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最新专利技术
  • 一种沟槽型MOSFET结构的制造方法
    一种沟槽型MOSFET结构的制造方法_浙江翠展微电子有限公司_202511929077.1
    一种沟槽型MOSFET结构的制造方法，其通过在N型衬底并形成p型体区，在p型体区上通过单次光刻刻蚀形成第一绝缘层中的第一开口，在第一开口侧壁形成绝缘侧墙后。利用所述第一绝缘层与所述绝缘侧墙构成自对准结构实现所述源极区域的自对准注入，同时复用...
    2026-04-27
  • 一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件
    一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511890132.0
    本发明提供一种碳化硅阶梯沟槽的制备方法及沟槽型碳化硅器件，该制备方法包括：在外延层上生长刻蚀掩膜层；在刻蚀掩膜层上进行光刻工艺处理；以图形化的光刻胶为掩膜，干法刻蚀图形化的刻蚀掩膜层至外延层的上表面，形成图形化的刻蚀掩膜层，以图形化的刻蚀掩...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411416108.9
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成图案化的第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个露出衬底的第一表面的第一开口；通过第一开口进行第一离子注入，以在衬底中形成至少两个间隔设置的第一体区；在第一体区...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202411412389.0
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一掩膜层，第一掩膜层中形成有至少两个第一开口；对衬底进行第一离子注入，形成至少两个第一体区；在第一开口的侧壁上形成第二掩膜层，第二掩膜层的宽度为第一宽度；进...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411404874.3
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：下源漏，所述下源漏正面形成有若干鳍片结构，所述鳍片结构两侧形成有隔离相邻下源漏的隔离结构，所述下源漏背面不低于所述隔离结构背面；所述鳍片结构两侧的下源漏和隔离结构正面依次形成有刻蚀停止层...
    2026-04-27
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411404871.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：下源漏，所述下源漏正面形成有若干鳍片结构，所述鳍片结构两侧形成有隔离相邻下源漏的隔离结构，所述下源漏背面不低于所述隔离结构背面；所述鳍片结构两侧的下源漏和隔离结构正面形成有底部间隔层；所...
    2026-04-27
  • 一种门极负触发双向晶闸管
    一种门极负触发双向晶闸管_吉林华微电子股份有限公司_202610077495.0
    本发明属于但不限于半导体功率器件技术领域，公开了一种门极负触发双向晶闸管，包括管芯，所述管芯的门极区域内，右上角用于形成门极P型半导体的区域被N+型半导体填充；所述晶闸管仅在第2象限(MT1为负，MT2为正，门极G相对MT1为负信号)和第3...
    2026-04-27
  • 一种半导体器件及其生产方法
    一种半导体器件及其生产方法_苏州寒士半导体有限公司_202512035888.3
    本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种半导体器件及其生产方法。其包括：第一掺杂类型衬底、设置于第一掺杂类型衬底之上的多个原胞区域；原胞区域包括：沟道区域，其包括栅极沟槽、第一肼区、第一掺杂类型的少数载流子阻挡层和第二掺杂类型调控层；空穴导流...
    2026-04-27
  • 一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构
    一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构_浙江翠展微电子有限公司_202511928956.2
    一种可调节有源沟槽排布的IGBT结构，其包括IGBT组件，栅极焊盘区，第一可调焊盘区，第二可调焊盘区，以及发射极金属。所述IGBT组件包括N型发射区，沟槽，以及绝缘介质层。多个所述沟槽的两端分别通过所述绝缘介质层上的第二通孔与所述栅极焊盘区...
    2026-04-27
  • 一种高压快恢复二极管结构及其制作方法
    一种高压快恢复二极管结构及其制作方法_北京工业大学_202511880117.8
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，提供一种高压快恢复二极管结构及其制造方法，该结构是一种背面有源区具有精细槽阵列的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压要求的正面边缘终端区；背...
    2026-04-27
  • 一种高压快恢复二极管及其制作方法
    一种高压快恢复二极管及其制作方法_北京工业大学_202511880093.6
    一种高压快恢复二极管及其制造方法涉及功率半导体器件技术领域，该二极管是一种背面有源区具有浮空p+区的背面空穴受控注入二极管。本发明二极管结构具体包括正面p+阳极区和p型缓冲层构成的正面有源区以及改善耐压的正面边缘终端区；背面包括n型缓冲层，...
