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最新专利技术
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202411913402.0
    半导体封装可以包括：封装基板；第一中介层，在封装基板上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在第一中介层上；第二中介层，在第一半导体芯片上；第三半导体芯片，在第二中介层上；以及第一通孔，延伸到第一半导体芯片中并且在第一中介层和第二中介层之间。
    2025-12-02
  • 一种芯片封装结构以及电子设备
    一种芯片封装结构以及电子设备_昆仑芯(北京)科技有限公司_202511134383.6
    本公开提供了一种芯片封装结构以及电子设备，涉及芯片技术领域，尤其涉及芯片封装领域。具体实现方案为：该芯片封装结构包括：第一芯片、第二芯片和硅中介质层；硅中介质层设置有N层导电层和一层重布线层；在硅中介质层的厚度方向上，N层导电层依次间隔设置...
    2025-12-02
  • 芯片、电子设备、半导体器件及其测试方法
    芯片、电子设备、半导体器件及其测试方法_华为技术有限公司_202410642840.1
    提供了一种芯片、电子设备、半导体器件及其测试方法，涉及半导体技术领域，用以解决测试设备不兼容采用背部供电网络技术的半导体器件的问题。半导体器件包括衬底、测试结构、连接部第一探针垫、第二探针垫和第一连接结构。测试结构和连接部设置于衬底的第一侧...
    2025-12-02
  • 半导体故障检测
    半导体故障检测_谷歌有限责任公司_202510481731.0
    本文档描述了针对半导体故障检测的系统和技术。在各方面，半导体器件包括便于检测和定位缺陷的物理结构。该物理结构包括至少一个导电互连件，该至少一个导电互连件延伸穿过半导体器件的两个或更多个层，从而实现对故障的电气检测。此类系统和技术可以帮助提高...
    2025-12-02
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510618285.3
    本发明的半导体装置用于防止标准型半导体模块和镜像型半导体模块的误搭载。半导体装置(100)具备并排配置在第1方向上的标准型半导体模块(10)和镜像型半导体模块(20)。在标准型半导体模块(10)和镜像型半导体模块(20)的至少一个的封装的上...
    2025-12-02
  • 集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法
    集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法_华羿微电子股份有限公司_202511105018.2
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了集成宽SOA单元的SGT MOSFET senseFET的设计方法，在基板上布置主芯片，主芯片包括芯片一、芯片二、芯片三和微型senseFET探头，微型senseFET探头布置在基板的中心位置；在芯片...
    2025-12-02
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202510350274.1
    本公开提供了一种半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：第一半导体芯片，具有设置有第一连接焊盘的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；第二半导体芯片，在第二表面上，并且具有设置有第二连接焊盘的第三表面以及与第三表面相对的的第四表面；连接结...
    2025-12-02
  • 具有电感器与集成电路的整合封装结构及其制造方法
    具有电感器与集成电路的整合封装结构及其制造方法_立锜科技股份有限公司_202411867010.5
    本发明提供一种具有电感器与集成电路的整合封装结构及其制造方法。该具有电感器与集成电路的整合封装结构包含：基板，具有预设电路布局；集成电路，设置于基板上，且集成电路以倒装方式与基板接合，且接合集成电路与基板的接合物被包覆材料包覆，其中集成电路...
    2025-12-02
  • 一种埋入式封装结构、电源以及制造方法
    一种埋入式封装结构、电源以及制造方法_华为技术有限公司_202410649907.4
    本申请实施例提供了一种埋入式封装结构，包括基板框架、电感、第一电容、第二电容、第一芯片以及第一塑封层。电感埋嵌在所述基板框架中，电感的第一侧设置有第一容纳槽，第一侧靠近基板框架的上表面，电感的第二侧设置有第二容纳槽，第二侧靠近基板框架的下表...
    2025-12-02
  • 射频前端组件、射频收发系统、通信设备
    射频前端组件、射频收发系统、通信设备_华为技术有限公司_202410658343.0
    本申请实施例提供一种射频前端组件、射频收发系统、通信设备，涉及通信技术领域，用于提高射频前端模组的集成度。射频前端组件可以划分出第一区和第二区，射频前端组件内集成设置有环形器和射频芯片(或者无源器件)。环形器位于第一区，射频芯片位于第二区，...
    2025-12-02
  • 封装结构、半导体器件及电子设备
    封装结构、半导体器件及电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511395395.4
    本公开涉及一种封装结构、半导体器件及电子设备，该封装结构包括芯片单元和存储单元。芯片单元包括第一芯片和设置在第一方向上第一芯片一侧的第二芯片，其中，第一芯片包括接口模块，第二芯片包括计算模块；存储单元包括多个依次堆叠的存储模块，设于第一方向...
