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最新专利技术
  • 沉积掩模、制造沉积掩模的方法和电子装置
    沉积掩模、制造沉积掩模的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510454628.7
    本公开涉及沉积掩模、制造沉积掩模的方法和电子装置。所述沉积掩模包括：基底；第一无机膜， 在所述基底上；以及掩模膜， 在所述第一无机膜上并且包括第二无机膜和第三无机膜。所述掩模膜的截面结构具有由通过对所述第二无机膜进行图案化获得的第二无机膜图...
    2025-12-02
  • 氧化硅基陶瓷型芯等离子溅射复合涂层的制备方法
    氧化硅基陶瓷型芯等离子溅射复合涂层的制备方法_中国航发北京航空材料研究院_202511331820.3
    本发明公开了一种氧化硅基陶瓷型芯等离子溅射复合涂层的制备方法， 包括以下步骤：制备氧化硅基陶瓷型芯， 标记为型芯A；采用氧化钆作为靶材， 通过等离子溅射在型芯A外表面沉积氧化钆涂层， 标记为型芯B；根据高温合金中含有的活泼金属元素选择与该活...
    2025-12-02
  • 控温组件、承载装置、半导体工艺设备以及控制方法
    控温组件、承载装置、半导体工艺设备以及控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410479523.2
    本发明提供一种控温组件、承载装置、半导体工艺设备以及控制方法。其中控温组件包括加热装置和冷却装置；加热装置设置在半导体工艺设备的基座内部， 且位于基座承载面的下方；冷却装置可移动地设置在基座内部；冷却装置位于加热装置的下方， 且冷却装置与加...
    2025-12-02
  • 工艺腔室及其控制方法以及半导体工艺设备
    工艺腔室及其控制方法以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410491724.4
    本发明提供一种工艺腔室及其控制方法以及半导体工艺设备。工艺腔室包括腔体以及设置于腔体内的顶针机构和加热件， 加热件用于在晶圆由顶针机构支撑的情况下加热晶圆；其中， 加热件与晶圆能够在第一位置关系和第二位置关系之间切换；在处于第一位置关系的情...
    2025-12-02
  • 用于热处理的设备、基板处理系统、用于在基板处理期间支撑基板的载体、和用于感应加热在基板处理系统中的载体的方法
    用于热处理的设备、基板处理系统、用于在基板处理期间支撑基板的载体、和用于感应加热在基板处理系统中的载体的方法_应用材料公司_202510785894.8
    描述了一种用于在基板处理系统中的载体的热处理的设备。所述设备包括加热布置， 所述加热布置被配置为向所述载体提供热能， 所述加热布置包括一个或多个线圈。
    2025-12-02
  • 一种薄膜器件工艺设备的控制参数调节方法及系统
    一种薄膜器件工艺设备的控制参数调节方法及系统_国鲸合创(青岛)科技有限公司_202511002836.X
    本发明涉及薄膜器件工艺设备技术领域， 公开了一种薄膜器件工艺设备的控制参数调节方法及系统， 获取薄膜器件工艺设备上薄膜器件的加工反馈参数， 包括每个工艺腔室的加工反馈温度和加工反馈气压；对每个工艺腔室的加工反馈温度和加工反馈气压偏差分析， ...
    2025-12-02
  • 一种对带钢进行真空镀的系统及方法
    一种对带钢进行真空镀的系统及方法_宝山钢铁股份有限公司_202410496824.6
    本发明公开了一种对带钢进行真空镀的系统， 其设于真空腔内， 所述系统包括沿着带钢的行走方向依次设置的：第一喷气沉积段、第一冷却段、第二喷气沉积段和第二冷却段；其中第一喷气沉积段和第二喷气沉积段分别设于带钢的第一表面侧以及与第一表面侧向背的第...
    2025-12-02
  • 一种钨的沉积方法及等离子体设备
    一种钨的沉积方法及等离子体设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410465546.8
    本发明公开了一种钨的沉积方法及等离子体设备， 沉积方法包含：提供一具有凹陷结构的基片；第一沉积步骤：在凹陷结构的侧壁和底部沉积第一沉积层， 第一沉积层至少包含第一钨材料层；处理步骤：向基片表面通入处理气体， 处理气体对第一沉积层进行处理， ...
    2025-12-02
  • 前驱体输送装置和半导体工艺设备
    前驱体输送装置和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410460829.3
    本申请公开一种前驱体输送装置和半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。前驱体输送装置用于向半导体工艺腔室输送沉积薄膜所需的前驱体， 该前驱体输送装置包括气源容器、进气管路和排气管路；气源容器包括容器主体和设置于容器主体的容纳空间内的动力装置和...
