  • 一种SiGe结构制造方法及半导体器件
    一种SiGe结构制造方法及半导体器件_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411253906.4
    本发明公开了一种SiGe结构制造方法及半导体器件，应用于半导体器件制备技术领域，包括：获取具有多个凹槽的预制件；在凹槽内基于SiGe工艺制备目标结构；目标结构为SiGe结构的部分结构；对目标结构进行回刻蚀，得到刻蚀结构；回刻蚀的刻蚀速率与硅...
    2026-03-22
  • 场效应晶体管及其制造方法
    场效应晶体管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411233272.6
    本发明涉及一种场效应晶体管及其制造方法，所述方法包括：获取形成有漂移区、源极区、漏极区及栅极的晶圆；形成金属硅化物阻挡层，包括氧化层和氧化层上的刻蚀停止层；形成层间介质层；使用接触孔光刻版进行光刻，在层间介质层上，形成接触孔刻蚀窗口和位于栅...
    2026-03-22
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411232499.9
    本发明涉及一种半导体器件极其制造方法，所述方法包括：获取形成有源极区、漏极区、栅极及场氧层的晶圆；形成覆盖源极区、漏极区及栅极的刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成氮氧化硅复合层；氮氧化硅复合层从底部到顶部，氮元素对氧元素的比值呈上升趋势；光刻并...
    2026-03-22
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