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最新专利技术
  • 蒸发源的温度控制方法和蒸镀设备
    蒸发源的温度控制方法和蒸镀设备_江苏英联复合集流体有限公司_202511392415.2
    本申请涉及一种蒸发源的温度控制方法和蒸镀设备。上述方法包括：在送丝装置为蒸发舟进行送丝的过程中，在检测到送丝过程的送丝结果满足预设送丝需求时，控制蒸发舟中的铝液进入成膜流程；在成膜的过程中，根据检测到的蒸发舟的温度变化情况和/或铝液蒸发速度...
    2026-01-13
  • 一种PVD加热室的温度控制方法
    一种PVD加热室的温度控制方法_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511767113.9
    本发明公开了一种PVD加热腔室的温度控制方法，涉及半导体领域，PVD加热室包括腔室和测温组件，腔室的底壁设有支撑座，腔室的顶壁设有反射板和红外辐射灯，测温组件包括红外检测仪和控制终端，红外检测仪的探测头伸入腔室，温度控制方法包括：开启红外辐...
    2026-01-13
  • 一种反应腔室的处理方法
    一种反应腔室的处理方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511240745.X
    本发明提供一种反应腔室的处理方法，包括：提供反应腔室步：反应腔室的内壁面具有洁净的耐等离子体腐蚀涂层；第一沉积步：碳基工艺气体气氛下，在耐等离子体腐蚀涂层的表面沉积无定形碳层，以填充耐等离子体腐蚀涂层的孔隙直至无定形碳层的上表面高于孔隙的上...
    2026-01-13
  • 一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法
    一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202511688585.5
    本发明公开一种用于核聚变装置壁处理镀膜的供料系统及方法，涉及核聚变装置的壁面处理与镀膜领域；供料系统包括若干沿核聚变装置的环形真空室周向均匀布设的供料机构和至少一个储料机构；供料机构包括供料部、第一加热部和动力部；供料部包括一进料端可控连通...
    2026-01-13
  • 一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器
    一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器_湖南启泰传感科技有限公司_202511224748.4
    本申请提供了一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜，是通过低压化学气相沉积法和射频等离子体组合协同沉积覆盖在金属基底上的氮化硅薄膜，氮化硅薄膜的厚度H≥金属基底表面缺陷的轮廓最大高度Rz。制备方法：选取表面缺陷的轮廓最大高度Rz≤R0的金属基...
    2026-01-13
  • 一种半导体工艺腔室的钝化方法
    一种半导体工艺腔室的钝化方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511375905.1
    本发明提供一种半导体工艺腔室的钝化方法，包括：第一沉积步：硅烷气体和氮源气体气氛下，采用化学气相沉积工艺，在腔室的内壁面沉积第一氮化硅层；第二沉积步：卤代硅烷气体和氮源气体气氛下，采用原子层沉积工艺，例如，该原子层沉积工艺可以为等离子体原子...
    2026-01-13
  • 一种储气罐及压力调节系统
    一种储气罐及压力调节系统_拓荆科技(上海)有限公司_202511604820.6
    本申请涉及一种储气罐及压力调节系统，该压力调节系统包括：至少两个内部设置有预压结构的储气罐，该预压结构的形态可发生变化，用于调节所述腔室内的压力；切换装置，用于分别连接各储气罐的流气口与工艺腔体，以控制单个储气罐向工艺腔体内供气；控制装置，...
    2026-01-13
  • 化学气相沉积方法
    化学气相沉积方法_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410844357.1
    本申请公开了一种化学气相沉积方法，涉及半导体制造技术领域，所述化学气相沉积方法包括：S100、提供具有凹槽的衬底，并将所述衬底置于反应腔室内；S200、执行沉积操作，所述沉积操作被配置为向所述反应腔室内提供反应气体，所述反应气体经过反应后的...
    2026-01-13
  • 用于气体分配的方法和装置
    用于气体分配的方法和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510832732.5
    本发明涉及用于气体分配的方法和装置。本技术的各种实施例可以提供一种喷淋头板，该喷淋头板具有：第一表面和相对的第二表面；第二表面中的圆形切口，其中切口包括在第二表面处具有第一直径的开口和从竖直轴线径向向外突出并形成第二直径的凹槽，其中第二直径...
    2026-01-13
  • 用于处理系统部件表面改性的方法、系统和装置
    用于处理系统部件表面改性的方法、系统和装置_ASMIP私人控股有限公司_202510840417.7
    在一个方面，本文公开了用于改性部件表面的方法、系统和装置，包括：使表面与激光束接触，表面包括半导体工具制造部件；响应于接触而改性表面，其中改性表面包括通过微机械加工、蚀刻、烧蚀、电离、阳极化、氧化、纹理化或粗糙化或者其组合在表面中形成功能特...