    2025-12-02
  • 用于横流反应器中均匀气体输送的扩散器
    用于横流反应器中均匀气体输送的扩散器_ASMIP私人控股有限公司_202510487359.4
    扩散器包括从入口延伸到壁的顶表面和底表面。顶表面和底表面由间隔距离分开。间隔距离至少包括扩散器的入口处的第一间隔距离和壁处的第二间隔距离， 使得第一间隔距离大于第二间隔距离。也就是说， 顶表面的至少一部分是锥形的。
    2025-12-02
  • 原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法
    原子层沉积方法及用于在衬底上沉积层的相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202510488137.4
    公开了原子层沉积方法、用于在衬底上沉积层的方法以及相关的原子层沉积设备。所公开的方法包括将反应物气体脉冲到反应器组件中， 将反应物气体保持在反应器组件内一定时间段， 并且从反应器组件吹扫反应物气体。
    2025-12-02
  • 用于阈值电压控制的系统、方法和结构
    用于阈值电压控制的系统、方法和结构_ASMIP私人控股有限公司_202510490269.0
    用于形成用于集成电路的偶极子、偶极子形成层和功函数金属的半导体处理装置和方法。还描述了相关结构， 例如金属绝缘体金属电容器。示例性方法包括使衬底与包含不同元素的第一前体和第二前体接触。
    2025-12-02
  • 一种自适应可调节式ALD涂布装置
    一种自适应可调节式ALD涂布装置_杭州博科熙科技有限公司_202511352676.1
    本发明涉及ALD涂布装置技术领域， 且公开了一种自适应可调节式ALD涂布装置， 包括机架， 所述机架的内部设置有涂布机构， 所述涂布机构包括反应框， 所述反应框与机架的内壁固定连接， 所述反应框的数量为四个， 所述反应框的内壁固定连接有四个...
    2025-12-02
  • 一种气相沉积设备及半导体处理系统
    一种气相沉积设备及半导体处理系统_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202510444720.5
    本发明提供了一种气相沉积设备及半导体处理系统， 属于气相沉积技术领域， 为了解决多腔室设备中气体流通互相串扰的问题， 本发明的技术方案主要包括分为上部和下部的腔室主体， 主体下部的一侧设置有外传片口；位于腔室主体的内部的反应腔组， 反应腔组...
    2025-12-02
  • 采用二水合氯化亚锡在柔性衬底上化学浴沉积二氧化锡的方法及其应用
    采用二水合氯化亚锡在柔性衬底上化学浴沉积二氧化锡的方法及其应用_中国科学院上海硅酸盐研究所_202410466828.X
    本发明涉及半导体材料与柔性钙钛矿太阳能电池器件技术领域， 具体涉及一种采用二水合氯化亚锡在柔性衬底上化学浴沉积二氧化锡薄膜的方法及其应用。所述方法包括：采用二水合氯化亚锡为锡源， 并以尿素、巯基乙酸、氨水为添加剂， 去离子水为溶剂， 配制化...
    2025-12-02
  • 晶硅太阳能电池金属电极的制备方法和晶硅太阳能电池的制备方法
    晶硅太阳能电池金属电极的制备方法和晶硅太阳能电池的制备方法_环晟光伏(江苏)有限公司_202411025597.5
    本发明提供了一种晶硅太阳能电池金属电极的制备方法和晶硅太阳能电池的制备方法， 具体涉及太阳能电池制备技术领域。该晶硅太阳能电池金属电极的制备方法是将太阳能电池硅基底依次进行化学镀镍、退火、化学镀铜和化学镀锡， 得到金属电极。本发明提供的晶硅...
    2025-12-02
  • 一种冷喷涂高韧性钛基金属增材制造的装置及方法
    一种冷喷涂高韧性钛基金属增材制造的装置及方法_西安交通大学_202410468951.5
    本发明提供的一种冷喷涂高韧性钛基金属增材制造的装置及方法， 装置包括：冷喷涂喷枪、柔性密封罩以及喷涂舱室；其中， 柔性密封罩与喷涂舱室连通， 冷喷涂喷枪的枪头穿过柔性密封罩， 并进入柔性密封罩与喷涂舱室形成的密封区域；本发明通过设置喷涂保护...
    2025-12-02
  • 一种密封面复合涂层及其制备方法与应用
    一种密封面复合涂层及其制备方法与应用_中国石油天然气集团有限公司_202410464133.8
    本申请属于油气开发领域， 公开了一种密封面复合涂层及其制备方法与应用， 复合涂层至少一层耐磨层和一层密封层， 耐磨层通过表面处理工艺覆盖于基体材料的表面， 密封层涂覆于耐磨层的表面， 耐磨层包括硬度不低于45HRC的硬质合金层， 密封层包括...
    2025-12-02
  • PDC钻头覆层料组合物和PDC钻头覆层料以及覆层的PDC钻头及其制备方法
    PDC钻头覆层料组合物和PDC钻头覆层料以及覆层的PDC钻头及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202410476146.7
    本发明涉及钻探设备技术领域， 公开了一种PDC钻头覆层料组合物和PDC钻头覆层料以及覆层的PDC钻头及其制备方法。所述PDC钻头覆层料组合物包括镍铬硼硅合金粉、碳化钨、石墨烯、聚乙烯纤维素和去离子水；且相对于100重量份的去离子水， 所述镍...
    2025-12-02
  • 碳化钨金属覆层粉末组合物和碳化钨金属覆层粉末以及覆层的PDC钻头及其制备方法
    碳化钨金属覆层粉末组合物和碳化钨金属覆层粉末以及覆层的PDC钻头及其制备方法_中国石油化工股份有限公司_202410476151.8
    本发明涉及钻探设备技术领域， 公开了一种碳化钨金属覆层粉末组合物和碳化钨金属覆层粉末以及覆层的PDC钻头及其制备方法。所述组合物包括镍基合金粉、碳化钨和石墨烯；且以所述组合物的总重量为基准， 所述镍基合金粉为40‑70wt％， 所述碳化钨的...
    2025-12-02
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