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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置
    半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置_浙江力积存储科技股份有限公司_202610060371.1
    一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置，该半导体器件包括：相邻的第一DRAM层和第二DRAM层，第一DRAM层包括第一衬底层、第一背面键合层以及第一DRAM单元层，第一衬底层中形成有第一衬底互连结构，第一背面键合层包括第一背面键合介电层...
    2026-04-27
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_上海积塔半导体有限公司_202610078785.7
    本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供基底，基底中具有下电极；在下电极上形成氧空位阻变层；在基底上形成覆盖氧空位阻变层的第一低K介质层；在第一低K介质层中形成露出氧空位阻变层顶面的开口；在开口中形成上电极；在第一低K介质层上形成覆盖...
    2026-04-27
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510745220.5
    一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的第一导线，位于第一导线上并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第二导线，以及位于第一导线与第二导线之间的存储单元，该存储单元包括下电极图案、位于下电极图案上的上电极图案、以及位于下电极图案与上电极图案之...
    2026-04-27
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510744535.8
    提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一导线，每个第一导线在第一方向上延伸；第二导线，位于第一导线上方并各自在与第一方向交叉的第二方向上延伸；存储单元，分别位于第一导线与第二导线之间，每个存储单元包括可变电阻图案；第一...
    2026-04-27
  • 一种磁随机存储器及其制作方法
    一种磁随机存储器及其制作方法_浙江驰拓科技有限公司_202411420021.9
    本申请涉及半导体领域，公开了一种磁随机存储器及其制作方法，包括准备具有接触孔的基底；在所述基底的上表面生长金属层；刻蚀所述金属层，在所述基底的边缘区域产生金属碎片；刻蚀所述基底的所述边缘区域，在所述边缘区域形成边缘缺口；沉积磁性隧道结膜层结...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411426424.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括多个开关单元和多条字线；多个开关单元沿平行于衬底的行方向和列方向间隔并阵列分布；各开关单元包括：第一晶体管，包括第一电极、第二电极、第一半导体层、第一栅电极和栅极绝缘层...
    2026-04-27
  • 分栅闪存结构及其形成方法
    分栅闪存结构及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202610048994.7
    一种分栅闪存结构及其形成方法，其中结构包括：衬底，衬底上具有相邻的第一分栅闪存单元及第二分栅闪存单元；第一分栅闪存单元及第二分栅闪存单元共用同一源漏掺杂区；其中，第一分栅闪存单元及第二分栅闪存单元均包括两个存储位，每个存储位均包括浮栅结构；...
    2026-04-27
  • 可编程可抹除的非易失性存储单元
    可编程可抹除的非易失性存储单元_力旺电子股份有限公司_202511461927.X
    本发明公开一种可编程可抹除的非易失性存储单元。所述非易失性存储单元包括：隔离结构、第一阱区、第二阱区、第一栅极结构、第一间隙壁与金属层。隔离结构将半导体基板表面区分为第一区域与第二区域。第一阱区形成于第一区域。第二阱区形成于第二区域。第一栅...
    2026-04-27
  • 存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法
    存储器结构及其形成方法、存储器电路及其工作方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202610056635.6
    一种存储器结构及其形成方法、存储器电路及存储器电路的工作方法，其中存储器结构包括：位于衬底上的若干存储单元结构，存储单元结构包括第一字线栅和第二字线栅、以及位于第一字线栅和第二字线栅之间的堆叠栅结构，堆叠栅结构包括第一浮栅、第二浮栅和控制栅...
    2026-04-27
  • 半导体器件的制作方法
    半导体器件的制作方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202610046589.1
    本发明公开了半导体器件的制作方法，包括形成多个栅极结构(包括位于存储区的第二栅极结构)、第一保护层和第二保护层。其中，第一保护层仅位于逻辑区，第二保护层不仅位于逻辑区还位于存储区；由此，在沿垂直方向移除第一保护层、第二保护层及第二栅极结构的...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_上海格易电子有限公司_202411434662.X
    本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括：提供包括第一图形区域和第二图形区域的一半导体衬底，并在半导体衬底上进行浮栅多晶硅沉积形成第一多晶硅层；第一图形区域的图形密度大于第二图形区域的图形密度；对第一多晶硅层进行离子注入，并在第一多晶硅层...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411419055.6
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法，所述半导体器件包括衬底以及栅极结构，所述栅极结构包括叠置在所述衬底上的绝缘层、浮置栅极、介电层和控制栅极，所述浮置栅极具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面与所述绝缘层贴合，所述第二表面与所述介电层...
    2026-04-27
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510391535.4
    本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置包括：栅极结构，其包括交替层叠的绝缘层和导电层。半导体装置还包括延伸穿过栅极结构的沟道层，沟道层包括第一部分和第二部分，第一部分包括第一浓度的金属原子，第二部分包括与第一浓度不同的第二浓...
    2026-04-27
  • 三维存储器装置及其制造方法
    三维存储器装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411419203.4
    公开了三维(3D)存储器装置及其制造方法。在某些方面中，一种存储器装置包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括存储器单元阵列；第二半导体结构，第二半导体结构包括第一半导体结构上的外围电路，第二半导体结构包括：半导体层，在半导体层的靠近第一半...
    2026-04-27
  • 三维存储器装置及其制造方法
    三维存储器装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411419176.0
    公开了三维(3D)存储器装置及其制造方法。在某些方面中，一种存储器装置包括：第一半导体结构，第一半导体结构包括存储器单元阵列；第二半导体结构，第二半导体结构包括第一半导体结构上的外围电路，第二半导体结构包括：半导体层，位于半导体层的靠近第一...
    2026-04-27
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_长鑫科技集团股份有限公司_202610335492.2
    本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上依次形成牺牲层和保护层；在所述保护层上形成第一子层和第二子层交替的堆叠层；至少刻蚀所述堆叠层形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述保护层。如此，...
    2026-04-27
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202610046890.2
    本申请公开了半导体器件，其中，半导体器件包括多个金属互连结构、介质层和金属氧化物层。电介质层位于相邻所述金属互连结构之间且具有多个气隙；金属氧化物层覆盖在至少一气隙的内表面上。由于气隙的内表面上设置了金属氧化物层，而金属氧化物层的机械强度较...
    2026-04-27
  • 三维半导体器件
    三维半导体器件_三星电子株式会社_202510993987.X
    一种三维半导体器件包括：半导体图案，与基板间隔开，在平行于基板的底表面的第一方向上延伸；字线，至少部分地围绕半导体图案并在第二方向上延伸，第二方向平行于基板的底表面并正交于第一方向；以及位线，在半导体图案的第一侧表面上，在垂直于基板的底表面...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411436220.9
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器系统。该半导体器件包括在第一方向上依次布置的第一沟道结构、第一位线结构、互连结构、第二位线结构以及第二沟道结构，其中，第一沟道结构沿第一方向延伸，第二沟道结构沿第一方向延伸，第一位线结构在...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411433457.1
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：至少一个存储单元，存储单元包括垂直堆叠的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第二栅电极连接第二晶体管的第三电极；第一晶体管的第一栅电极沿垂直于衬底方向延伸；第一晶体管的第一半导体层环绕第...
    2026-04-27
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