    2026-04-27
  • 一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法
    一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202511922135.8
    本发明提供一种提高TVS二极管芯片钳位电压能力的制作方法，属于电子配件技术领域，在P型衬底N面磷扩散形成P+区并高温氧化生成SiO2薄膜。P面磷扩散形成P‑区后单面光刻胶处理清洗。晶圆表面生长氧化层/SIPOS层，N面再磷扩散P+区。P面光...
    2026-04-27
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_鸿扬半导体股份有限公司_202411428354.6
    一种半导体元件的制造方法包括执行第一注入工艺，以形成第一掺杂区于磊晶层中。磊晶层与第一掺杂区具有第一导电型。制造方法还包括执行第二注入工艺，以形成第二掺杂区的第一部位于磊晶层中。第二掺杂区的第一部位具有不同于第一导电型的第二导电型且相邻于第...
    2026-04-27
  • 一种软恢复FRD及其制造方法
    一种软恢复FRD及其制造方法_苏州寒士半导体有限公司_202610003912.7
    本发明涉及半导体器件技术领域，涉及一种软恢复FRD及其制造方法，其包括第一导电类型的阳极区域，由至少两种不同掺杂浓度的第一导电类型区域组合构成，包括高掺杂浓度区域和低掺杂浓度区域；位于阳极区域下方的第二导电类型的载流子注入抑制层，其掺杂浓度...
    2026-04-27
  • 一种漂移区梯度掺杂的SiC-TVS器件
    一种漂移区梯度掺杂的SiC-TVS器件_西安电子科技大学芜湖研究院_202511839822.3
    本发明公开了一种漂移区梯度掺杂的SiC‑TVS器件，包括：SiC衬底层；漂移区，设置于SiC衬底层上，漂移区包括从下至上依次层叠设置的掺杂浓度不同的第1层SiC漂移区至第n层SiC漂移区；发射区，设置于第n层SiC漂移区内；包括相互接触的发...
    2026-04-27
  • 3D MIM电容结构及其制备方法
    3D MIM电容结构及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202610044553.X
    本发明提供一种3D MIM电容结构及其制备方法，通过低温模板法，首先在TiN材料的低温沉积条件下沉积具有(200)晶面的第一TiN下电极层，然后再采用沉积具有(111)晶面的TiN材料所需的温度下(即相对高温条件下)沉积第二TiN下电极层，...
    2026-04-27
  • 储能部件
    储能部件_株式会社村田制作所_202511451315.2
    提供了储能部件。制造包括储能部件的集成电气器件的方法包括：提供包括多孔区域(103)的支承件；形成绝缘层(104)，所述绝缘层(104)具有界定多孔区域的一部分的开口(OP)；形成底部电极层(105)；蚀刻底部电极层，使得在绝缘层上和在多孔...
    2026-04-27
  • 电容器及其形成方法
    电容器及其形成方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202411433419.6
    本发明涉及一种电容器及其形成方法。所述形成方法中，在基底上形成包括交替堆叠的多个牺牲介质层和多个第一导电层的叠层结构后，形成贯穿叠层结构并连接各第一导电层的第一极板连接节点，之后利用第二贯通孔去除牺牲介质层，形成与第二贯通孔连通的间隙，再在...
    2026-04-27
  • 一种片上可变电阻器件结构和电子设备
    一种片上可变电阻器件结构和电子设备_南通擎航微电子科技有限公司_202511723583.5
    本申请提供了一种片上可变电阻器件结构和电子设备，包括衬底，形成于衬底上的氮化物外延层，形成于氮化物外延层上的电极结构层和栅极结构层。电极结构层包括第一电极和第二电极，氮化物外延层包括用于形成异质结界面的沟道层与势垒层，栅极结构层包括层叠形成...
    2026-04-27
  • 半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置
    半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置_浙江力积存储科技股份有限公司_202610060371.1
    一种半导体器件及其制备方法、芯片和电子装置，该半导体器件包括：相邻的第一DRAM层和第二DRAM层，第一DRAM层包括第一衬底层、第一背面键合层以及第一DRAM单元层，第一衬底层中形成有第一衬底互连结构，第一背面键合层包括第一背面键合介电层...
    2026-04-27
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