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最新专利技术
  • 一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备
    一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备_江苏浦上精密制造科技有限公司_202511272348.0
    本发明提供一种半导体器件零件表层热熔气吹剥离设备， 涉及半导体零件加工技术领域。包括加工台和透明防护罩， 所述加工台上端面一侧开设有加工槽， 所述加工槽内底部设置有活动基盘， 所述加工台一侧壁固定设置有连接座， 所述连接座一侧壁中间固定设置...
    2025-11-26
  • 一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用
    一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用_中国人民解放军国防科技大学_202511247745.2
    本发明公开了一种高安全性芯片封装复合薄膜及其应用， 复合薄膜包括：PUF熵源层， 包括掺杂介电层以及设在所述掺杂介电层上、下表面的电容阵列层， 用于生成芯片的唯一密钥， 并检测薄膜形态变化及侵入式攻击；绝缘层， 包裹在所述PUF熵源层上， ...
    2025-11-26
  • 一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法
    一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法_株洲中车时代半导体有限公司_202410364724.8
    本发明属于半导体技术领域， 具体涉及一种功率半导体芯片压接封装结构及制作方法， 压接封装结构包括集电极电极和发射极电极， 集电极电极包括位于表层的软质层区一；发射极电极包括位于表层的软质层区二， 发射极电极与集电极电极之间设置有多个芯片子单...
    2025-11-26
  • 集成电路封装及其形成方法
    集成电路封装及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510661859.5
    提供集成电路封装及其形成方法， 集成电路封装可包含第一晶粒， 第一晶粒可包含第一半导体基底、位于第一半导体基底上方的第一接合层以及位于第一接合层中的第一晶粒连接器。第一接合层可包含第一部分及第二部分， 第一部分包含第一材料， 第二部分包含第...
    2025-11-26
  • 一种功率器件封装结构及功率器件封装模组
    一种功率器件封装结构及功率器件封装模组_上海法雷奥汽车电器系统有限公司_202510912332.5
    本发明实施例公开一种功率器件封装结构及功率器件封装模组。该功率器件封装结构包括散热基板；芯片， 包括第一电极、第二电极和第三电极；电路载体， 其上设置有多个焊盘；芯片在散热基板的垂直投影位于电路载体在散热基板的垂直投影内且不重合；第一引线与...
    2025-11-26
  • 半导体封装结构和半导体封装结构制作方法
    半导体封装结构和半导体封装结构制作方法_江苏凯嘉电子科技有限公司_202510951552.9
    本发明涉及半导体封装技术领域， 具体为半导体封装结构和半导体封装结构制作方法， 包括：基板、晶片；所述基板底端均布连接设置有外部电连接件， 晶片底端四个边角位置连接设置有锥台， 晶片通过定位组件和辅助组件设置在基板上；通过将晶片套接在定位框...
    2025-11-26
  • 一种LGA封装的集成电路连接座
    一种LGA封装的集成电路连接座_深圳市铨天科技有限公司_202510968295.X
    本发明公开了一种LGA封装的集成电路连接座， 涉及连接座领域， 包括基座、装配框以及扣框， 所述基座上开设有插槽， 所述插槽内嵌设有若干个倾斜的接触针脚， 装配框一侧开设有避让通槽；能置于插槽内的防护盖；能将集成电路装在装配框上的连接结构；...
    2025-11-26
  • 一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法
    一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202510689542.2
    本发明涉及半导体技术领域， 尤其涉及一种高导热氧化镓复合衬底及其制备方法。所述高导热氧化镓复合衬底包括：高导热衬底和氧化镓单晶；所述高导热衬底和所述氧化镓单晶键合相连；所述高导热衬底为Cu和金刚石的合金陶瓷材料。本发明研究得到一种以Cu和金...
    2025-11-26
  • 一种兼容性强的高压大功率封装工艺
    一种兼容性强的高压大功率封装工艺_四川华尔科技有限公司_202510871488.3
    本发明涉及半导体封装技术领域， 尤其是提供了一种兼容性强的高压大功率封装工艺， 采用封装装置实施， 该封装装置包括外壳和安装在外壳底部的基板， 基板和外壳之间设有定位杆， 定位杆开设有第一排气孔， 基板设有垂直向上的定位腔， 定位腔内设有由...
    2025-11-26
  • 一种功率半导体的封装结构及封装方法
    一种功率半导体的封装结构及封装方法_广东风华芯电科技股份有限公司_202511269559.9
    本发明涉及一种功率半导体的封装结构及封装方法， 其包括基板、驱动芯片、第一功率芯片、第二功率芯片、低导热塑封层和高导热塑封层；基板上设置有若干焊点及走线， 基板上的走线将若干焊点电连接并形成驱动电路；驱动芯片、第一功率芯片和第二功率芯片分别...