    2025-12-02
  • 湿润粉体的成膜方法
    湿润粉体的成膜方法_丰田自动车株式会社_202510631021.1
    提供一种湿润粉体的成膜方法，能够使用压延辊适当地将湿润粉体转印至片状的基材而成膜。使用具备第一辊、第二辊和第三辊的涂敷装置(CE)，以使第二辊(2)的圆周速度比第一辊(1)快的方式使第一辊(1)和第二辊(2)分别旋转，使湿润粉体(6)转印至...
    2025-12-02
  • 端部绝缘的电极体的制造方法
    端部绝缘的电极体的制造方法_丰田自动车株式会社_202510638863.X
    目的在于提供改善了体积效率的电极体的制造方法。一种端部绝缘的电极体的制造方法，包含：提供电极体的工序(a)；将电极体的端部切断而形成端面的工序(b)；以及在端面形成绝缘部的工序(c)，在工序(c)中，使具有多个凸部和保持在多个凸部之间的凹部...
    2025-12-02
  • 表面包覆磷酸锂的单晶高镍三元正极材料及其制备方法以及正极和电池
    表面包覆磷酸锂的单晶高镍三元正极材料及其制备方法以及正极和电池_北京理工大学_202511162682.0
    本发明涉及电池领域，公开了一种表面包覆磷酸锂的单晶高镍三元正极材料及其制备方法以及正极和电池，制备方法包括将单晶态高镍三元正极材料和包覆原料进行混合，然后将混合物进行煅烧，其中煅烧的温度为500‑800℃，时间为5‑10h，包覆原料在煅烧时...
    2025-12-02
  • 干法电极的制备方法及设备
    干法电极的制备方法及设备_深圳市赢合科技股份有限公司_202511228997.0
    本申请涉及一种干法电极的制备方法及设备。该制备方法包括将至少包含活性材料、导电剂、固态电解质和粘结剂的干态组分进行混合，形成干态混合物；将所述干态混合物进行原纤化处理及预成型，形成预成型体；将所述预成型体通过压实和减薄处理成型为电极膜，并将...
    2025-12-02
  • 一种表面原位构筑三维结构耦合固体电解质界相的铜集流体及其制备方法与应用
    一种表面原位构筑三维结构耦合固体电解质界相的铜集流体及其制备方法与应用_山东大学_202511535889.8
    本发明提供了一种表面原位构筑三维结构耦合固体电解质界相的铜集流体及其制备方法及其应用，属于无负极金属电池技术领域。该表面原位构筑三维结构耦合固体电解质界相的铜集流体的制备方法，包括步骤如下：(1)向缓冲溶液中加入阴离子供体材料，得到电刻蚀溶...
    2025-12-02
  • 复合基板、使用其的电极组件和制造电极组件的方法
    复合基板、使用其的电极组件和制造电极组件的方法_三星SDI株式会社_202510424624.4
    本申请涉及复合基板、使用其的电极组件和制造电极组件的方法。复合基板包括：聚合物基板；第一金属层，设置在聚合物基板的第一表面上；和第二金属层，设置在聚合物基板的与第一表面相反的第二表面上，其中第一金属层和第二金属层包括不同的材料，并且在第一方...
    2025-12-02
  • 用于可再充电锂电池的电极、可再充电锂电池及其制造方法
    用于可再充电锂电池的电极、可再充电锂电池及其制造方法_三星SDI株式会社_202510443658.8
    示例实施例包括电极、包括该电极的可再充电锂电池以及制造该电极的方法。用于可再充电锂电池的电极包括集流体、在集流体的至少一个表面上的活性物质层和在活性物质层中的多孔膜。可再充电锂电池包括上述电极。制造该电极的方法包括设置预备多孔膜以及在预备多...
    2025-12-02
  • 锂金属二次电池用正极、其制造方法及包含该正极的锂金属二次电池
    锂金属二次电池用正极、其制造方法及包含该正极的锂金属二次电池_现代自动车株式会社_202510657038.4
    本发明提供了一种锂金属二次电池用正极、其制造方法及包含该正极的锂金属二次电池，所述正极包括：集电体；形成于所述集电体上的正极活性材料层；以及设置在所述正极活性材料层上的含聚合物涂层；其中，所述含聚合物涂层包含含有环氧烷链段的离子导电聚合物。...
    2025-12-02
  • 一种负极极片、制备方法及锂离子电池
    一种负极极片、制备方法及锂离子电池_深圳市豪鹏科技股份有限公司_202510987111.4
    针对现有技术中负极极耳附近析锂的问题，本发明提供了一种负极极片、制备方法及锂离子电池。所述负极极片包括负极集流体和负极极耳，其特征在于，所述负极集流体包括区域A、区域B和负极极耳连接区，所述负极极耳连接区设于所述负极集流体的两端之间，所述区...
    2025-12-02
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