    2026-01-13
  • 一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置
    一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置_江苏博涛智能热工股份有限公司_202511401963.7
    本发明公开了一种OLED上PECVD使用的气体均匀扩散装置，包括：下腔体、下电极、上腔体、扩散导流分布机构和气体输送部件。上腔体固定设置于下腔体的上方。扩散导流分布机构设置于上腔体内，扩散导流分布机构包括固定设置于上腔体内部下方的扩散导流部...
    2026-01-13
  • 一种用于镀膜的载具装置
    一种用于镀膜的载具装置_湖南红太阳光电科技有限公司_202511402083.1
    本发明公开了一种用于镀膜的载具装置，包括载具，所述载具的一端固定有用于向载具内输送气体的喷淋板，所述喷淋板内设有用于与工艺腔室内的进气口连通的气道组件。本发明的用于镀膜的载具装置具有使用寿命长、维护便捷性高、维护周期长和稳定性好的优点。
    2026-01-13
  • 一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法
    一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法_湖南红太阳光电科技有限公司_202511532857.2
    本发明公开了一种边缘钝化反应设备及边缘钝化方法，反应设备包括反应腔体，反应腔体的上下两侧分别设有进气口和抽气口，反应腔体内侧上方设有喷淋匀流板，且喷淋匀流板与进气口连通，以实现工艺气体经喷淋匀流板匀流扩散后再分布至反应腔体内；反应腔体内设有...
    2026-01-13
  • 一种气体传输组件和半导体器件的加工设备
    一种气体传输组件和半导体器件的加工设备_拓荆科技股份有限公司_202511642968.9
    本发明公开了一种气体传输组件和半导体器件的加工设备。该气体传输组件包括：进气部，包括第一本体及进气面板，第一本体背向加热盘的第一侧设有进气口以连接工艺气源，进气面板为圆弧形，其被设于第一本体朝向加热盘的第二侧以环绕于加热盘的第一侧，进气面板...
    2026-01-13
  • 一种工艺冷却水系统、控温方法及设备
    一种工艺冷却水系统、控温方法及设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511657949.3
    本申请涉及一种工艺冷却水系统、控温方法及设备，通过设计热交换块、分水块以及冷却块，热交换块利用分水块流出的第一温度水，将输入的常温冷却水预热为第二温度水；分水块将第二温度水流入目标设备，并接收被加热形成的第一温度水；冷却块接收第一温度水，对...
    2026-01-13
  • 一种喷淋盘及一种喷淋头
    一种喷淋盘及一种喷淋头_拓荆科技(上海)有限公司_202511667139.6
    本发明提供了一种喷淋盘以及一种喷淋头。该喷淋盘的第一表面朝向该喷淋头的进气口，喷淋盘的第二表面朝向工艺腔室。该喷淋盘的第二表面设有至少一个凸起部，在凸起部的侧面设有多个第一喷淋孔。
    2026-01-13
  • 一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备
    一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备_无锡金源半导体科技有限公司_202511716078.8
    本发明涉及一种一体化匀流气相喷淋头、成型工艺及半导体薄膜沉积设备，其中，该喷淋头包括：一体成型的喷淋本体，所述喷淋本体的第一侧被设置为进气侧、第二侧被设置为出气侧，所述喷淋本体位于靠近所述出气侧的内部开设有呈网格状纵横交错、并相互连通以形成...
    2026-01-13
  • 加热盘、顶针拆装方法及存储介质
    加热盘、顶针拆装方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511544941.6
    本发明提供了一种加热盘、一种顶针拆装方法及一种计算机可读存储介质。所述加热盘包括加热盘本体、加热盘盖体及多个顶针及多个重锤组件。所述加热盘本体上设有多个第一通孔。所述第一通孔的第一尺寸大于重锤组件的第二尺寸。所述加热盘盖体覆盖于所述加热盘本...
    2026-01-13
  • 基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备
    基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备_上海微釜半导体设备有限公司_202511756620.2
    本公开提供一种基于炉管设备的扩散沉积方法及炉管设备。所述扩散沉积方法在沉积过程中，每两片晶圆为一组，共同置于晶舟的同一平面的承载位上，同一组的两个晶圆以沉积面相背离的方式叠置，两个晶圆之间放置有预制的隔离材料层，所述隔离材料层为不同于晶圆材...
    2026-01-13
  • 用于在衬底上涂覆半导体层的方法
    用于在衬底上涂覆半导体层的方法_艾克斯特朗欧洲公司_202511287318.7
    本发明涉及一种用于在衬底(4)上制造半导体层的方法，其中，利用通向处理室(1)的进气构件(2)将工艺气体进料到处理室，其中，将一种或多种工艺气体进料到处理室(1)，通过一个或多个发射线圈(5)产生交变电磁场，通过所述交变电磁场将承载衬底(4...
    2026-01-13
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