    2025-11-26
  • 一种芯片散热装置
    一种芯片散热装置_浙江昊芯微电子有限公司_202510706833.8
    本申请公开了一种芯片散热装置， 其包括几字形壳、开设于所述几字形壳顶部的开口、放置于所述几字形壳顶部且与所述开口相对应的芯片本体、设置于所述几字形壳上的散热组件、设置于所述几字形壳上的拆卸组件， 所述散热组件对所述芯片本体起到散热的作用， ...
    2025-11-26
  • 一种光伏旁路芯片
    一种光伏旁路芯片_信天翁半导体(杭州)有限公司_202510680081.2
    本发明涉及芯片封装技术领域， 具体涉及一种光伏旁路芯片， 本发明通过将功率开关、光伏旁路控制芯片与其所需的自蓄电电容封装在同一绝缘基座上， 实现了高集成度的光伏旁路功能单片系统， 降低了外围电路的复杂度和成本， 提高了光伏旁路功能的可靠性，...
    2025-11-26
  • 一种无基岛局部填封结构及其喷涂工艺方法
    一种无基岛局部填封结构及其喷涂工艺方法_江门市华凯科技有限公司_202510870964.X
    本发明公开了一种无基岛局部填封结构及其喷涂工艺方法， 包括金属引线框本体， 金属引线框本体设置有上下贯通的镂空槽， 镂空槽周围布置有金属内引脚， 镂空槽内设置有内填塑封料， 且内填塑封料还连接金属内引脚， 并布置在金属内引脚的正面和/或背面...
    2025-11-26
  • 半导体封装结构、封装结构和制造中介层的方法
    半导体封装结构、封装结构和制造中介层的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510784622.6
    用于半导体封装件的中介层包括集成至中介层中的光子组件， 诸如光波导和/或集成电路(IC)光子管芯。中介层包括：衬底；再分布结构， 位于衬底上方， 其中， 再分布结构包括介电材料中的多个导电部件；以及光波导， 位于衬底上方和/或内。光波导包括...
    2025-11-26
  • 一种嵌入式转接板的制作方法及其成形结构
    一种嵌入式转接板的制作方法及其成形结构_浙江禾芯集成电路有限公司_202510891539.9
    本发明公开了一种嵌入式转接板的制作方法及其成形结构， 属于半导体封装技术领域。其工艺如下：封装基板预处理并背面植金属球；封装基板正面临时键合临时键合载板；塑封封装基板的背面和金属球， 并固化， 再进行第一次减薄；封装基板的正面解键合；准备桥...
    2025-11-26
  • 一种基板结构和基板结构的制作方法
    一种基板结构和基板结构的制作方法_中国科学院微电子研究所_202510948186.1
    本发明公开了一种基板结构和基板结构的制作方法， 涉及半导体技术领域， 以解决现有技术中铜层与玻璃芯板直接结合的界面在热应力作用下易发生分层失效， 影响后续封装可靠性的问题。所述基板结构包括：玻璃芯板具有沿其厚度方向贯穿玻璃芯板的通孔。金属氧...
    2025-11-26
  • 一种硅通孔阵列、编码方法和计算机程序产品
    一种硅通孔阵列、编码方法和计算机程序产品_北京大学深圳研究生院_202510818818.2
    一种硅通孔阵列、编码方法和计算机程序产品， 应用于集成电路技术领域， 硅通孔阵列包括：多个基本子阵列；基本子阵列包括位于中心的一个硅通孔， 以及十字围绕分布的四个硅通孔和斜对角围绕分布的四个硅通孔；位于中心的硅通孔为信号硅通孔， 呈十字围绕...
    2025-11-26
  • 一种TGV基板结构
    一种TGV基板结构_深圳市矩阵多元科技有限公司_202510885425.3
    本发明涉及TGV基板技术领域， 具体涉及所述一种TGV基板结构， 包括TGV基板， 所述TGV基板上开设有若干玻璃通孔， 每个玻璃通孔内均设置有供多层TGV基板之间互连的填充铜；以及围绕每个玻璃通孔设置的用于缓冲填充铜受热膨胀的盲孔；以及设...
    2025-11-26
  • 测试结构、失效定位方法以及失效分析方法
    测试结构、失效定位方法以及失效分析方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884251.9
    本发明提供了一种测试结构、失效定位方法以及失效分析方法， 应用于半导体生产领域。在本发明中， 通过在第一有源区上形成金属硅化物层， 同时在第二有源区上不形成金属硅化物层， 以使所述第一有源区和所述第二有源区中正常状态下的接触插塞在电压衬度图...
    2025-11-26
  • 一种基于多层级抽滤法制备的石墨烯/MnO2/CNT复合正极及其制备方法和应用
    一种基于多层级抽滤法制备的石墨烯/MnO2/CNT复合正极及其制备方法和应用_浙江理工大学_202510642320.5
    本发明属于水系锌离子电池技术领域， 涉及一种基于多层级抽滤法制备的石墨烯/MnO2/CNT复合正极及其制备方法和应用。所述的方法是通过水热反应法制备二氧化锰， 与其他材料配制为活性层与阻挡层并采用分层级抽滤法抽滤制成多层的复合正极。本发明复...
    2025-11-26
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